由于前道光刻機(jī)技術(shù)極端復(fù)雜，經(jīng)過多年競爭，目前由原荷蘭飛利浦公司發(fā)展而來的ASML(阿斯麥)公司一家獨(dú)大，占據(jù)大部分市場份額，日本的兩家光刻機(jī)公司(尼康和佳能)茍延殘喘，基本上已退出光刻機(jī)市場 ，就連科技最發(fā)達(dá)的美國目前也不能獨(dú)自完整生產(chǎn)出前道光刻機(jī) ，只要求掌握最關(guān)鍵技術(shù)，和擁有ASML(阿斯麥)公司關(guān)鍵控股權(quán)。一些言論認(rèn)為：“作為集成電路制造過程中最核心的設(shè)備，光刻機(jī)至關(guān)重要，芯片廠商想要提升工藝制程，沒有它萬萬不行，我國半導(dǎo)體工藝為啥提升不上去，光刻機(jī)被禁售是一個主要因素”。實(shí)際上，早在1971年，我國清華大學(xué)精儀系就成功研制出了“激光干涉定位自動分步重復(fù)照相機(jī)”，也就是前道步進(jìn)光刻機(jī)原型。那時，現(xiàn)在的光刻機(jī)巨頭ASML還未創(chuàng)立，可以說跟歐美光刻技術(shù)處于同一水平，進(jìn)入80年代后，隨著國家放慢了對半導(dǎo)體工業(yè)支持的腳步，面對飛速發(fā)展的國際半導(dǎo)體行業(yè)，我國卻被遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在了后面。
進(jìn)入21世紀(jì)后，我國重新開展了前道光刻機(jī)的研發(fā)工作，并成立了專門的研發(fā)公司——上海微電子裝備有限公司(SMEE)。當(dāng)時國外公司傲慢的說，“即使把圖紙和元器件全部給你們，你們也裝配不出來”。上海微電子裝備有限公司進(jìn)行集成式創(chuàng)新，終于于2007年研制出了我國首臺90納米高端投影光刻機(jī)，成為世界上第四家掌握高端光刻機(jī)技術(shù)的公司。據(jù)公開資料披露，由于該樣機(jī)大量采用外國關(guān)鍵元器件進(jìn)行集成，在得知我國研制出光刻機(jī)后，外國公司默契的進(jìn)行了關(guān)鍵元器件禁運(yùn)，樣機(jī)成了擺設(shè)，無法投入商業(yè)化生產(chǎn)。公司不得不將產(chǎn)品開發(fā)投入到技術(shù)含量較低的后道封裝光刻機(jī)和平板顯示光刻機(jī)上來，并成功的占領(lǐng)了國內(nèi)封裝光刻機(jī)80%的市場，解決了公司生存危機(jī)，但我國芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵難題并沒有解決。
6月20日尼日利亞總統(tǒng)布哈里簽署了2018年政府撥款法案，尼日利亞空軍核定預(yù)算中不僅保留了用于支付采購三架JF-17戰(zhàn)斗機(jī)的127.9億奈拉(約3500萬美元)分期付款，修訂后的預(yù)算還額外增加了170億奈拉(約4700萬美元)。這也意味著經(jīng)歷了起起伏伏之后，梟龍戰(zhàn)斗機(jī)終于要有了第二個用戶。或許大家心中也會有這樣的疑惑，為啥當(dāng)年我們的殲-7賣的那么好，可在那之后似乎戰(zhàn)斗機(jī)出口就一下子從高潮跌倒了低谷，以至于我們今天竟然需要為了僅僅3架飛機(jī)的成功出口歡欣雀躍?本期《出鞘》我們就來說說中國戰(zhàn)機(jī)出口的那些事。(查看完整內(nèi)容搜索微信公眾號：sinamilnews)
面對如此困難的局面，我國并沒有泄氣，認(rèn)真梳理了前道光刻機(jī)的關(guān)鍵核心技術(shù)，決定開展全國科技大協(xié)作，投巨資和精兵強(qiáng)將攻下這一科研難關(guān)。第一道難關(guān)是光刻機(jī)的曝光光學(xué)系統(tǒng)，由數(shù)十塊鍋底大的鏡片串聯(lián)組成，其光學(xué)零件精度控制在幾個納米以內(nèi)，ASML公司的鏡頭組由老牌光學(xué)儀器公司德國蔡司獨(dú)家生產(chǎn)。該項(xiàng)技術(shù)由生產(chǎn)遙感衛(wèi)星鏡頭的長春光機(jī)所和國防科技大學(xué)光學(xué)精密工程創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)等聯(lián)合攻關(guān)，已獲得多項(xiàng)突破性成果。成功研制了含有非球面光學(xué)元件的投影光刻曝光光學(xué)系統(tǒng)，并在上海微電子90nm光刻機(jī)整機(jī)上獲得了滿足光刻工藝要求的85nm極限曝光分辨率的成果，并全面掌握了浸沒式28nm光刻機(jī)以及更高水平的光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)，已批量生產(chǎn)110nm節(jié)點(diǎn)KrF曝光光學(xué)系統(tǒng)，值得一提的是，更短波長的極紫外EUV投影光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)也成功突破，獲得EUV 投影光刻32 nm 線寬的光刻膠曝光圖形。
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