2015年匆匆將過，在這一年中全球半導體業(yè)發(fā)生了許多故事，哪些值得我們?nèi)セ仡櫍?/p>
預測大修正
年初時眾多市場分析公司預測今年半導體業(yè)增長在3%-7%，然而時至年底紛紛都調(diào)低至持平，或稍有下降。
業(yè)界有興趣探個究竟為什么？三句話：終端弱，美元強以及中國緩。
Fabless下降
市場研究機構IC Insights的最新預測，2015年全球芯片供貨商排行榜上，將出現(xiàn)25年以來第二次芯片制造商IDM表現(xiàn)勝過無晶圓廠fabless的情形。
根據(jù)IC Insight于12月的數(shù)據(jù)，今年全球Top 10 fabless的總營收預料將下滑5%至589.19億美元，大部分都是受到高通的fabless營收下降20%的影響，它由2014年的200億美元至今年的160億美元。需要說明高通的營收有兩部分組成，除了fabless之外，還有占其營收1/3強的授權費用所得。IC Insights指出，高通營收驟降，表面上看是因為三星決定改采用自家的Exynos系列處理器、不再向高通下訂單，實際上反映一個趨勢，那些系統(tǒng)制造商如蘋果，三星，華為等為了增強產(chǎn)品的差異化，紛紛都自行研發(fā)處理器芯片。
另外，fabless排名第三的聯(lián)發(fā)科今年營收也料將萎縮8%至65.04億美元。
并預測2015年全球fabless銷售額將下降5%，為799億美元，相比去年為841億美元。
兼并再次加劇
根據(jù)研究公司Dealogic統(tǒng)計，2015年到12月中旬為止半導體業(yè)并購交易規(guī)模已突破1，200億美元，創(chuàng)下歷年來的最高紀錄。交易金額已達到去年全年的4倍以上。
自1972以來全球前十大半導體公司的市場份額一直保持在一定水平內(nèi)，但今年大公司之間的強強聯(lián)合以及近似瘋狂的并購，打破了這一規(guī)律。2015年，全球前十大半導體公司的市場份額比前42年的最高點上升了3%。有觀點稱，按照這樣的節(jié)奏下去，到2020年全球半導體公司就會“大一統(tǒng)”了，大家都為一家公司工作。這種說法顯然有些夸張，但不可否認的是，今年的半導體企業(yè)并購不同尋常，可能絕非是終點。
代工競爭更加激烈
總體上2015年對于代工業(yè)是一個挑戰(zhàn)之年，可能會有適中的增長。基于先進制程的代工的客戶群進一步兼并減少，以及由于成品率問題全球代工在16/14nm finfet工藝上可能會停留更久。
從先進制程技術，大部分代工制造商都進入一個新階段，如格羅方德，三星及臺積電都己能由傳統(tǒng)的平面工藝，28nm，或20nm過渡到16nm/14nm的finFET工藝，而英特爾己經(jīng)開始進入14nm的第二代finFET工藝量產(chǎn)。代工制造商期望在2016年底能開始10nm的試產(chǎn)。
盡管業(yè)界已經(jīng)采用finFET工藝，但是先進工藝制程的平面CMOS市場仍相當有活力，實際上28nm仍是目前眾多應用市場的佳品。2015年就單個28nm節(jié)點可能產(chǎn)出10.0B美元的代工銷售額。
一個不爭的事實，無論是芯片制造商，或是它的代工伙伴，只要能進入蘋果的供應鏈就一定興旺，因為蘋果的訂單量大有保障。 未來非常可能首先是在先進制程代工中開始兼并，同時另一方面代工制造商會開始兼并200mm的產(chǎn)能。
2015年全球純代工銷售額可能增長不到10%，而去年為421億美元。
先進制程步伐不停
盡管全球半導體業(yè)增長的步伐減緩，但是從先進制程方面沒有停步，反而加快。英特爾，三星及臺積電三足鼎立，并領先于全球的態(tài)勢越來越突出。
它們在突破16nm/14nm制程的同時，英特爾，三星與臺積電同樣分別開發(fā)10nm finFET制程。并期望在2016年底能開始10nm的試產(chǎn)。
Gartner的Wang說，三星與臺積電都在積極地向10nm邁進， 但是看起來在關于10nm的前景方面在臺積電和三星之間有不同的意見。臺積電的觀點認為10nm不會是個長壽命節(jié)點，因為10nm與16nm/14nm相比從速度上才高出25%，不占太大的優(yōu)勢。所以臺積電認為未來7nm可能更持久。而三星有不同的看法，認為與14nm相比，10nm一定會更加成功。
英特爾，三星及臺積電三家在先進工藝制程方面，都在暗中使全力較勁。由于都是基于finFET工藝，買的幾乎是同樣的設備，分析它們幾乎處于同一水平上，至少不存在那家有明顯的優(yōu)勢。
