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國產(chǎn)光通信芯片:華為海思的下一個大戰(zhàn)場

責(zé)任編輯:editor004 |來源:企業(yè)網(wǎng)D1Net  2016-05-03 11:21:39 本文摘自:國際電子商情

公開數(shù)據(jù)顯示,2015年光通信芯片市場增長4%,未來5年的復(fù)合年增長率達(dá)8%,到2018年,光芯片及其封裝器件市場將達(dá)到105億美元。

光傳輸市場仍然是其最大的市場,數(shù)據(jù)中心市場增長最快,將以22%的復(fù)合年增長率增長,2018年將達(dá)45億美元,此外,光接入市場需求趨于平穩(wěn),年需求維持在10億美元。

光器件及芯片是光通信企業(yè)最核心的技術(shù)競爭力,尤其以光通信芯片為最。而我國光器件及芯片企業(yè)整體實力較弱,產(chǎn)品主要集中在中低端領(lǐng)域,在10G以上速率的有源器件和100G光模塊等高端領(lǐng)域也才逐漸有所突破。例如索爾思光電的100Gb/s QSFP28收發(fā)模塊具性能和成本優(yōu)勢,易飛揚(yáng)100GQSFP28光模塊研發(fā)成功,100GCFP-LR4光模塊正式商業(yè)化。

但在芯片層面仍然主要依賴國外芯片廠商。隨著企業(yè)并購的不斷發(fā)生,在并購中掌握話語權(quán)的國際廠商一旦收緊芯片供應(yīng),恐將給沒有核心芯片技術(shù)的國內(nèi)器件、模塊廠商帶來元器件斷貨的風(fēng)險,無疑,國內(nèi)自主芯片研發(fā)的推進(jìn)將有助于降低這一風(fēng)險。

在國內(nèi)光通信產(chǎn)業(yè)中也涌現(xiàn)了一批具有自主研發(fā)能力的企業(yè)。例如華為海思、中興、海信、烽火通信、廈門優(yōu)訊等。光迅科技是國內(nèi)唯一量產(chǎn)10G以下DFB、APD芯片的廠,也是國內(nèi)唯一具備自主研發(fā)全系列PLC芯片并規(guī)模生產(chǎn)的廠商。光迅科技有能力出貨8000萬芯片/年。其芯片的自給率達(dá)到95%左右,但芯片大多是低端自產(chǎn),高端芯片正力求突破。高端芯片上,在云計算、數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用需求持續(xù)增長的當(dāng)下,100G漸成標(biāo)配。國內(nèi),華為海思掌握了100G光模塊芯片技術(shù)。最近光迅推出了120G CXP模塊和100G QSFP28 SR4模塊。不久,其自主研發(fā)的10G VCSEL陣列芯片也將應(yīng)用于這類產(chǎn)品中,這是在國內(nèi)首次實現(xiàn)100G速率光模塊的芯片國產(chǎn)化。

值得一提的是,目前,奇芯光電研制的光子集成芯片已進(jìn)入測試階段,投產(chǎn)后將廣泛應(yīng)用于光電子信息行業(yè)。由我國自主研發(fā)的光子集成芯片,被視為對傳統(tǒng)集成電路的“彎道超車”,推動我國在光電子集成電路領(lǐng)域的發(fā)展。

芯片間或者芯片內(nèi)部的通訊傳輸可通過硅光子代替電子,達(dá)到更高的傳輸速率。目前國外廠商掌握著硅光子先進(jìn)技術(shù),國內(nèi)廠商保持跟進(jìn)。

去年,IBM研究院宣布,首次完成設(shè)計與測試完全整合的波長多工硅光子芯片,而且很快就可用于100Gb/s的光收發(fā)器的生產(chǎn),未來將可讓資料中心有更高的資料傳輸率及頻寬,以因應(yīng)云端運(yùn)算及大資料應(yīng)用的需求。

硅光子技術(shù)使用小型的光元件傳送光脈沖,可在服務(wù)器芯片、大型資料中心及超級電腦的芯片之間以極高的速率傳送大量資料,突破資料流量阻塞及傳統(tǒng)昂貴的網(wǎng)路互連技術(shù)的限制,大幅降低系統(tǒng)內(nèi)及運(yùn)算元件間的資料傳輸瓶頸,提升回應(yīng)時間。IBM突破性的發(fā)展則運(yùn)用100納米以下的半導(dǎo)體技術(shù),在單一晶片上整合光元件與電子回路。

