1月9日，英特爾與美光公司宣布，雙方將在完成第三代3D NAND技術(shù)研發(fā)之后，各自獨(dú)立開發(fā)3D NAND閃存芯片。這意味著屆時(shí)在存儲器領(lǐng)域兩者維持多年的合作關(guān)系亦將隨之結(jié)束。消息傳出不久，即有中國臺灣地區(qū)媒體預(yù)期英特爾在3D NAND布局押寶中國大陸市場，后續(xù)不排除以技術(shù)授權(quán)等方式攜手紫光集團(tuán)。盡管這一預(yù)測其后并未得到任何證實(shí)，卻反映出業(yè)界對于紫光集團(tuán)發(fā)展存儲芯片事業(yè)的關(guān)注。2018年對于紫光集團(tuán)來說，正是其全面發(fā)力存儲芯片事業(yè)的最為關(guān)鍵一年，攻堅(jiān)克難在此一舉！
產(chǎn)業(yè)布局已全面鋪開
2018新年伊始，位于四川成都天府新區(qū)的紫光IC國際城項(xiàng)目便已傳出消息，項(xiàng)目建設(shè)正式啟動(dòng)。紫光集團(tuán)董事長趙偉國在致辭中表示，此次啟動(dòng)的天府新區(qū)紫光IC國際城項(xiàng)目是紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域的三大布局之一。項(xiàng)目全部建成后，除了實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)30萬片12英寸3D NAND晶圓外，還將涵蓋從設(shè)計(jì)到封測的芯片相關(guān)業(yè)務(wù)，并包括紫光集團(tuán)“從芯到云”的完整產(chǎn)業(yè)鏈。整個(gè)項(xiàng)目未來十年總投資會超過2000億元。
趙偉國提到的紫光在存儲芯片的三大布局是指武漢長江存儲建設(shè)的國家存儲器基地、南京建設(shè)的紫光IC國際城，以及此次啟動(dòng)的天府新區(qū)紫光IC國際城項(xiàng)目。目前為止，長江存儲進(jìn)展最快，一期工廠已經(jīng)竣工，預(yù)計(jì)將于2018年投入使用，項(xiàng)目一期達(dá)產(chǎn)后，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。南京項(xiàng)目也已進(jìn)入實(shí)質(zhì)性啟動(dòng)階段。
2017年11月項(xiàng)目啟動(dòng)，投資300億美元打造半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，并投資300億元進(jìn)行紫光IC國際城項(xiàng)目建設(shè)，主要生產(chǎn)3D NAND和DRAM芯片；基地一期正式達(dá)產(chǎn)后，將月產(chǎn)10萬片，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值達(dá)48億美元；二期正式達(dá)產(chǎn)后，月產(chǎn)20萬片，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值達(dá)100億美元。
針對2017至2018年度公司如此密集地展開產(chǎn)業(yè)布局，趙偉國表示，存儲芯片產(chǎn)業(yè)必須有規(guī)模，建設(shè)三大基地就是為了追求規(guī)模效應(yīng)，未來三大基地將在研發(fā)和生產(chǎn)、市場、銷售上協(xié)調(diào)一致行動(dòng)。其實(shí)，除了產(chǎn)業(yè)基地的建設(shè)之外，紫光在存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈上也進(jìn)行了相應(yīng)布局。目前紫光在存儲領(lǐng)域的布局，包括存儲芯片的制造、封測和SSD，基本是一個(gè)完整的產(chǎn)業(yè)鏈。最新進(jìn)展包括武漢、南京、成都存儲芯片工廠建設(shè)順利，研發(fā)進(jìn)展正常，上海宏茂的存儲芯片封測項(xiàng)目正在進(jìn)行中，蘇州的SSD工廠已開工建設(shè)。
