SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn)，韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。

若按計劃進行，海力士將成為全球第一個量產(chǎn) 72 層 3D NAND 的內(nèi)存廠。為順應(yīng)市場需求增溫，海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資 3.15 兆韓圜來增加 DRAM 與 NAND 內(nèi)存產(chǎn)能。

隨著微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以 3D 垂直方式堆疊內(nèi)存做突破，但制程技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于 2013 年量產(chǎn) 48 層 3D NAND 內(nèi)存，至于 64 層 3D NAND 芯片也將在今年底開始投產(chǎn)。

據(jù)市調(diào)機構(gòu) DRAMeXchange 統(tǒng)計，三星第三季 NAND 內(nèi)存營收來到 37.44 億美元，市占率較前季進步 0.3 個百分點至 36.6%。東芝以 19.6% 位居第二，Western Digital、海力士與美光分居三、四、五名，市占率依序為 17.1%、10.4% 與 9.8%。