硬盤行業(yè)正在進(jìn)行著一場性能對(duì)決容量的戰(zhàn)爭，由希捷引領(lǐng)的硬盤—閃存混合設(shè)備對(duì)陣西數(shù)—HGST的充氦氣設(shè)備。希捷在兩年前就宣布了新一代的熱輔助磁記錄(HAMR)技術(shù)，宣稱可借此提升存儲(chǔ)面密度，生產(chǎn)出每GB成本最低的硬盤。不過來自Heise.de的最新報(bào)道稱，希捷HMAR技術(shù)的老大Jan-Ulrich Thiele說，原型盤或者說首塊硬盤的容量只有4TB，當(dāng)然存儲(chǔ)密度達(dá)倒是到了1.5Tb/psi(平方英寸，約6.45平方厘米)，即比現(xiàn)在的垂直記錄技術(shù)提升了50%。

作為原型盤，實(shí)驗(yàn)的意義更多，預(yù)計(jì)2016年晚些時(shí)候亮相，至于商用，最快2018年。

HMAR被認(rèn)為是現(xiàn)在提升機(jī)械硬盤容量的最可行的方案之一，希捷去年泄露的一份路線圖顯示，10年內(nèi)硬盤容量將輕輕松松上100TB+。

筆者不禁想到了，去年底希捷副總裁稱2020年全球電腦硬盤空間將耗盡，當(dāng)然他還說HAMR會(huì)改變這種局面。