由于用戶有大量照片、視頻、應(yīng)用和音頻需要存儲，智能手機的存儲空間總是不夠用?？紤]到這一問題，英特爾在研究在不影響設(shè)備尺寸和價格的情況下，提升移動設(shè)備和PC存儲容量的新技術(shù)。

據(jù)PCWorld網(wǎng)站報道，英特爾正在研究的一項技術(shù)是，在1個存儲單元中存儲更多比特的信息，把移動設(shè)備和PC的存儲容量增加3倍。英特爾正在嘗試在一個存儲單元中存儲4比特信息。

英特爾非揮發(fā)存儲解決方案部門戰(zhàn)略規(guī)劃和營銷副總裁李仁基(Bill Leszinske)在一封電子郵件中說，“這可能促使大量移動和計算設(shè)備使用存儲密度更高的存儲設(shè)備。”

用戶對存儲容量的需求是無止境的。應(yīng)用和操作系統(tǒng)越來越大，4K視頻即將成為主流，傳感器和其他數(shù)據(jù)源生成的數(shù)據(jù)在不斷增多。因此，移動設(shè)備和PC廠商在不斷試圖提高設(shè)備中閃存盤和固態(tài)硬盤的存儲容量。

通過在1個存儲單元中存儲4比特信息——英特爾稱之為QLC的技術(shù)，標(biāo)準(zhǔn)2.5英寸固態(tài)硬盤的存儲容量可以增長至逾10TB。PCWorld表示，英特爾稱QLC仍然處于研發(fā)階段，沒有披露推出采用QLC技術(shù)的閃存芯片的時間表。

與傳統(tǒng)硬盤相比，固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)傳輸速度更快，能耗更低，但目前固態(tài)硬盤的容量最高約為4TB。閃迪計劃銷售存儲容量為8TB的固態(tài)硬盤——與希捷最高容量的硬盤相當(dāng)。英特爾曾表示，利用上周與美光公布的新型TLC閃存芯片，該公司將能把固態(tài)硬盤存儲容量提高至10TB。

市場研究公司Objective Analysis分析師吉姆·漢迪(Jim Handy)指出，未來10年，閃存可能被新興的存儲技術(shù)所取代，例如MRAM (磁阻內(nèi)存)、PCM(相變內(nèi)存)和RRAM(阻變式內(nèi)存)。

英特爾在一個存儲單元中存儲4比特信息的能力，依賴于它通過其最新的3D NAND制造技術(shù)縮小閃存芯片尺寸的能力。這一技術(shù)允許存儲單元像摩天大樓那樣垂直疊加，提供更高的存儲容量。

大多數(shù)固態(tài)硬盤都采用SLC(每個存儲單元存儲1比特信息)或MLC(每個存儲單元存儲2比特信息)閃存芯片。在1個存儲單元中存儲3比特信息就已經(jīng)是一個足夠大的挑戰(zhàn)了，漢迪對在1個存儲單元中存儲4比特信息持懷疑態(tài)度，稱這一技術(shù)可能會造成固態(tài)硬盤出現(xiàn)更多數(shù)據(jù)讀寫錯誤。

每次在一個存儲單元中增加1比特信息，干擾就會增加一分，識別存儲單元中數(shù)據(jù)的難度也會提高。

這并非一家公司首次嘗試在1個存儲單元中存儲4比特信息。近10年前，M-Systems曾進(jìn)行相同的嘗試，可惜沒有成功。M-Systems于2006年被閃迪收購。

另外，受成本影響，在1個存儲單元存儲4比特信息的意義并不大。據(jù)漢迪估計，在1個存儲單元存儲2比特信息，可能把閃存芯片成本削減一半；在1個存儲單元存儲3比特信息，可以把閃存芯片成本削減30%；如果把4比特信息“塞進(jìn)”1個存儲單元，閃存芯片成本降幅會收窄至15%。

但李仁基仍然對英特爾在QLC技術(shù)方面的機會持謹(jǐn)慎樂觀態(tài)度，稱英特爾的3D NAND技術(shù)能使QLC成為“一個真正的機會”。