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東芝美光存儲“無作為” 助力三星搶下半導體第一寶座?

責任編輯:editor005

作者:包永剛

2017-07-12 15:05:26

摘自:華強電子網

?上周,三星電子發布了二季度財報的初步數據(完整財報本月底公布),數據顯示三星二季度運營利潤高達121億美元(14萬億韓元)

 上周,三星電子發布了二季度財報的初步數據(完整財報本月底公布),數據顯示三星二季度運營利潤高達121億美元(14萬億韓元),超出分析師的預計并創下公司的記錄。此前,IC insights預估三星2017年銷售額有可能超越英特爾成為全球最大的半導體廠商。那么,三星如何能超越Intel?

  手機業務作為三星利潤的重要來源,去年,其旗艦手機Note7爆炸事件不僅給三星造成了巨大的營收損失,也為其聲譽帶來了負面影響。在經歷了Note7事件之后,三星謹慎對待Galaxy S8來修復損失的聲譽。不過,Note7事件帶來的營收損失還得通過半導體等業務來彌補。

  雖然三星Q2財報要到本月底才對外公布,但從2016年Q4三星電子的獲利情況來看,半導體業務獲利4.9兆韓元,占集團獲利的53.3%,由此不難看出半導體業務已經成為三星獲利的重要來源。有分析師預測,三星2017年Q2半導體業務將貢獻65億美元的運營利潤,移動設備業務將貢獻33億美元,顯示面板業務可能貢獻13億美元。那么,三星半導體業務為何能帶來如此豐厚的利潤?

 

 

  在半導體領域,三星存儲(DRAM和NAND Flash)的領先優勢顯而易見,TrendForce數據顯示,今年1-3月,三星內存占到全球內存芯片整體營收的40.4%。IHS數據顯示,2016年三星NAND Flash市場份額也達到35%,內存和閃存的市場份額皆全球第一。有觀點認為,在最尖端的64層3D NAND Flash方面,三星量產時的成品率比份額居第2位的東芝高很多,某證券分析師表示,通過量產技術,三星與東芝拉開了約1年的差距。此外,三星還將加快新一代96層3D NAND Flash的開發。不過,能讓三星超越銷售疲軟的英特爾的最大推動力還是因為缺貨而持續上漲的內存價格。據分析機構預測,今年全年DRAM和NAND Flash價格都將持續上漲。

  除了價格的上漲,競爭對手的困境也讓三星離登上半導體最大廠商的寶座更近一步。本月,存儲巨頭美光在原華亞科的桃園 N2 廠因純化氮氣設備故障造成氮氣外泄,導致在線數萬片DRAM晶圓遭到污染。

  雖然事后美光發聲明稱廠務系統確實出現問題,造成部分產線停工,但在公司的努力修復及解決問題下,已經恢復生產,并沒有對產能造成沖擊。不過另有報道稱受污染的產線最快要3個月才能復工,此次受影響的工廠保守估計損失大約在6萬片,將影響全球DRAM產能的5.5%,DRAM市場將繼續雪上加霜。

  除了美光,東芝作為全球重要的存儲芯片供應商,自身經營也陷入困境。在美國西屋核電項目出現問題之后,東芝就遭遇了嚴重的財務問題,東芝半導體部門出售的過程也一波三折。另據外媒報道,由于3D NAND芯片的良率較低,供應商在為2017年的iPhone準備存儲芯片時似乎遇到了嚴峻的生產問題,SK 海力士和東芝的產能已經下降了30%,蘋果可能已經轉向三星來彌補產能不足。

  在競爭對手遭遇不同程度困境的時候,三星還積極提升對于半導體業務的投資穩固其領導地位。據路透社報道,三星電子在本月初宣布投資20.4萬億韓元(約合186億美元)擴大其芯片業務計劃,此項支出計劃包括在2021年之前在平澤市的新NAND芯片廠投資14.4萬億韓元,還將在華城現有的廠區投資6萬億韓元來新建一條半導體生產線,不過沒有說明時間安排和生產何種產品。除了韓國本土,三星還打算在中國西安的NAND生產基地增加一條生產線,以滿足對用于長期數據存儲芯片需求的增長。另外還將向美國得克薩斯州的大規模集成電路(LSI)工廠投資15億美元。不難發現,這些投資除了能穩固三星在存儲市場的優勢,未來也將為三星帶來可觀的營收增長。

  整體而言,雖然三星手機部門一度占公司獲利的75%,但隨著存儲和顯示部門獲利的增加,手機的獲利貢獻正在下跌。存儲價格的上漲,友商的“無作為”無疑助推了三星的大規模投資,在這樣多重的利好之下,三星超越英特爾成為全球半導體霸主是否已經指日可待?

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