該芯片完成封裝后，其硅光器件產品的尺寸僅為312平方毫米，面積為傳統器件的三分之一，可以全面滿足CFP/CFP2(外形封裝可插拔)相干光模塊的需求。實現了100G/200G全集成硅基相干光收發集成芯片和器件的量產，并通過了用戶現網測試，性能穩定可靠。
該系列產品支持100~200Gb/s高速光信號傳輸，具備超小型、高性能、低成本、通用化等優點，可廣泛應用于傳輸網和數據中心光傳輸設備。
國家信息光電子創新中心專家委員會主任余少華院士介紹：硅材料來源豐富，成本低，機械性能、耐高溫能力非常好，便于芯片加工和封裝。借助集成電路已大規模商用的CMOS工藝平臺實現硅光芯片的生產制造，可以有效解決我國高端光電子芯片制造能力薄弱、工藝能力不足的問題。
該項成果由國家信息光電子創新中心、光迅科技公司、光纖通信技術和網絡國家重點實驗室、中國信息通信科技集團聯合攻關取得。
余少華說，此次工信部主導成立國家信息光電子創新中心，及時推動四家單位通力合作實現了100G硅光芯片的產業化商用，不僅展現出硅光技術優勢，也表明我國已經具備了硅光產品商用化設計的條件和基礎。我們十分期待未來幾年硅光技術在光通信系統中的大規模部署和應用，推動我國自主硅光芯片技術向超高速超大容量超長距離、高集成度、高性能、低功耗、高可靠的方向發展。
京公網安備 11010502049343號