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中芯國(guó)際面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)

據(jù)中芯國(guó)際發(fā)布的財(cái)報(bào)，2015年其銷售額達(dá)到22.37億美元，年增長(zhǎng)率達(dá)到13.53%，凈利潤(rùn)為2.53億美元，凈利潤(rùn)率達(dá)到11.33%，兩項(xiàng)指標(biāo)均為其歷史新高，那么中芯國(guó)際取得如此好的業(yè)績(jī)又面臨著那些機(jī)遇和挑戰(zhàn)呢？

中國(guó)發(fā)展到今天由于人工成本的快速上升已經(jīng)難以繼續(xù)靠勞動(dòng)密集型產(chǎn)業(yè)推動(dòng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展，因此中國(guó)早已推出了中國(guó)制造向中國(guó)創(chuàng)造轉(zhuǎn)型的戰(zhàn)略，新一屆政府上臺(tái)后推出了《中國(guó)制造2025》戰(zhàn)略，希望推動(dòng)中國(guó)制造往高端制造業(yè)發(fā)展，而芯片是制造業(yè)的基礎(chǔ)，尤其是信息技術(shù)安全的基礎(chǔ)，因此中國(guó)發(fā)起了200億美元的集成電路產(chǎn)業(yè)基金推動(dòng)中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

中芯國(guó)際是國(guó)內(nèi)最大、技術(shù)最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造廠，因此成為集成電路產(chǎn)業(yè)基金扶持的重點(diǎn)對(duì)象，去年初中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金投資中芯國(guó)際30億港元，有力緩解了中芯國(guó)際的資金緊張情況，去年中芯國(guó)際規(guī)劃新一條12寸半導(dǎo)體生產(chǎn)線，進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。

由于大陸對(duì)高通的反壟斷調(diào)查，高通為了獲得大陸的支持因此在2014年7月與中芯國(guó)際達(dá)成合作開(kāi)發(fā)28nm工藝并由中芯國(guó)際生產(chǎn)其驍龍410芯片。高通是全球最大的手機(jī)芯片企業(yè)，其在開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體制造工藝方面有豐富的經(jīng)驗(yàn)，一直以來(lái)高通都是臺(tái)積電的最大客戶并與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)最新工藝，只是到2014年臺(tái)積電獲得了蘋(píng)果A8處理器的代工訂單后優(yōu)先照顧蘋(píng)果導(dǎo)致高通出走。

在高通的幫助下中芯國(guó)際于去年中成功量產(chǎn)28nm PolySion工藝，今年初中芯國(guó)際進(jìn)一步將該工藝升級(jí)到28nm HKMG工藝，這為中芯國(guó)際開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的14/16nm FinFET工藝打下了良好的基礎(chǔ)。去年6月中芯國(guó)際、華為、高通和比利時(shí)微電子研究中心共同合作投資開(kāi)發(fā)14nm FinFET工藝，預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)，這將快速拉近與國(guó)外半導(dǎo)體制造廠的工藝差距。

中國(guó)市場(chǎng)已成為全球最大的芯片采購(gòu)地，約采購(gòu)了全球半數(shù)的芯片，據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)2015年中國(guó)市場(chǎng)的芯片銷售額增長(zhǎng)7.7%為全球銷售額唯一增長(zhǎng)經(jīng)濟(jì)體，而全球芯片銷售額微幅下跌。

據(jù)IC insights的數(shù)據(jù)中國(guó)的華為海思、展訊已成為全球全球第六、第十的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，此外還有瑞芯微、聯(lián)芯等眾多芯片企業(yè)，中國(guó)也正在積極推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，在這樣的情況下半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電紛紛到大陸設(shè)廠以爭(zhēng)取大陸的訂單。中芯國(guó)際作為大陸的半導(dǎo)體代工廠自然是近水樓臺(tái)先得月。

中芯國(guó)際的業(yè)績(jī)報(bào)告中顯示，2015年四季度來(lái)自中國(guó)和歐洲市場(chǎng)的營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng)，其中大陸市場(chǎng)的營(yíng)收增長(zhǎng)率超過(guò)25%，在大陸市場(chǎng)營(yíng)收增長(zhǎng)的推動(dòng)下實(shí)現(xiàn)全年?duì)I收增長(zhǎng)13.53%，是去年前四大半導(dǎo)體代工廠中增長(zhǎng)率最高的。

在生產(chǎn)工藝方面落后于其他半導(dǎo)體代工廠。三星、臺(tái)積電目前的工藝已經(jīng)發(fā)展到14/16nm，并且兩家都爭(zhēng)取今年內(nèi)量產(chǎn)10nm工藝，聯(lián)電預(yù)計(jì)今年也將量產(chǎn)14nm FinFET工藝，這幾家半導(dǎo)體代工廠紛紛引入更先進(jìn)的工藝讓中芯國(guó)際面臨競(jìng)爭(zhēng)壓力。華為海思已在采用臺(tái)積電的16nmFF+工藝生產(chǎn)麒麟950，而展訊也宣布采用臺(tái)積電的16nmFF+生產(chǎn)其首款八核處理器。

為就近服務(wù)大陸的客戶，聯(lián)電今年底在大陸投產(chǎn)的廈門聯(lián)芯半導(dǎo)體引入28nm工藝（因?yàn)橹袊?guó)臺(tái)灣當(dāng)局要求聯(lián)電要在大陸量產(chǎn)的工藝要落后臺(tái)灣本地一代），聯(lián)電早在2013年就宣布與IBM合作開(kāi)發(fā)10nm工藝，如果10nm工藝量產(chǎn)不排除其也將在廈門聯(lián)芯今年量產(chǎn)的14nmFinFET工藝。全球最大的半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電已經(jīng)獲得了中國(guó)臺(tái)灣當(dāng)局的批準(zhǔn)，將在南京投資30億美元建設(shè)12寸半導(dǎo)體代工廠，預(yù)計(jì)將在2018年投入生產(chǎn)，將采用16nmFinFET工藝（臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年底量產(chǎn)10nm工藝因此可以在大陸引入16nmFinFET工藝）。

聯(lián)電和臺(tái)積電在大陸引入先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝無(wú)疑對(duì)中芯國(guó)際希望借助地利優(yōu)勢(shì)吸引大陸客戶的策略受到嚴(yán)重的挑戰(zhàn)。

面對(duì)聯(lián)電和臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)中芯國(guó)際也在積極應(yīng)對(duì)。近幾年大陸的芯片企業(yè)紛紛前往臺(tái)灣獵挖人才，中芯國(guó)際最近據(jù)說(shuō)也尋得聯(lián)電的資深副總徐建華加盟，徐建華在聯(lián)電資歷深厚如果獲得他的加盟無(wú)疑將能在臺(tái)灣挖到更多的半導(dǎo)體制造人才，加上中芯國(guó)際有望獲得集成電路基金的持續(xù)扶持，幫助中芯國(guó)際加速其14nmFinFET工藝的開(kāi)發(fā)。