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Intel 10nm工藝引入昂貴材料鈷替代銅:三星/臺積電側目

責任編輯:editor005

作者:Strike

2017-12-12 15:04:22

摘自:超能網

Intel的10nm已經一拖再拖了,他曾經在2012年表示會在2015年推出第一款10nm工藝產品,然而現在已經2017年年底了,都沒有見到采用10nm工藝的產品上市,其實14nm工藝已經拖夠久的了。

Intel的10nm已經一拖再拖了,他曾經在2012年表示會在2015年推出第一款10nm工藝產品,然而現在已經2017年年底了,都沒有見到采用10nm工藝的產品上市,其實14nm工藝已經拖夠久的了。

Intel 10nm工藝引入昂貴材料鈷替代銅:三星/臺積電側目

  圖片來源:IEDM2017

然而這慢長的等待最終會帶來好處的,Computerbase表示Intel的10nm工藝中會使用到鈷這種金屬代替部分的銅,而其他半導體廠目前實用鈷這種材料的程度都沒有Intel這么高,這使Intel的10nm工藝有了更多的賣點。

使用鈷新材料后會帶來更多好處,作為幾乎所有半導體公司的供應商的Applied Materials三年前曾說過鈷這種材料是互聯網15年來最大的變革,然而要把這種材料投入實用實在太耗時間了,太過昂貴而且也不是必須的。

不過Globalfoundries其實已經在High-K Metal Gate工藝和銅工藝上使用了鈷這種材料很多年了,只不過現在的14nm工藝的技術是來源于三星的,不知道有沒有使用到鈷這種材料,AMD現在的14nm處理器在頻率上明顯低于那些28nm工藝的產品。

Intel 10nm工藝引入昂貴材料鈷替代銅:三星/臺積電側目

  圖片來源:Applied Materials

Intel希望用10nm工藝表現他依然是半導體行業的領先者,雖然說他現在在紙面上的納米競賽已經輸了,然而Intel的14nm工藝明顯是最好的,甚至要優于10nm LP和12nm LPP,這也是為什么Intel夠膽把自家的10nm與別家的7nm相提并論。

Intel的10nm采用鈷代替銅作為下部互聯層可使電遷移性能提高1000倍,同時層間通孔電阻應該會減少一半,這必然會大大增加芯片的耐用性,另外Intel會把鈷用在數個不同的地方,包括觸點、M0和M1層的金屬,M2到M5層則是主要用銅不過表面用鈷覆蓋。

那么Intel的10nm到底什么時候來呢?

Intel表示今年內會放出10nm工藝的Cannon Lake,然而今年就剩下19天了,其實Intel現在應該可以生產10nm的芯片了,然而良品率可能比較低。

因為這10nm一下子加太新東西進去了,第一代10nm工藝的Cannon Lake可能比較短命,第二代的Ice Lake明年下半年應該就會出來,Cannon Lake可能會成為像今年的Kaby Lake一樣的短命鬼。

Intel 10nm工藝引入昂貴材料鈷替代銅:三星/臺積電側目

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