半導體行業(yè)人士都知道，中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)還有很大的發(fā)展空間，目前，很大一部分還依賴進口。三星、美光、東芝、海力士等企業(yè)壟斷的存儲器市場高達800億美元，而中國每年進口的存儲芯片就達600億美元。為了提升中國存儲芯片競爭力，中國半導體企業(yè)加大了存儲芯片投資力度、中國資本極力進行海外擴張……
匯總中國存儲器產(chǎn)業(yè)事件
最新：兆易創(chuàng)新整并ISSI
11月19日，兆易創(chuàng)新再發(fā)持續(xù)停牌公告，并正式揭露即將與 ISSI 整并的消息。今年 9 月中開始兆易創(chuàng)新即以重大資產(chǎn)重組為由停牌多時，此次，兆易創(chuàng)新也正式揭露了原因，且攸關(guān)中國存儲產(chǎn)業(yè)的大布局。
武岳峰資本7.3億美元收購ISSI
2015年6月，美國Integrated Silicon Solution公司（ISSI）宣布，該公司股東就“中國投資公司武岳峰資本（Uphill Investment）收購ISSI”達成協(xié)議。武岳峰將以23美元/股的價格現(xiàn)金收購ISSI的股份。
武漢新芯存儲基地項目啟動
2016年3月28日，總投資240億美元（約1600億元）的存儲器基地項目今日在武漢東湖高新區(qū)正式啟動。該項目位于光谷智能制造產(chǎn)業(yè)園，建設(shè)內(nèi)容包括芯片制造、產(chǎn)業(yè)鏈配套等，將在5年內(nèi)投資240億美元，預(yù)計到2020年形成月產(chǎn)能30萬片生產(chǎn)規(guī)模，2030年建成每月100萬片產(chǎn)能。
晉華存儲器集成電路項目開工
2016年7月16日，福建晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線項目在泉州晉江開工。該項目一期投資370億元，是泉州乃至福建發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略布局，將打造成國內(nèi)首家具有自主技術(shù)及世界級先進制造工藝的存儲器研發(fā)制造企業(yè)。
兆易創(chuàng)新買下憶正武漢SSD廠
2016年9月，業(yè)界領(lǐng)先的存儲器和控制器供應(yīng)商兆易創(chuàng)新 （Gigadevice）上市剛滿一月便閃電停牌籌劃重組。業(yè)內(nèi)傳出消息，兆易創(chuàng)新日前買下固態(tài)硬盤（SSD）供應(yīng)商憶正科技位于武漢的廠房，開啟并購之路。
武漢新芯與紫光成立長江存儲
2016年7月26日，長江存儲科技有限責任公司正式成立，武漢新芯將成為長江存儲的全資子公司，而紫光集團則是參與長江存儲的二期出資。半導體行業(yè)人士認為，長江存儲的成立將為后續(xù)中國布局自主性存儲器產(chǎn)業(yè)帶來進展，利于整合國家資源，提高項目成功率。
關(guān)于ISSI
ISSI（芯成半導體有限公司） 主要設(shè)計與銷售SRAM、中低密度 DRAM、EEPROM 等集成電路產(chǎn)品，主要應(yīng)用于汽車、工業(yè)、醫(yī)療、網(wǎng)絡(luò)、移動通訊、電子消費產(chǎn)品。客戶都是一些電子工業(yè)巨頭，如3Com、Alcatel、Cisco、Ericsson、Hewlett Packard、IBM、Lexmark、Motorola、Nokia、Seagate等公司。ISSI為少數(shù)中資收購海外半導體企業(yè)成功的案例，而在收購 ISSI 之前，中國也僅有從奇夢達（Qimonda）所分拆出來的西安華芯半導體一家 DRAM 廠。
ISSI是國際化大公司，總部設(shè)在美國，在美國、歐洲擁有分公司，在臺灣有合資企業(yè)，在中國香港設(shè)有子公司，銷售辦事處分布在美國、歐洲、香港、中國、臺灣、日本。共有雇員590人。ISSI 用0.25微米工藝技術(shù)生產(chǎn)最新進的SRAM產(chǎn)品，產(chǎn)品都是由代工服務(wù)商代為生產(chǎn)，臺灣的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
