Marvell Semiconductor正在制造一種新的基于SATA的固態硬盤控制器，專為提高基于三階存儲單元(TLC)的非易失性NAND閃存記憶體的錯誤檢測率，據說這樣可以刺激固態硬盤(SSD)制造商為深層歸檔開發一些基于三階存儲單元(TLC)的企業級硬盤。
Marvell的88SS107控制器是該公司第五代控制器，將會使用一個標準的6 Gbps SATA磁盤接口，并用其標志性的低密度奇偶校驗解碼技術來檢測“串擾”錯誤。同時，Marvell采用28納米“互補金屬氧化物半導體(CMOS)”技術來設計該控制器，擁有了更強大的固件。
Marvell公司的首席技術官Zining Wu說：“這些技術使我們能夠在芯片中嵌入更多的電路，以支撐更復雜的算法運行。”
三階存儲單元(TLC)在每個存儲單元中存放3位信息，廣泛應用于不需要高寫入周期的消費類驅動器中。三階存儲單元 (TLC)盡管比“單階存儲單元(SLC)”和“多階存儲單元(MLC)”便宜，但是由于其較低的讀寫壽命和三個不同的電平造成的信號干擾，基本不用于企業中。
由于三階存儲單元(TLC)每個存儲單元中存放相對較多的存儲位信息，而且相鄰單元之間電平的不同造成讀寫過程中干擾變大，因此三階存儲單元 (TLC)在性能下降之前一般只能保證每個物理內存塊200到300次擦寫壽命。多節存儲單元(MLC)在已有的存儲陣列中是最受歡迎的閃存記憶體，因為其能保證每個物理內存塊3000次的擦寫壽命。
Zining Wu表示Marvell的高級控制器可以通過在固態硬盤(SSD)中整合三階存儲單元(TLC)來代替多節存儲單元(MLC)達到降低整體存儲成本的目的，但是他拒絕對硬盤廠商何時會采用該技術作出預測。
Taneja Group的總裁Arun Taneja認為Marvell的新控制器應該能夠加快TLC閃存在企業存儲中的步伐。
Taneja說：“三階存儲單元已經開始廣泛應用于非關鍵性任務應用程序的存儲陣列中，和兩年前的存儲領域情況相比較，這是一個非常驚人的消息，因為當時在兩個不同的電平之間甚至還沒有糾錯算法。”
“而對我來說，這也絕對是個大新聞。因為所有冷存儲都是基于SATA的機械硬盤。關于超大檔案庫的最大問題是什么？是電力，冷卻和空間的費用。而這些問題都可以通過使用三階存儲單元(TLC)來解決。”
Marvell表示它們的控制器可以和領先的NAND制造商兼容，同時在這個夏天固態硬盤廠商會開始采樣使用該控制器。
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