美光科技于今日發表了一篇有關量產GDDR5X芯片的早期報告，并欣喜地表示晶圓方面的進展早于預期，因為這部分有效硅晶片的速率已達到13GB/s（高端GDDR5X規格在10到14Gb/s之間），有些令人難以置信。美光首批GDDR5X芯片采用了20nm制程，單顆容量為8Gb（1GB），預計會在今年夏季進入大規模生產階段（樣產時間為晚春時分）。
盡管JEDEC幾周前才宣布了GDDR5X顯存芯片的標準，但美光表示，我們有望很快看到速率達到了14GB/s的GDDR5X芯片。
責任編輯：editor004
2017-06-06 11:23:21
摘自：cnBeta
美光科技于今日發表了一篇有關量產GDDR5X芯片的早期報告，并欣喜地表示晶圓方面的進展早于預期，因為這部分有效硅晶片的速率已達到13GB s（高端GDDR5X規格在10到14Gb s之間），有些令人難以置信。
美光科技于今日發表了一篇有關量產GDDR5X芯片的早期報告，并欣喜地表示晶圓方面的進展早于預期，因為這部分有效硅晶片的速率已達到13GB/s（高端GDDR5X規格在10到14Gb/s之間），有些令人難以置信。美光首批GDDR5X芯片采用了20nm制程，單顆容量為8Gb（1GB），預計會在今年夏季進入大規模生產階段（樣產時間為晚春時分）。
盡管JEDEC幾周前才宣布了GDDR5X顯存芯片的標準，但美光表示，我們有望很快看到速率達到了14GB/s的GDDR5X芯片。
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