OFweek電子工程網訊：全球手機芯片龍頭高通明年主打的旗艦芯片驍龍830（產品代號為MSM8998）由三星操刀代工，但至今送樣仍少，市場傳出主因產品進度不順，高通后續訂單可能轉回臺積電，為臺積電明年再新增一家十納米重量級客戶，挹注營運動能。
過去高通的最高階旗艦手機芯片主要都由臺積電代工生產，但是，前年由臺積電制造的驍龍810出現過熱問題，一度遭點名恐對今年各家手機品牌廠旗艦機銷售帶來影響。
加上三星去年的旗艦手機Galaxy S6不用高通驍龍810芯片，轉用自家芯片，高通再將今年主推的驍龍820轉單至三星以十四納米制程生產，因而再度拿下三星今年旗艦機種Galaxy S7訂單，高通明年主推的驍龍830則持續由三星以十納米制程生產。
由于高通的驍龍8系列手機芯片一向是三星、宏達電、華碩、小米、索尼（SONY）、ＬＧ等手機品牌廠最高階旗艦機種的首選，就進度來看，驍龍830應該于第四季陸續向客戶端送樣，以便趕上明年第一波新機上市。
只不過，截至目前為止，取得高通驍龍830樣品的手機客戶端家數仍少，因此市場傳出驍龍830進度可能延誤。因為送樣數量仍少，外界曝光的高通的驍龍830芯片資訊也不多，目前僅知搭配了4ＧＢ內存記憶體和高達64ＧＢ的ＵＦＳ快閃記憶體。
由于驍龍830是由三星以十納米制程生產，在進度不順的情況下，市場傳出，高通可能會將后續訂單轉至臺積電生產，比外界預期七納米才會轉回臺積電的進度再早一點。
法人認為，若高通高階旗艦芯片訂單轉回由臺積電生產，將使得臺積電明年新增一家重量級十納米客戶，有利于明年的營運動能。
宣布10nm量產，官方辟謠？
據韓國媒體報道，三星電子在今天宣布10納米制程工藝芯片將正式投入量產。這也讓三星成為首家生產10納米制程工藝芯片的廠家。在公告中三星還提到，明年年初他們會正式發布一款10納米制程工藝芯片，不過這款芯片的具體信息還未被提及。
力拼蘋果！三星宣布10nm芯片投入量產
電子時報本月初的時候曾報道過，三星將是高通驍龍830芯片的獨家代工商，這款芯片將會采用10納米工藝制造。而明年三星推出的Galaxy S8，預計也將會搭載驍龍830芯片。
去年11月底的時候，三星在一次展會上率先曝光了自家研發的10nm工藝晶圓，這也是當時產業界首次秀出10nm工藝。這也表明三星在進度上將直接領先于像臺積電這樣的競爭對手或芯片巨頭英特爾。未來三星很有希望成為世界首個使用10nm工藝生產芯片的廠商。
與此同時，蘋果的下一代圖形處理單元A10X有可能會上馬臺積電的10nm工藝制程（A9X、A10都是基于16nm FinFET +工藝制程），之前爆料大神郭明池曾暗示，A10之后的處理器將由臺積電獨家生產。從A10的架構設計看，A10X極有可能延續四核設計，其性能和功耗上將會比上代產品有一定提升。蘋果iPhone 7 A10 Fusion處理器首次使用了四核心設計，而且是兩大兩小的混合架構體系。
臺積電和Intel的10nm還有多久？
在今年七月舉行的股東會議上，TSMC兩大聯席CEO劉德音、魏哲家及CFO何麗梅出席了會議，公布了TSMC公司Q2季度運營及技術發展情況，該公司調高了今年的資本支出到95-105億美元，高于Intel公司的90-100億美元，顯示對未來發展的看好。
他們表示，其10nm工藝已經有三個客戶完成流片，雖然沒公布客戶名稱，但用得起10nm工藝的芯片也就是蘋果A10、聯發科X30（被海思、展訊刺激的聯發科在X30上爆發了）以及海思新一代麒麟處理器，流片的估計就是這三家了。
TSMC表示今年底之前還會有更多客戶的10nm芯片流片，該工藝將在2017年Q1季度量產。
而Intel也在今年8月份的的IDF大會上透露，他們將會提供“10nm技術的關鍵創新亮點”。
