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紫光64層3D NAND芯片專利開發完成 2020年量產

責任編輯:zsheng |來源:企業網D1Net  2018-08-08 12:24:24 本文摘自:慧聰電子網

盛會“快閃存儲器高峰會”(FlashMemorySummit)正式公布64層3DNAND芯片專利,向全球展現大陸已具備自主研發快閃存儲器技術能力,并追上主流產品腳步,相關產品預計明年量產,加入全球列強競逐快速成長的NAND芯片市場。

消息人士透露,紫光此次選在國際性盛會公布長江存儲自行研發的64層3DNAND芯片專利,等于開放全球存儲器大廠公開檢視長江存儲的64層3DNAND芯片技術布建,向全球宣示大陸在發展快閃存儲器的腳步比前一期的32層產品更快,未來將會是3DNAND芯片供應鏈的重要一員。

據了解,長江存儲董事長楊士寧今天親自上陣,在美國SantaClara舉行的“快閃存儲器高峰會”正式發表長江存儲的64層3DNAND芯片專利。目前全球僅三星、SK海力士、東芝、美光、英特爾等大廠有能力生產相關產品。

長江存儲宣稱32層3DNAND芯片良率已超過九成,不過由于產品市場接受力有限,長江存儲只當做練兵,月產能僅5,000片,預料未來進入64層3DNAND芯片世代將加快量產規模,屆時對NAND市場沖擊加深,震撼業界。

關鍵字:專利芯片NAND3D

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紫光64層3D NAND芯片專利開發完成 2020年量產

責任編輯:zsheng |來源:企業網D1Net  2018-08-08 12:24:24 本文摘自:慧聰電子網

盛會“快閃存儲器高峰會”(FlashMemorySummit)正式公布64層3DNAND芯片專利,向全球展現大陸已具備自主研發快閃存儲器技術能力,并追上主流產品腳步,相關產品預計明年量產,加入全球列強競逐快速成長的NAND芯片市場。

消息人士透露,紫光此次選在國際性盛會公布長江存儲自行研發的64層3DNAND芯片專利,等于開放全球存儲器大廠公開檢視長江存儲的64層3DNAND芯片技術布建,向全球宣示大陸在發展快閃存儲器的腳步比前一期的32層產品更快,未來將會是3DNAND芯片供應鏈的重要一員。

據了解,長江存儲董事長楊士寧今天親自上陣,在美國SantaClara舉行的“快閃存儲器高峰會”正式發表長江存儲的64層3DNAND芯片專利。目前全球僅三星、SK海力士、東芝、美光、英特爾等大廠有能力生產相關產品。

長江存儲宣稱32層3DNAND芯片良率已超過九成,不過由于產品市場接受力有限,長江存儲只當做練兵,月產能僅5,000片,預料未來進入64層3DNAND芯片世代將加快量產規模,屆時對NAND市場沖擊加深,震撼業界。

關鍵字:專利芯片NAND3D

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