華為已于較早前收購比利時硅光子公司Caliopa,還收購了英國光子集成公司CIP。而光迅在硅光子關(guān)鍵技術(shù)和實用化探索上積極布局,隨著其綜合實力逐漸增強(qiáng),以及國家集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持,必將加快推進(jìn)硅光子項目。

從無線通訊方面來看,6G/10G光模塊是4G基站和4G傳輸設(shè)備中的核心部件,其中基站內(nèi)傳輸主要為6G及以下光模塊,基站間傳輸主要采用10G光模塊。無線通訊的發(fā)展勢必為光模塊行業(yè)帶來新的增長動力。

國內(nèi)市場,光迅科技在4G LTE部分占到60%份額。隨著5G發(fā)展的加速,光迅認(rèn)為25G的光電芯片在未來將會成為主流配置。這較10G時代又更近一步,10G是未來的基本配置。預(yù)計,5G的數(shù)據(jù)傳輸速度將是4G的40倍,5G對光模塊的需求量將會遠(yuǎn)超過4G的需求量。

業(yè)內(nèi)預(yù)測2016年中國運(yùn)營商在4G、固網(wǎng)寬帶的競爭日趨白熱化的同時,在無線網(wǎng)、接入網(wǎng)投入將超預(yù)期,光通信投資同比將超過30%。近期中國聯(lián)通發(fā)布LTE FDD三期采集招標(biāo)公告,采購規(guī)模為46.9萬個基站,將運(yùn)營商4G 競爭推向更高潮。

據(jù)預(yù)測,很快我們將看到5G在2018年韓國冬奧會和2020年日本夏奧會這兩項賽事上進(jìn)行演示。隨著5G通信的到來,留給光通信廠商的5G市場空間必將更加廣闊。

關(guān)鍵字:光子集成LTE海思

本文摘自:國際電子商情

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國產(chǎn)光通信芯片:華為海思的下一個大戰(zhàn)場

責(zé)任編輯:editor004 |來源:企業(yè)網(wǎng)D1Net  2016-05-03 11:21:39 本文摘自:國際電子商情

公開數(shù)據(jù)顯示,2015年光通信芯片市場增長4%,未來5年的復(fù)合年增長率達(dá)8%,到2018年,光芯片及其封裝器件市場將達(dá)到105億美元。

光傳輸市場仍然是其最大的市場,數(shù)據(jù)中心市場增長最快,將以22%的復(fù)合年增長率增長,2018年將達(dá)45億美元,此外,光接入市場需求趨于平穩(wěn),年需求維持在10億美元。

光器件及芯片是光通信企業(yè)最核心的技術(shù)競爭力,尤其以光通信芯片為最。而我國光器件及芯片企業(yè)整體實力較弱,產(chǎn)品主要集中在中低端領(lǐng)域,在10G以上速率的有源器件和100G光模塊等高端領(lǐng)域也才逐漸有所突破。例如索爾思光電的100Gb/s QSFP28收發(fā)模塊具性能和成本優(yōu)勢,易飛揚(yáng)100GQSFP28光模塊研發(fā)成功,100GCFP-LR4光模塊正式商業(yè)化。

但在芯片層面仍然主要依賴國外芯片廠商。隨著企業(yè)并購的不斷發(fā)生,在并購中掌握話語權(quán)的國際廠商一旦收緊芯片供應(yīng),恐將給沒有核心芯片技術(shù)的國內(nèi)器件、模塊廠商帶來元器件斷貨的風(fēng)險,無疑,國內(nèi)自主芯片研發(fā)的推進(jìn)將有助于降低這一風(fēng)險。

