軟件定義的存儲剛剛開始形成，然而系統演進的步伐已經使得未來技術的創新越來越受到關注。
我們并非要在文中探討磁盤存儲池，也不是要討論固態驅動器。存儲的未來在于其與內存的融合。隨著非線性雙列直插式存儲器模塊(nonvolatile dual in-line memory modules, NVDIMM)的引入，系統內存在變得越來越復雜的同時，也將內存的速度與存儲的持久質量結合到了一起。
這些產品已經問世。鎂光(Micron)推出的首款全閃存的NVDIMM已經在產，并且幾家(硬件)供應商都在服務器產品中提供該款硬件。當然，其優勢在于數據在內存總線上移動時，比在外圍組件互連Express(PCIe)上移動的速度要快得多，盡管NVDIMM閃存的速度仍然還要比動態RAM(DRAM)慢一些。
有些情況下，例如在軍事系統或金融服務方面，對內存持久性需求更高。Viking Technology公司創建的NVDIMM的一種版本，其中包含了大量與閃存匹配的DRAM空間。當系統接通電源時，用戶可以選擇將數據從閃存加載到相應的DRAM之中。如果電源關閉或機器停止，DRAM的數據將會被備份到閃存之上。
Viking辦法的優點是系統可以使用CPU寄存器-存儲器命令將數據寫入DRAM。這允許單字節的寫入操作，而不是傳統存儲操作中使用的4KB文件形式的I/O區塊和全閃存型NVDIMM。這種字節模式I/O比區塊訪問閃存快了數千倍。支持此功能的軟件非常復雜，不僅涉及操作系統更改以處理異常，還涉及編譯器擴展。由于這種類型的I/O不使用標準塊方法，所以應用程序需要修改。
隨著軟件變化的出現，我們可以期待看到混合方法在現實中的應用。最有可能的是，數據庫系統將成為第一批實例，其中所有的更改都由數據庫供應商實現，為最終用戶提供一個透明的平臺。
閃存的替代品，如英特爾和鎂光3D XPoint產品，惠普企業和SanDisk的Memristor產品，以及索尼和Viking科技的ReRAM將提高持久性和非持久性內存區段之間的速度比。即使如此，它們的速度仍然比現今的DRAM慢得多。
接受這些技術的關鍵是應用程序需要將其視為DRAM類型的可寫尋址空間或塊I/O驅動器。做不到這一點，額外的速度是在應用軟件開銷中浪費掉的。
事實上，這些都是需要多家公司共同努力，以克服將這些尖端技術推向市場所面臨的挑戰和復雜性，因此不要指望這些產品2017年底或2018年初就可以使用。
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