然而，紫光在存儲芯片上產(chǎn)業(yè)布局全面鋪開的同時(shí)，挑戰(zhàn)也將如影而至。眾所周知，全球存儲市場幾乎被三星、海力士、美光、東芝、西部數(shù)據(jù)等五家廠商瓜分，中國在此領(lǐng)域基本處于空白。Gartner半導(dǎo)體分析師盛陵海此前在接受記者采訪時(shí)指出：“紫光是中國發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)領(lǐng)頭羊之一，但要真的成為全球一線存儲器制造商，前方困難還非常多。”
具體來看，紫光面臨的挑戰(zhàn)可以歸結(jié)為三個(gè)方面：專利技術(shù)、資金和市場。
專利技術(shù)：還要立足自主研發(fā)
2017年12月4日，美光公司根據(jù)“保護(hù)營業(yè)秘密法”（Defend Trade Secrets Act），以及“反勒索及受賄組織法”（Racketeer Influencedand Corrupt Organization Act），在美國加州北部聯(lián)邦法庭提起民事訴訟申請，狀告代工廠聯(lián)華電子（UMC）和福建晉華盜竊其商業(yè)機(jī)密等不當(dāng)行為。此案立即引起業(yè)界廣泛關(guān)注。ICInsights總裁兼執(zhí)行長Bill McClean在接受媒體采訪時(shí)表示：“我不知道他們要如何在不碰觸三星、海力士和美光所擁有的專利下生產(chǎn)記憶體片。”臺灣南亞科總經(jīng)理李培瑛也認(rèn)為，中國企業(yè)若沒拿到技術(shù)授權(quán)，很難做出有競爭力的產(chǎn)品。
這或許就是在英特爾剛剛宣布未來將結(jié)束與美光合作關(guān)系之后，就有人猜測英特爾將與紫光在3D NAND上展開合作的原因。業(yè)界普遍對中國企業(yè)能自主開發(fā)（且不違反專利）存儲芯片沒有信心。
此前，英特爾與紫光集團(tuán)在通信芯片上已有合作，似乎并不排除兩家公司將合作進(jìn)一步擴(kuò)展的可能性，但沒有進(jìn)一步印證相關(guān)猜測的消息傳出。而就目前情況來看，紫光在存儲芯片上的發(fā)展應(yīng)是立足自主研發(fā)為主。相關(guān)消息顯示，在3D NAND閃存方面，長江存儲已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識產(chǎn)權(quán)的3D NAND芯片，2018年將可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在DRAM方面，紫光國芯，前身是成立于2001年的晶源電子，是國內(nèi)壓電晶體元器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，2015年紫光集團(tuán)成為紫光國芯的控股股東后，將由原奇夢達(dá)科技（西安）有限公司改制重建基礎(chǔ)上發(fā)展起來的西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司置入其中。原奇夢達(dá)科技（西安）有限公司是歐洲存儲器公司奇夢達(dá)（后被收購）在中國設(shè)立的設(shè)計(jì)中心，具有存儲器芯片的開發(fā)設(shè)計(jì)能力。目前其在DRAM存儲器芯片方面已經(jīng)形成較為完整的系列，產(chǎn)品接口覆蓋SDR、DDR、DDR2和DDR3 DRAM，并開發(fā)出相關(guān)的內(nèi)存模組產(chǎn)品。此前，紫光國芯面臨的最大挑戰(zhàn)是缺少晶圓廠的支持。隨著紫光集團(tuán)大力布局存儲芯片制造基地，已經(jīng)形成相對完整的產(chǎn)業(yè)鏈，立足自主開發(fā)存儲器并非不可能。
10年1000億美元的投資多嗎？
資金問題是外界質(zhì)疑紫光存儲器事業(yè)的另一重點(diǎn)。長江存儲總投資超過240億美元（預(yù)計(jì)最終全部投資280億美元），四川成都天府新區(qū)紫光IC國際城項(xiàng)目總投資超過2000億元，南京項(xiàng)目總投資300億美元。也就是說，紫光陸續(xù)規(guī)劃在武漢、成都、南京的投資近1000億美元。
