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Soitec晶圓成為瑞薩新型SOTB芯片組核心成員

責任編輯:xfuesx

2018-11-15 16:16:26

摘自:e-works

 作為設計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領軍企業(yè),法國Soitec半導體公司今日宣布瑞薩電子公司采用Soitec全耗盡絕緣硅(FD-SOI)晶圓產(chǎn)品線專用版,用于其65nm超低功耗SOTBTM工藝生產(chǎn)。至此,瑞薩新型基于SOTBTM技術的芯片克服了物聯(lián)網(wǎng)設備的能源限制,并將功耗降低到目前市場現(xiàn)有產(chǎn)品的十分之一,更加適用于超低功率和能量采集應用。

薩瑞新型基于SOTBTM技術的芯片將功耗降低到目前市場現(xiàn)有產(chǎn)品的十分之一

 

    瑞薩利用其獨特的SOTB工藝技術開發(fā)出能量收集芯片,該芯片可收集20μA/ MHz的低有效電流和150 nA的深度待機電流。 該產(chǎn)品超低功率性能使其可以在端點幫助連接物聯(lián)網(wǎng)傳感設備實現(xiàn)免維護功能。 對于從事芯片安裝工藝的消費電子產(chǎn)品開發(fā)商而言,如何通過這些傳感器節(jié)點內的能量收集功能設計免維護設備,特別是在可穿戴設備、智能家居應用、手表、便攜式設備和基礎設施監(jiān)控系統(tǒng)中實現(xiàn)免維護功能,變得越來越重要。

超低能耗設備
 

    瑞薩選擇Soitec襯底作為其超薄而均勻的活性層,該襯底是目前在大批量生產(chǎn)的薄晶硅(SOI)下最薄埋氧化物(BOX)。 由于使用了Soitec襯底,瑞薩SOTB芯片組可以增強對晶體管靜電的控制,并將待機和有效電流降低到前所未有的水平。 此外,瑞薩還成功交付了無障礙通道,以抑制超低電壓操作的Vth變化,以及超低功率反偏置控制,同時降低待機電流。

 

    Soitec數(shù)字電子業(yè)務部執(zhí)行副總裁Christophe Maleville表示: “Soitec與瑞薩團隊在SOTB技術開發(fā)方面的緊密合作進一步表明全耗盡設備將徹底改變我們的日常生活。我們很高興能成為瑞薩SOTB系列產(chǎn)品中的一員。我們也期待在推動超低功率設備創(chuàng)新這個生態(tài)系統(tǒng)成長方面貢獻自己的綿薄之力。”

 

    瑞薩工業(yè)解決方案業(yè)務部家庭業(yè)務部副總裁Toru Moriya先生表示:“為了推動物聯(lián)網(wǎng)和消費應用的創(chuàng)新,我們將我們獨有的能量收集技術SOTB集成到我們的能量收集控制器中。我們相信,基于Soitec超薄襯底的瑞薩SOTB技術可以為開發(fā)無需電源供應和更換的免維護物聯(lián)網(wǎng)設備提供無與倫比的性能,從而促進基于端點智能的全新物聯(lián)網(wǎng)市場的發(fā)展。”
 

    關于 Soitec
 

    法國 Soitec 半導體公司是設計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領先企業(yè),以其獨特的技術和半導體領域的專長服務于電子和能源市場。Soitec 在全球擁有3000多項專利,在不斷創(chuàng)新的基礎上滿足客戶對高性能、低能耗、以及低成本的需求。Soitec 在歐洲、美國和亞洲設有制造工廠、研發(fā)中心和辦事處。Soitec和Smart Cut為Soitec公司注冊商標。

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