SK海力士昨日宣布推出全球首款基于TLC(三級單元)陣列的96層512Gb CTF(電荷儲存式快閃存儲器)4D NAND閃存，采用3D CTF設(shè)計與PUC(Peri Under Cell)技術(shù)，并將在今年年底于近期完工的清州工廠M15進(jìn)行量產(chǎn)。

SK海力士將其3D CTF與PUC相結(jié)合，這與集成3D浮柵和PUC的方式不同。因此，該公司將該產(chǎn)品命名為“基于CTF的4D NAND閃存”，以區(qū)別于當(dāng)前的3D NAND閃存技術(shù)。

與SK海力士的72層512Gb 3D NAND相比，新開發(fā)的4D NAND縮減了超過3成的芯片尺寸，并將每個晶圓的鉆頭生產(chǎn)率提高了49%，并具有更高的讀寫性能。此外，其數(shù)據(jù)帶寬翻了一番，達(dá)到業(yè)界最大的64KB。隨著多柵極絕緣體結(jié)構(gòu)的引入，其數(shù)據(jù)I/O速度在1.2V的工作功率下達(dá)到1,200Mbps。

憑借96層512Gb 4D NAND，SK 海力士將在年內(nèi)推出配備有該公司自己的控制器和固件的1TB客戶SSD。另外，企業(yè)級SSD將在2019年下半年推出。公司也將在2019上半年引入UFS 3來應(yīng)對高密度移動市場。此外，超高密度96層1TB的TLC和QLC也將在2019問世。

SK海力士副總裁兼NAND營銷主管JT Kim表示，這種基于96層CTF的4D NAND具有業(yè)界最高的成本競爭力和性能，將成為公司NAND閃存業(yè)務(wù)的里程碑，作為開發(fā)未來產(chǎn)品的平臺，同時計劃在今年內(nèi)開始大規(guī)模生產(chǎn)，并進(jìn)一步擴(kuò)大M15的產(chǎn)量，以積極響應(yīng)各種客戶。

近日SK 海力士曾宣稱，為了應(yīng)對2019年包括NAND Flash快閃存儲器及DRAM的價格的下跌，公司決定不但將自2018年底前開始減少投資規(guī)模，還將監(jiān)控并調(diào)整2019年的產(chǎn)能。