對此，趙偉國在接受媒體采訪時(shí)指出：“之所以規(guī)劃了10年1000億美元的投資，是因?yàn)檫@個(gè)行業(yè)具有以下特點(diǎn)：資本密集、人才密集、技術(shù)密集、全球競爭，芯片制造不僅是高端制造，而且是尖端制造。10年1000億美元的投資，平均每年也就是100億美元，英特爾、臺積電、三星每年在芯片制造上的資本開支，每家都超過了100億美元。因此達(dá)不到每年100億美元的投資規(guī)模，根本就進(jìn)入不了全球芯片制造的第一集團(tuán)。”
然而，如此海量的資金，紫光又將如何籌措呢？除了國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和國開行、中國進(jìn)出口銀行等金融機(jī)構(gòu)的支持外，紫光也在多方籌措資金，包括設(shè)立各種基金，與地方政府聯(lián)合投資，在資本層面合作等。此外，趙偉國還提出了設(shè)立“中國集成電路股份有限公司”的設(shè)想。研究三星的發(fā)展可以發(fā)現(xiàn)，三星是一個(gè)科技資本財(cái)團(tuán)，芯片業(yè)務(wù)只是三星的一部分業(yè)務(wù)，三星的金融和其他實(shí)業(yè)為芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，提供了巨額資金。紫光要借鑒三星的發(fā)展，成為一個(gè)以芯片和云網(wǎng)為主導(dǎo)業(yè)務(wù)的綜合性科技財(cái)團(tuán)，這樣紫光才有可能完成振興中國集成電路產(chǎn)業(yè)的大業(yè)。
“板凳要坐十年冷”的心理準(zhǔn)備
紫光存儲事業(yè)未來面臨最大的挑戰(zhàn)是“市場關(guān)”。存儲器是一個(gè)高投入、高風(fēng)險(xiǎn)、高壁壘的戰(zhàn)場，當(dāng)年三星為了發(fā)展內(nèi)存芯片事業(yè)連續(xù)忍受13年的虧損，才最終實(shí)現(xiàn)盈利。這意味著，紫光發(fā)展存儲事業(yè)的初期也很有可能面臨一段長時(shí)期的虧損局面。
從當(dāng)前市場競爭態(tài)勢來看，東芝與西部數(shù)據(jù)在2017年經(jīng)歷了長時(shí)間的法律訴訟與合資爭議之后，已于2017年12月13日達(dá)成和解，協(xié)議包括雙方延展合資關(guān)系至2029年，并確保西部數(shù)據(jù)在Fab6工廠中能夠參與投資，確保了西部數(shù)據(jù)可以繼續(xù)參與96層以后3D NAND Flash的競爭。東芝隨即在12月21日宣布Fab 7的興建計(jì)劃。集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心指出，隨著東芝、三星、英特爾、長江存儲等都將擴(kuò)增NAND Flash產(chǎn)能，對NAND 閃存產(chǎn)業(yè)的影響將在2019年轉(zhuǎn)趨明顯，整體產(chǎn)業(yè)可望呈現(xiàn)供過于求的狀況。
集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心表示，觀察中國大陸在NAND閃存領(lǐng)域的發(fā)展，以紫光集團(tuán)旗下的長江存儲為中國最快成軍的開發(fā)廠商。由于長江存儲開發(fā)早期技術(shù)力不足，難以與一線大廠相抗衡，預(yù)估其初期產(chǎn)品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術(shù)發(fā)展來到64/96層，才有機(jī)會進(jìn)軍SSD市場，但此市場技術(shù)競爭相當(dāng)激烈，短期會難以在成本上取得優(yōu)勢。
可見，量產(chǎn)初期的市場挑戰(zhàn)將是紫光在存儲器上的最大挑戰(zhàn)。在加快技術(shù)開發(fā)的同時(shí)，只有拿出足夠的耐心與堅(jiān)持。這方面，趙偉國在有著清醒的認(rèn)識。“目前在主流存儲芯片產(chǎn)品領(lǐng)域，中國完全是空白，在長江存儲項(xiàng)目之前，不是縮短差距的問題，原來是零，所以和國際巨頭的距離是無限遠(yuǎn)，我想有五年的時(shí)間，我們可以站穩(wěn)腳跟，再有五年，應(yīng)該有相當(dāng)?shù)某删停砸?lsquo;板凳要坐十年冷’的心理準(zhǔn)備和戰(zhàn)略耐力。”趙偉國說。
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