利用“金屬—氧化物—氮化物—氧化物—硅”結構(MONOS)，開發了一種新型集成光子回路制備技術，據此可以在微芯片上使用閃存技術，有望使個頭兒更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，其運算頻率甚至可以達到太赫茲量級，從而將使計算機及相關光學通信設備的運行速度提高100倍。
責任編輯：zsheng
2018-06-21 20:05:36
摘自：人民日報
據人民日報報道，以色列希伯來大學物理學家烏利埃爾·利維及其研究團隊一直致力于研發一種全新的芯片技術，經過3年多的不懈努力，研究工作日前終于有了結果。
利用“金屬—氧化物—氮化物—氧化物—硅”結構(MONOS)，開發了一種新型集成光子回路制備技術，據此可以在微芯片上使用閃存技術，有望使個頭兒更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，其運算頻率甚至可以達到太赫茲量級，從而將使計算機及相關光學通信設備的運行速度提高100倍。
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