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硬件發(fā)燒友們一直期待著更快、更實惠、更可靠的存儲產(chǎn)品，而大型數(shù)據(jù)中心則更關(guān)注與能源效率。本文要為大家介紹的，就是東芝 BiCS 3D TLC NAND 閃存所使用的硅穿孔（TSV）技術(shù)。其聲稱可減少存儲應(yīng)用的功耗，同時保障低延時、高吞吐、以及企業(yè)級 SSD 的每瓦特高 IOPS 。據(jù)外媒所述，這是當前業(yè)內(nèi)首個推向市場的硅穿孔 NAND 閃存產(chǎn)品。

TSV 是指垂直通過硅芯片的電氣連接，東芝稱這種制造方法有助于提升能源效率和帶寬。與當前基于鍵合（wire-bonding）技術(shù)的閃存芯片相比，TSV BiCS 閃存芯片可帶來兩倍能效。

它將堆疊的核心引腳連接了起來，盡管增加了一定的制造復(fù)雜度和成本，但最終價格還是可以比其它形式的 NAND 要便宜一些。目前 TSV 人多用于堆棧式 DRAM，比如 AMD 在 Fuji 和 Vega 高端桌面級顯卡上所采用的 HBM 閃存。

東芝初期將提供 512GB 和 1TB 容量、以及 1066 Mbps 的 TSV NAND 產(chǎn)品，大小為 14×18 mm 。八層 512GB 芯片的厚度為 1.35 mm，而 16 層 1TB 的芯片厚度為 1.85 mm 。

該公司稱，它已于上月向制造合作伙伴出貨基于 TSV 技術(shù)的 BiCS 3D TLC 閃存芯片，預(yù)計樣品可在年底前出貨。此外東芝也將于 8 月第二周在圣克拉拉舉辦的“2017 閃存峰會上”展示相關(guān)原型。