芯成半導體（上海）有限公司ISSI的獨資子公司，成立于2000年9月，2001年7月遷入張江，總投資1583萬美元。
看點：中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展事件梳理
兆易創(chuàng)新整并剛變中資的 ISSI
11月19日，兆易創(chuàng)新再發(fā)持續(xù)停牌公告，并正式揭露即將與 ISSI 整并的消息。今年 9 月中開始兆易創(chuàng)新即以重大資產(chǎn)重組為由停牌多時，此次，兆易創(chuàng)新也正式揭露了原因，且攸關(guān)中國存儲產(chǎn)業(yè)的大布局。
先前即有過報導，中國 NOR Flash 廠商兆易創(chuàng)新（Gigadevice）可能與武岳峰等中國基金所收購的美國 DRAM 廠 ISSI 合并。
兆易創(chuàng)新公告中指出，公司擬收購北京閃勝投資公司，北京閃勝主要擁有先前以中國私募基金武岳峰為首所收購的美 DRAM 廠商 ISSI（IntegratedSilicon Solution）股份，兆易創(chuàng)新若與 ISSI 合并，加上現(xiàn)有的 NOR Flash 技術(shù)，將成為 Flash 與 DRAM 兼?zhèn)涞木C合型內(nèi)存廠商。
ISSI 主要設(shè)計與銷售 SRAM、中低密度 DRAM、EEPROM等集成電路產(chǎn)品，主要應(yīng)用于汽車、工業(yè)、醫(yī)療、網(wǎng)絡(luò)、移動通訊、電子消費產(chǎn)品。ISSI 為少數(shù)中資收購海外半導體企業(yè)成功的案例，而在收購 ISSI 之前，中國也僅有從奇夢達（Qimonda）所分拆出來的西安華芯半導體一家 DRAM 廠。
除了合并 ISSI，兆易創(chuàng)新臺面下也正積極籌劃建廠，兆易創(chuàng)新傳出將與中芯前CEO王寧國所主導的合肥長鑫團隊共同在合肥建立存儲廠，日前，兆易創(chuàng)新招募信息與合肥長鑫環(huán)評文件曝光，間接證實了此消息，從種種文件來看，新廠可能落戶合肥空港經(jīng)濟示范區(qū)，估計 2017 年 7 月動工，從事 12 寸半導體存儲芯片生產(chǎn)，總投資額高達 494 億人民幣，產(chǎn)能初估一年在 150 萬片（月產(chǎn)能 12.5 萬片）。
世界級存儲器基地在武漢啟動
2016年3月28日，總投資240億美元（約1600億元）的存儲器基地項目今日在武漢東湖高新區(qū)正式啟動。該項目位于光谷智能制造產(chǎn)業(yè)園，建設(shè)內(nèi)容包括芯片制造、產(chǎn)業(yè)鏈配套等，將在5年內(nèi)投資240億美元，預(yù)計到2020年形成月產(chǎn)能30萬片生產(chǎn)規(guī)模，2030年建成每月100萬片產(chǎn)能。
為保證該項目順利實施，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、國開發(fā)展基金有限公司、湖北省科技投資集團有限公司共同出資作為股東，在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎(chǔ)上組建一家存儲器公司作為存儲器基地項目實施主體公司。
此前，湖北省、武漢市、東湖高新區(qū)還共同設(shè)立了500億元湖北集成電路產(chǎn)業(yè)專屬投資基金，用于建設(shè)存儲器生產(chǎn)研發(fā)以及產(chǎn)業(yè)鏈上下游項目。
據(jù)悉，官方期望這一存儲器基地項目能集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)于測試、銷售于一體，但初步將先行建造 Flash 廠，同樣生產(chǎn) NOR 型Flash，并逐步移轉(zhuǎn)至 NAND Flash 產(chǎn)品，甚至3D NAND Flash，2015 年 5 月，武漢新芯才與 NOR 存儲器廠商飛索半導體（Spansion）簽訂合作協(xié)議與交叉授權(quán)發(fā)展 3D NAND Flash 技術(shù)，調(diào)研機構(gòu)曾預(yù)估，武漢新芯將在 2017 年底或 2018 年初推出 3D-NAND Flash 的產(chǎn)品來切入閃存儲存產(chǎn)業(yè)，透過盡早導入新技術(shù)的方式，縮短與現(xiàn)今國際 NAND Flash 大廠的差距。