應用材料公司在今年的Semicon Taiwan強調(diào)，半導體產(chǎn)業(yè)的重大技術轉折點，必須依靠材料創(chuàng)新來實現(xiàn)。特別是在目前下一代EUV光刻技術尚未到位，預計要到7納米后才會上線之際，現(xiàn)階段必須透過材料創(chuàng)新與制程進展來實現(xiàn)目標。在晶片上做制程就像“造橋鋪路”一樣，在確保電路夠穩(wěn)固可靠后，必須再加上材料工程進行調(diào)整，才能為客戶提供實現(xiàn)技術轉折點所需的差異化產(chǎn)品與服務。3D NAND預計將在2018年達到100萬片的月產(chǎn)能，提高85%，并隨著層數(shù)從36層增加到48層，帶來50-70%的市場規(guī)模成長。
從目前的進程半導體業(yè)在先進制程方面有可能邁入5納米。
另外三星與意法半導體合作開展研發(fā)的FD-SOI（全耗盡型SOI）工藝開始投片生產(chǎn)28納米芯片，法國半導體公司Soitec SA為其提供SOI基底材料。除意法半導體外，還有其他的客戶進入排片隊伍。
據(jù)報道稱，三星2015年己開始制定多個晶圓代工生產(chǎn)線運營FD SOI計劃，并將在2016年推出可用的物理設計工具包（PDK）以及用戶所需的IP生態(tài)系統(tǒng)。
存儲器表現(xiàn)平平
存儲器是產(chǎn)業(yè)的風向標。因此2015年全球存儲器業(yè)表現(xiàn)平平，據(jù)TrendForce的預測今年存儲器總營收可能僅增加1.8%。
據(jù)IC Insight預測數(shù)據(jù)，2015年全球存儲器業(yè)總營收834億美元，其中DRAM占63%，為525.4億美元，F(xiàn)lash占35%，為292億美元，其中NAND閃存占32%，為267億美元及NOR閃存占3%，為25億美元。
2015年受到需求面不振、持續(xù)供過于求的影響，DRAM價格呈現(xiàn)顯著衰退，尤其以標準型存儲器最為明顯。TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處 DRAMeXchange調(diào)查顯示，在寡占市場型態(tài)下，雖然小幅供過于求且價格持續(xù)下滑，各供應商生產(chǎn)仍保持紀律，未有明顯新增產(chǎn)能，因此延續(xù)2013年與2014年態(tài)勢，今年DRAM各廠仍維持全面獲利。
中國半導體業(yè)的地位節(jié)節(jié)上升
近年來由于中國半導體業(yè)的努力與進步，它的變化己引起全球業(yè)界的關注。如WSTS己經(jīng)將中國半導體業(yè)的數(shù)據(jù)從原先并在亞太地區(qū)中開始單列。并認為導致今年全球半導體業(yè)態(tài)勢轉弱的三個因素中，有一個是由于中國的經(jīng)濟放緩。
另外，全球頂級大廠如三星，英特爾及臺積電等都在中國己建，或者新建最先進制程的12英寸生產(chǎn)線，因此對于中國半導體業(yè)將面臨更激烈的競爭環(huán)境。
近期紫光進行瘋狂的連續(xù)投資入股臺灣地區(qū)的三家封測廠的行動，己引起島內(nèi)的巨大反響。
如中國在傳感器，模擬及分立器件都是全球第一位，依出貨量計，它們分別消費了全球的50%，41%及40%。
而且與全球IC的平均銷售價格ASP相比，中國的IC ASP低16%。
另外，近幾年全球ICT產(chǎn)業(yè)重心快速移向亞洲，中國成長尤其驚人。如2000年時，中國在電子零組件出口全球占比不過2.1%，到2013年已到19.8%，占比已超越臺灣。
十年來，電子零組件出口市場全球占比有了很大的改變，2000年日本第一，占比達14.2%，現(xiàn)在是中國最大。
中國半導體業(yè)正處于大的變革之中，去年大基金的推出是一個重要標志。表面上看大基金似乎解決了企業(yè)的融資難題，實際上更深層次的作用在于要解決一個中國半導體業(yè)迅速向市場化機制過渡的問題。通過獲得資金來提高企業(yè)的競爭實力，而只有在企業(yè)的競爭力提高，獲利能力提升時才有可能向市場化機制過渡，因此大基金可看作是產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的橋梁作用，其最終目的是通過提升企業(yè)的競爭實力，而讓產(chǎn)業(yè)加速向市場化機制過渡。
中國經(jīng)濟增速放緩已經(jīng)影響到整個半導體業(yè)，如果下一步隨著中國半導體業(yè)的實力地位提升，它采用價格下降的策略，那可能將會對于全球半導體業(yè)產(chǎn)生更大的影響。
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