不過，Intel對其余內容含糊其辭，沒有談論任何10nm芯片晶體管密度和相關成本的技術細節。
當然了，每當談及新的工藝，Intel總是會提到芯片晶體管的密度和面積比例，包括通過新的技術能夠達到何種高度，以及晶體管本身的主要結構和材料改進等等。
其實在各項投資者會議上，Intel總是有意拿工藝來說事，不是14nm就是10nm，并且總是評估來自不同制造商的技術競爭力如何。
IDF大會上Intel可能也會再次談論一番，并提供技術線路規劃方案，畢竟目前Intel的最大競爭對手是臺積電，此前已經計劃在今年投產10nm技術，號稱明年年初就能過渡到7nm制程。
相比之下，Intel今年已經宣布與10nm技術無緣了，只有等到明年下半年才會生產。與此同時，其7nm工藝的量產可能還要等到10nm亮相三年之后。
如此來看，Intel顯然是“落后”了，但Intel肯定不贊同量產就最先進的說法，而是更多的涉及底層技術。
英特爾：7nm才是對戰關鍵
半導體巨頭間的先進制程競賽持續，然而，昔日的老大哥英特爾在14 納米推進晚了半年，打亂了原本摩爾定律每隔兩年推出新制程的規律，10 納米制程也幾乎注定遭臺積電超車，不過，英特爾財務長Stacy Smith 在本周摩根士丹利2016 年技術會議中強調，7 納米才是技術變革的重要節點，并矢言屆時英特爾將重回摩爾定律！
英特爾10 納米確認延遲到2017 年下半，而臺積電10 納米制程進度估計2016 年第一季設計定案（tape out）、第三季量產，若如期依照制程規劃推進，臺積電將超車英特爾。
不過，英特爾可沒有認輸的意思，在年初摩根士丹利舉辦的技術會議（Morgan Stanley Technology, Media and Telecom Conference 2016 ）英特爾財務長Stacy Smith指出，雖然在14納米與接下來的10納米制程，研發速度都較摩爾定律延遲半年，但Stacy Smith強調，7納米時技術將有重大突破，英特爾預期在7納米重回摩爾定律兩年的制程轉換周期。
Stacy Smith透露，英特爾在14納米使用多重曝光微影（multiple patterning）技術已遇到瓶頸，向下難以再縮小芯片線寬，外界認為英特爾在7納米將采用極光微影技術（Extreme Ultraviolet， EUV），但是否在10納米就提前用上，Stacy Smith僅低調表示目前沒有規劃。而英特爾也試圖用氮化鎵（Gallium Nitride）等新材料取代矽，使芯片有更好的導電與處理效果。
一直以來，英特爾不只為摩爾定律（Moore's Law）的提出者，同時也是遵循者，依循摩爾定律芯片上的晶體管數量每18 個月增加一倍，性能也隨之提升一倍的速度發展，并衍伸出「Tick-Tock 」鐘擺策略做為產品推出的圭臬，兩年一循環，一年推出「Tick 滴」發表新制程產品，再一年為「Tock 答」 在Tick 的基礎上做架構更新，然而，這樣的公式，在14 納米被打破。
英特爾延遲半年，才在2014 年9 月發表第一顆14 納米Broadwell 產品，在2015 年基于14 納米制程推出Skylake 架構處理器產品后，再來理應推出10 納米產品，然而，英特爾CEO 科再奇（Brian Krzanich）在2015 年7 月電話會議中宣布，2017 年要推出第三款14 納米處理器Kaby Lake，原定的10 納米產品Cannolake 確定延至2017 年下半，臺積電及三星則分別預期在2016 年第三與第四季量產10 納米，英特爾幾乎注定在10 納米之戰中敗下陣來，7 納米能否大反攻，重返昔日榮光，就待時間證明。
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