作為AMD最倚重的代工合作伙伴,GlobalFoundries的工藝進展也會影響AMD的CPU/GPU發展。現在GF決定跳過10nm工藝,直接推出性能更強的7nm FinFET工藝,但在進度上,業界普遍認為GlobalFoundries速度要比三星、TSMC以及Intel更慢,他們2019年才會推出12nm FD-SOI工藝,7nm量產似乎更加遙遠。但是今天GlobalFoundries首次公開7nm工藝進展,預計2018年開始試產,并且已經跟領先的伙伴開始合作了。
GlobalFoundries此前在工藝研發上一直磕磕絆絆,FinFET工藝節點狠心放棄了自研的14nm-XM工藝,直接使用了三星的14nm FinFET授權,今年已經正式量產,為AMD代工了Polaris顯卡,未來還會有Zen架構處理器,總算是穩定下來了,雙方對彼此的合作還挺滿意的,前不久才簽署了未來五年的晶圓供貨協議。
14/16nm工藝之后是10nm節點,TSMC及三星都爭著在今年底或者明年初推出10nm代工服務,Intel明年下半年量產10nm工藝,但GlobalFoundries決定跳過10nm節點,原因我們之前也分析過——相對來說,10nm工藝被認為是14/16nm工藝的優化版,跟20nm工藝那樣偏向低功耗,屬于過渡節點,而GlobalFoundries自己也經不起折騰,索性跳過這一節點,直接殺向未來高性能的7nm節點。
問題是GlobalFoundries的7nm何時問世,畢竟TSMC和三星在7nm節點上也進展很快,雙方都搶著在2018年推出新工藝,TSMC更是自信滿滿,認為自家7nm工藝在性能、功耗及核心面積上都要超過友商。現在GlobalFoundries官方總算透露了一點口風,表示將在紐約州的薩拉托加Fab 8工廠研發7nm工藝,預計2018年風險試產。
GlobalFoundries還公布了7nm工藝的具體性能——與目前的16/14nm FinFET工藝相比,7nm工藝將帶來兩倍的晶體管密度提升,性能提升30%或者功耗降低60%。此外,GlobalFoundries表示7nm工藝可以再利用相當多的14nm半導體制造設備,還會繼續使用目前的光刻機,不過保留未來使用EUV光刻機的能力——EUV工藝預計會在5nm節點正式啟用。
雖然2018年早些時候才會試產,不過2017年下半年客戶就能開始產品設計了,這進度還是挺快的,只不過最終產品問世還要等很久,流片成功之后通常也會有一年半載時間才能上市,也就是2019年才有可能看到7nm產品。
值得注意的是,GlobalFoundries已經跟領先的客戶在Fab 8工廠合作7nm芯片原型了——雖然他們沒公布是誰,但能跟GF合作最親密的就是AMD了,早前也有消息爆料稱AMD在準備7nm工藝的下一代服務器芯片,代號“星河艦隊”(starship),48核96線程,比目前的Naples那不勒斯更強大。