一直以來，關于戴爾公司在支持VSAN方面雷聲大、雨點小的傳聞可謂不絕于耳;如今戴爾已經(jīng)全面并堅定地對此予以否認，聲稱這些完全是競爭對手的毀謗與攻擊。

此類指控內(nèi)容包括以下幾條：

戴爾正在銷售的陳舊LSI固件所能支持的隊列深度僅有25項而非600項。

其性能表現(xiàn)相當糟糕，在指向SSD的IOPS寫入操作不足400(大家沒看錯，是400)之前延遲高達30毫秒。

戴爾存儲產(chǎn)品銷售代表告知客戶，VSAN的生產(chǎn)性工作負載不會受到戴爾或者VMware的支持。

作為有力還擊，戴爾一舉破除了上述來自競爭對手的這些不盡不實的說法。

一位戴爾發(fā)言人告訴我們：“我們當然會為VSAN提供支持……我們是最早利用自身服務器向VSAN開放支持的廠商之一，而且也是惟一一家支持beta測試版本HCL的合作伙伴。H310很早就能夠與VMware的beta測試方案并行協(xié)作，此后我們又就RAID 0配置對LSI堆棧進行了與VMware產(chǎn)品的協(xié)作驗證、旨在讓后者的雙芯片設計充分服務于使用者。”

“當beta版本投入實現(xiàn)運行時，我們開始收集更多相關數(shù)據(jù)，這時隊列深度成了影響性能的最大瓶頸，這一點也引起了戴爾與VMware雙方的高度關注——有鑒于此，VMware在最近發(fā)布的說明文檔更新中建議用戶盡可能控制隊列深度，而戴爾也將在本周晚些時候推出VSAN產(chǎn)品的OEM版本時在產(chǎn)品使用指南內(nèi)提到這一點。”

“戴爾將繼續(xù)與VMware就VSAN堆棧進行緊密合作——其中包括在VMware服務器配置指南的引導下對PowerEdge服務器、RAID與HBA存儲控制器(包括目前的PERC與LSI控制器)以及HDD與SSD混合存儲體系進行聯(lián)合認證。”

“我們的團隊還指出，戴爾的VSAN產(chǎn)品指南還提出一系列關于將ESXi介質(zhì)與嵌入式SD卡相結(jié)合的其它建議，此舉可能會大大提高VSAN部署方案中本地存儲機制的占比。此外，指南還將引導用戶發(fā)現(xiàn)VSAN環(huán)境當中的故障域。”

接招吧，你們這些故布疑陣的競爭對手們!