三星為攀上全球半導體龍頭，不惜砸重金拼了，傳今年資本支出將大幅加碼逾十萬億韓元。
新韓投資（Shinhan Investment Corp）日前發布報告預測，三星今年半導體資本支出將擴增至 24.5 萬億韓元（約 219.5 億美元），較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 萬億韓元成為三星史上新高。（businesskorea.co.kr）
存儲器目前供不應求，也是三星今年布局的重點，預料將占據資本支出的一半左右。據新韓分析師預測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 萬億韓元（約 108 億美元），非存儲器部門（包含晶圓代工）則占 8 萬億韓元。
三星 NAND 快閃存儲器量產技術領先，分析師看好三星借由新增投資，可趁機擴大市占率。市調機構 DRAMeXchange 數據顯示，三星 2016 年第四季 NAND 存儲器營收市占達 37.1%，遙遙領先第二名東芝的 18.3%。
市調機構 IC Insights 月初公布報告指出，如果存儲器持續漲價，三星最快于第二季取代英特爾成為全球半導體龍頭。
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