MRAM磁阻式隨機存儲芯片是下一代存儲芯片的候選人之一，兼具非易失、高速度、高密度、低耗等各種優良特性，可說是集各種記憶體優點于一體的產品，因此被認為是電子設備中的理想存儲器。只不過這些指標還是理論上的，MRAM芯片離取代內存、閃存的日子還早著呢，但在物聯網、工業、汽車電子行業應用前景很廣泛。
美國公司Avalanche主要研發ST- MRAM (自旋矩磁阻RAM)技術，日前他們宣布與UMC聯電達成合作協議，共同研發MRAM芯片，同時聯電也將透過Avalanche的授權提供技術給其他公司，并透過授權提供客戶具有成本效益的28 奈米嵌入式非揮發性MRAM技術。
在28nm工藝之外，兩家公司還考慮將合作范圍擴展到28nm以下的工藝中去。
在聯電之前，臺積電也宣布使用28nm工藝生產eMRAM及eRRAM芯片，預計2018年底試產。三星早前宣布4nm工藝時也提到了會針對物聯網市場推出28nm FD-SOI工藝，也會生產eMRAM存儲芯片。Globalfoundries之前公布的22FDX工藝也同樣針對低功耗的物聯網市場，也會推進eMRAM芯片研發生產。
國內的中芯國際也針對下一代存儲芯片布局了，去年初他們宣布已經出樣40nm工藝的ReRAM芯片，這種芯片密度比DRAM內存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片(200mm2左右)即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易于制造等優點。
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