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10nm馬上淘汰?三星規劃芯片制程路線:2022年要上3nm

責任編輯:zsheng

2018-05-28 19:15:03

摘自:雷科技

日前,三星電子在位于美國的2018年三星半導體代工論壇上,公布其全面的芯片制程技術路線圖,目前已經更新至3nm工藝。

日前,三星電子在位于美國的2018年三星半導體代工論壇上,公布其全面的芯片制程技術路線圖,目前已經更新至3nm工藝。

在路線圖中,三星公布7nm LPP(7nm Low Power Plus)、5nm LPE(5nm Low Power Early/Plus)、4nm LPE/LPP(4nm Low Power Early/Plus)和3nm GAAE/ GAAP(3nm Gate-All-Around Early/Plus)工藝技術的計劃。其中Low Power指的是低功耗,Gate-All-Around即GAA,指全環柵技術。Early為前期,Plus為增強版。

據介紹,三星的7nm LPP將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導體工藝技術。以往三星的制程工藝都會分為LPE和LPP兩代,不過7nm算是個例外,沒有LPE。之前已公布,三星7nm LPP將于2018年下半年量產,2019年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝。

三星表示,在7nm LPP之后推出的5nm LPE將為SoC芯片提供更大的擴展面積和超低功耗優勢。此外,FinFET技術的使用將持續至4nm工藝。相比上一代5nm,三星的4nm LPE和LPP可提供更小的尺寸、更高的性能和更快的速度。

不僅如此,三星還提及了其3nm工藝,預計于2022年量產。從3nm開始,三星將拋棄FinFET結構,轉而采用下一代器件架構GAA。為了克服FinFET結構在尺寸和性能方面的限制,三星正在開發基于GAA技術的MBCFET(Multi Bridge Channel FET,多橋通道),預計3nm GAAE和GAAP的性能將更進一步提升。

與此同時,三星還強調了芯片關于人工智能(AI)和機器學習能力的發展。從最新的7nm LPP技術及其EUV方案超越了傳統的封裝方案,三星稱其平臺解決方案大大增加了芯片的計算能力,并加速了AI革命。

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