官方稱，武漢新芯存儲器基地項目建成后，可帶動設(shè)計、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展，集合已經(jīng)在光谷地區(qū)形成規(guī)模的顯示產(chǎn)業(yè)（天馬、華星光電）、智能手機產(chǎn)業(yè)（華為、聯(lián)想、富士康），打造萬億級的芯片─顯示─智能手機全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系。
武漢新芯與紫光成立長江存儲
2016年7月26日，長江存儲科技有限責任公司正式成立，武漢新芯將成為長江存儲的全資子公司，而紫光集團則是參與長江存儲的二期出資。半導體行業(yè)人士認為，長江存儲的成立將為后續(xù)中國布局自主性存儲器產(chǎn)業(yè)帶來進展，利于整合國家資源，提高項目成功率。
據(jù)武漢新芯介紹，長江存儲的注冊資本分兩期出資。一期由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）和武漢新芯股東湖北省科技投資集團有限公司共同出資，在武漢新芯集成電路制造有限公司（即“武漢新芯”）的基礎(chǔ)上建立長江存儲。二期將由紫光集團和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司共同出資。
紫光集團董事長趙偉國出任長江存儲董事長，副董事長分別由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司總經(jīng)理丁文武和湖北省長江經(jīng)濟帶產(chǎn)業(yè)基金公司副總經(jīng)理楊道虹出任，武漢新芯董事長王繼增為長江存儲監(jiān)事長，武漢新芯CEO楊士寧任總經(jīng)理。至此，國家存儲器基地項目的實施主體公司正式搭建完成。
存儲器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，亦是最大宗的集成電路產(chǎn)品，同時還是我國進口金額最大的集成電路產(chǎn)品。
據(jù)介紹，按照國家存儲器基地項目規(guī)劃，長江存儲的主要產(chǎn)品為3D NAND，將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體，預(yù)計到2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬片的產(chǎn)能。
兆易創(chuàng)新買下憶正武漢SSD廠
2016年9月，業(yè)界領(lǐng)先的存儲器和控制器供應(yīng)商兆易創(chuàng)新 （Gigadevice）上市剛滿一月便閃電停牌籌劃重組。業(yè)內(nèi)傳出消息，兆易創(chuàng)新日前買下固態(tài)硬盤（SSD）供應(yīng)商憶正科技位于武漢的廠房，開啟并購之路。
當前世界中，有三家供應(yīng)商憑借SPI NOR Flash在消費應(yīng)用領(lǐng)域中取得了成功，兆易位列其一，另外兩家是臺灣的旺宏和華邦，這三家公司合計占有SPI NOR Flash出貨量80%以上。由于兆易的迅速崛起，給臺系廠商造成了不小的壓力。
兆易創(chuàng)新是SPI NOR FLASH領(lǐng)域全球最大的fabless供應(yīng)商，成立于2005年4月，總部設(shè)于中國北京，在中國大陸、臺灣、韓國、美國、日本、英國等多個國家和地區(qū)設(shè)有分支機構(gòu)。
由于兆易創(chuàng)新是純NOR Flash芯片設(shè)計公司，長期委由中芯國際代工，近年來兆易創(chuàng)新也在擴大多元化的晶圓代工來源，開始與華力微電子、武漢新芯接洽，展開NOR Flash芯片代工的業(yè)務(wù)。
