儲存型快閃存儲器（NAND Flash）軍備競賽再起，南韓存儲器大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元（約27億美元），在南韓及大陸兩地增加存儲器產能；紫光集團旗下的長江存儲武漢廠，也預定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現，埋下隱憂。

目前各市調機構均看好明年NAND Flash仍處于供不應求局面，但南韓存儲器大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲器廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴充產能，希望市占率能趕上三星，但也為NAND Flash市場投下新變數。

稍早三星和美光也都宣布進一步擴產行動。三星也正于京畿道平澤建設新廠，預定2017年上半啟用，第一期投資額15.6兆韓元（134億美元），估計12寸晶圓產量可達20萬片，雖然三星還未敲定生產項目，但市場推測，因三星DRAM市占已接近跨過50%門檻，有反托辣斯法要求分割疑慮，應仍會以發展3D NAND Flash 為主。

半導體設備廠透露，目前六大NAND Flash晶片廠都有持續擴充NAND Flash晶片計畫，不過在各家從2D轉3D NAND晶片，因制程難度高，造成供應不足，使今年NAND晶片供應短缺，預料隨3D NAND晶片下半年制程逐步順利，缺貨問題會逐漸紓解。