在國內(nèi)光通信產(chǎn)業(yè)中也涌現(xiàn)了一批具有自主研發(fā)能力的企業(yè)。例如華為海思、中興、海信、烽火通信、廈門優(yōu)訊等。光迅科技是國內(nèi)唯一量產(chǎn)10G以下DFB、APD芯片的廠,也是國內(nèi)唯一具備自主研發(fā)全系列PLC芯片并規(guī)模生產(chǎn)的廠商。光迅科技有能力出貨8000萬芯片/年。其芯片的自給率達(dá)到95%左右,但芯片大多是低端自產(chǎn),高端芯片正力求突破。高端芯片上,在云計算、數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用需求持續(xù)增長的當(dāng)下,100G漸成標(biāo)配。國內(nèi),華為海思掌握了100G光模塊芯片技術(shù)。最近光迅推出了120G CXP模塊和100G QSFP28 SR4模塊。不久,其自主研發(fā)的10G VCSEL陣列芯片也將應(yīng)用于這類產(chǎn)品中,這是在國內(nèi)首次實現(xiàn)100G速率光模塊的芯片國產(chǎn)化。

值得一提的是,目前,奇芯光電研制的光子集成芯片已進(jìn)入測試階段,投產(chǎn)后將廣泛應(yīng)用于光電子信息行業(yè)。由我國自主研發(fā)的光子集成芯片,被視為對傳統(tǒng)集成電路的“彎道超車”,推動我國在光電子集成電路領(lǐng)域的發(fā)展。

芯片間或者芯片內(nèi)部的通訊傳輸可通過硅光子代替電子,達(dá)到更高的傳輸速率。目前國外廠商掌握著硅光子先進(jìn)技術(shù),國內(nèi)廠商保持跟進(jìn)。

去年,IBM研究院宣布,首次完成設(shè)計與測試完全整合的波長多工硅光子芯片,而且很快就可用于100Gb/s的光收發(fā)器的生產(chǎn),未來將可讓資料中心有更高的資料傳輸率及頻寬,以因應(yīng)云端運(yùn)算及大資料應(yīng)用的需求。

硅光子技術(shù)使用小型的光元件傳送光脈沖,可在服務(wù)器芯片、大型資料中心及超級電腦的芯片之間以極高的速率傳送大量資料,突破資料流量阻塞及傳統(tǒng)昂貴的網(wǎng)路互連技術(shù)的限制,大幅降低系統(tǒng)內(nèi)及運(yùn)算元件間的資料傳輸瓶頸,提升回應(yīng)時間。IBM突破性的發(fā)展則運(yùn)用100納米以下的半導(dǎo)體技術(shù),在單一晶片上整合光元件與電子回路。

華為已于較早前收購比利時硅光子公司Caliopa,還收購了英國光子集成公司CIP。而光迅在硅光子關(guān)鍵技術(shù)和實用化探索上積極布局,隨著其綜合實力逐漸增強(qiáng),以及國家集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持,必將加快推進(jìn)硅光子項目。

從無線通訊方面來看,6G/10G光模塊是4G基站和4G傳輸設(shè)備中的核心部件,其中基站內(nèi)傳輸主要為6G及以下光模塊,基站間傳輸主要采用10G光模塊。無線通訊的發(fā)展勢必為光模塊行業(yè)帶來新的增長動力。

國內(nèi)市場,光迅科技在4G LTE部分占到60%份額。隨著5G發(fā)展的加速,光迅認(rèn)為25G的光電芯片在未來將會成為主流配置。這較10G時代又更近一步,10G是未來的基本配置。預(yù)計,5G的數(shù)據(jù)傳輸速度將是4G的40倍,5G對光模塊的需求量將會遠(yuǎn)超過4G的需求量。

業(yè)內(nèi)預(yù)測2016年中國運(yùn)營商在4G、固網(wǎng)寬帶的競爭日趨白熱化的同時,在無線網(wǎng)、接入網(wǎng)投入將超預(yù)期,光通信投資同比將超過30%。近期中國聯(lián)通發(fā)布LTE FDD三期采集招標(biāo)公告,采購規(guī)模為46.9萬個基站,將運(yùn)營商4G 競爭推向更高潮。

據(jù)預(yù)測,很快我們將看到5G在2018年韓國冬奧會和2020年日本夏奧會這兩項賽事上進(jìn)行演示。隨著5G通信的到來,留給光通信廠商的5G市場空間必將更加廣闊。

關(guān)鍵字:光子集成LTE海思

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