憶正科技位于武漢的工廠前身是SSD研發(fā)中心與組裝廠。憶正科技原本是工業(yè)和軍用SSD供應(yīng)商，一直是eMMC控制芯片供應(yīng)商，但看好看好未來智能手機以及平板電腦內(nèi)建的儲存規(guī)格將從eMMC轉(zhuǎn)到eMCP上，同時也看好印度、非洲等新興智能手機市場。于2015年將eMCP模組視為重點產(chǎn)品，更積極鞏固eMCP當中的DRAM芯片貨源，與美光、東芝等存儲器大廠在NAND Flash上都有技術(shù)合作，可獲得穩(wěn)定的存儲芯片貨源，同時美光也是股東之一。正是出于以上因素，憶正科技決定出脫位于武漢的工廠和團隊。
武岳峰資本7.3億美元收購 ISSI
2015年6月，美國Integrated Silicon Solution公司（ISSI）宣布，該公司股東就“中國投資公司武岳峰資本（Uphill Investment）收購ISSI”達成協(xié)議。武岳峰將以23美元/股的價格現(xiàn)金收購ISSI的股份。
武岳峰資本此次對芯成半導體的收購可謂一波三折。2015年3月12日宣布與芯成半導體達成約束性收購協(xié)議，收購價格為每股19.25美元，總價格約為6.395億美元，并預(yù)計交易將在第三季度完成。但很快就引來了攪局者。5月13日，Cypress宣布以每股19.75美元非約束性要約收購芯成;16天后，武岳峰資本與芯成簽訂了補充協(xié)議，將收購價格上調(diào)為至每股20美元;Cypress立即宣布將收購價格提升至每股20.25美元。6月18日，Cypress又將收購價格提升至每股21.25美元，武岳峰資本旋即于6月19日將價格提至22美元;Cypress很快又加價至22.25美元，武岳峰資本23日跟進提價至23美元。
武岳峰資本之所以受到如此重視，形成與Cypress競相加價的局面，與ISSI的主營業(yè)務(wù)有關(guān)。資料顯示，ISSI以設(shè)計與銷售SRAM、中低密度DRAM、EEPROM等集成電路產(chǎn)品為主，應(yīng)用范疇多在汽車、工業(yè)、醫(yī)療、網(wǎng)路、行動通訊、電子消費產(chǎn)品，ISSI主要致力于95納米與65納米產(chǎn)品設(shè)計與研發(fā)。
拼產(chǎn)能：中國存儲三大勢力成形
中國發(fā)展存儲成三路進擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動。
紫光集團先前欲并購美光、與 SK 海力士談授權(quán)最后都無疾而終，最終與獲得中國存儲統(tǒng)籌資源的武漢新芯合并，進一步成立長江存儲公司，由紫光董事長趙偉國兼任長江存儲董事長，大基金總經(jīng)理丁文武出任副董事長，并由原武漢新芯CEO楊士寧出任總經(jīng)理負責 NAND Flash 擘劃，轉(zhuǎn)戰(zhàn)紫光的前華亞科董事長則任長江存儲營運長重起爐灶籌備 DRAM建廠。
武漢新芯存儲基地已在 2016 年 3 月底動土，根據(jù)先前取得的消息，新的存儲基地將分三期，總規(guī)劃面積約 100 萬平方米，一期于 8 月開工、預(yù)計 2018 年建設(shè)完成，月產(chǎn)能約 20 萬片，而官方目標到 2020 年基地總產(chǎn)能達 30 萬片/月、2030 年來到 100 萬片/月。第一步已與 NOR 內(nèi)存廠商飛索半導體（Spansion）簽訂技術(shù)授權(quán)，從 3D NAND Flash 下手，并預(yù)計 2017 有能力推出 32 層堆疊、2018 年推出 48 層堆疊 3D NAND Flash。在 DRAM 進展上與美光洽談技術(shù)授權(quán)還未有眉目，也有消息指出，高啟全正招兵買馬透過人脈挖角中國臺灣地區(qū) DRAM 相關(guān)人才，或為建廠做準備。
在 DRAM 進展有較大突破的為福建后起勢力，福建省政府在 5 月宣布，所投資的晉華集成與聯(lián)電簽訂技術(shù)合作協(xié)定，由聯(lián)電接受晉華委托開發(fā) DRAM 相關(guān)制程技術(shù)，生產(chǎn)利基型 DRAM，團隊由瑞晶、美光臺灣前總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤領(lǐng)軍，在 7 月 12 寸廠建廠奠基的同時，已在中國臺灣地區(qū)的南科建立小型試產(chǎn)線，據(jù)了解初期將導入 32 納米，但最終目標其實放在 25 納米以下制程，以求與其他 DRAM 大廠不致有太大落差，初步產(chǎn)能規(guī)劃每月 6 萬片，估計 2017 年底完成技術(shù)開發(fā)，2018 年 9 月試產(chǎn)，并在 2019 年以前將產(chǎn)線移轉(zhuǎn)至福建新廠。
而合肥欲起的 DRAM 勢力在前爾必達社長坂本幸雄淡出合肥后，由中國本土 NOR Flash 廠商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）與中芯國際前CEO王寧國所主導，目前兆易創(chuàng)新將與武岳峰等中國基金并購的美國 DRAM 廠 ISSI 合并，成為長江存儲后，另一家 DRAM/NAND Flash 發(fā)展兼具的內(nèi)存廠商。
除了三廠競逐成為焦點，團隊主導人也頗有淵源，主導合肥團隊的王寧國與長江存儲總經(jīng)理楊士寧同樣出身中芯國際，先前兩派人馬在中芯斗爭多年甚至躍上新聞版面，如今再度碰頭；而現(xiàn)任長江存儲營運長的高啟全與聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤，相繼待過華亞科、美光體系，中國內(nèi)存爭戰(zhàn)熟人相爭就看誰能帶領(lǐng)團隊率先出線。
中國存儲芯片發(fā)展現(xiàn)狀
Memory 是 IC 領(lǐng)域最重要的一個領(lǐng)域。目前，這一領(lǐng)域由于其極高的技術(shù)壁壘和資本壁壘，在全球形成了極強的寡頭壟斷，三四家廠商壟斷了全球 90%以上的市場。
近幾年，Memory 產(chǎn)品受益于移動智能終端快速滲透，帶來對產(chǎn)品需求的高速增長，過去三年復合增長率 18%，遠高于半導體行業(yè)整體 7%的增長速度，成為整個半導體產(chǎn)業(yè)增長的主要推動力。
未來幾年全球 Memory 市場仍有望保持快速增長。1）個人電腦與手機等移動終端的需求旺盛，拉動了 DRAM 產(chǎn)值的大幅增加。2）智能手機與固態(tài)硬盤（SSD）將成為 NAND Flash最大需求。3）3D NAND Flash 成為存儲芯片的重要增長點。
存儲芯片根據(jù)斷電后所儲存的數(shù)據(jù)是否會丟失，可以分為易失性存儲器（Volatile Memory）和非易失性存儲器（Non-Volatile Memory），其中 DRAM 與 NAND Flash 分別為這兩類存儲器的代表。盡管存儲芯片種類眾多，但從產(chǎn)值構(gòu)成來看， DRAM 與 NAND Flash 已經(jīng)成為存儲芯片產(chǎn)業(yè)的主要構(gòu)成部分。
▲ Memory 產(chǎn)品分類
根據(jù) IHS 的統(tǒng)計，2015 年第三季度三星 DRAM 全球市場占有率達到 45.2%，SK海力士占有率為 27.3%，第三大廠商美光占有率為 20.4%，前三大龍頭合計市占率達到了 93%。在Nand Flash 市場上，2014 年三星市占率為 36.5%，東芝為 31.8%，海力士為 18.9%，美光為 12.8%，前四家廠商幾乎壟斷整個市場。
▲ DRAM 前三家市占率超 90%
▲ Nand Flash 幾乎被四家廠商壟斷
總結(jié)：綜合目前國內(nèi)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀來看，發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，有三條路擺在我們面前：自主研發(fā)、國際并購和兩岸合作。然而有專家指出，兩岸合作解決不了我國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根本性的技術(shù)問題，從自主研發(fā)來看，似乎可以采取研究院所與企業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新的模式。國際并購投入資本很大，在并購的同時，自主研發(fā)必須同步進行。
無論朝哪個方向走，發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)注定沒有捷徑，有行業(yè)人士發(fā)表觀點，中國存儲要做好長期大規(guī)模投入并虧損準備。
京公網(wǎng)安備 11010502049343號