全球半導(dǎo)體業(yè)自2010年增長(zhǎng)32.5%之后，一直小幅徘徊。業(yè)界較為一致的觀點(diǎn)是，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已趨成熟，很難再有兩位數(shù)以上的增長(zhǎng)。然而據(jù)WSTS公布的數(shù)據(jù)，2014年全球半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)達(dá)9.9%，達(dá)到3358億美元，連續(xù)兩年刷新歷史最高紀(jì)錄，讓業(yè)界始料未及。2014年增幅最大的是美洲，增長(zhǎng)12.7％；其次是亞太地區(qū)，增長(zhǎng)11.4％；第三是歐洲，增長(zhǎng)7.4％。
存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。從SIA公布的2014年銷(xiāo)售額可觀的產(chǎn)品看，存儲(chǔ)器產(chǎn)品的銷(xiāo)售額2014年總計(jì)增長(zhǎng)18.2％，達(dá)到792億美元。其中增長(zhǎng)率最高的產(chǎn)品是DRAM，較上年增長(zhǎng)34.7％。另外，功率晶體管增長(zhǎng)16.1％，達(dá)到119億美元；分立器件增長(zhǎng)10.8％，達(dá)到202億美元；模擬器件增長(zhǎng)10.6％，達(dá)到444億美元。
定律還能走多遠(yuǎn)？
主流觀點(diǎn)是產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)轉(zhuǎn)折點(diǎn)時(shí)，每個(gè)晶體管的成本不下降，反而上升。
英特爾對(duì)于產(chǎn)業(yè)的貢獻(xiàn)主要有3個(gè)方面：一是90納米制程時(shí)的SiGe形變硅技術(shù)，二是45納米制程的高k金屬柵（HKMG）技術(shù)，三是22納米制程時(shí)的3D finFET技術(shù)。
眾所周知，推動(dòng)尺寸縮小的根本原因是進(jìn)到下一代工藝制程節(jié)點(diǎn)時(shí)，它們的晶體管制造成本能持續(xù)減少近50%（在功耗幾乎不變的條件下）。但是當(dāng)尺寸縮小到28納米時(shí)出現(xiàn)了不同聲音，業(yè)界的主流觀點(diǎn)認(rèn)為產(chǎn)業(yè)開(kāi)始呈現(xiàn)轉(zhuǎn)折點(diǎn)，由此每個(gè)晶體管的成本沒(méi)有下降，反而上升。由于工藝制程及芯片制造商的不同，對(duì)于28納米時(shí)晶體管成本上升的看法并非一致，如英特爾就認(rèn)為晶體管成本仍能持續(xù)地下降。
但是定律還能走多遠(yuǎn)的問(wèn)題已經(jīng)提上議程。到目前為止，由于EUV光刻設(shè)備的一再推遲，業(yè)界盡可能地把193納米浸液式光刻技術(shù)發(fā)揮至極限。至20納米制程時(shí)，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻已達(dá)極限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)的輔助，導(dǎo)致光刻制造成本急速上升。原本以為至14納米制程節(jié)點(diǎn)時(shí)，光學(xué)方法的尺寸縮小將達(dá)盡頭，但是業(yè)界沒(méi)有喪失信心而越過(guò)了它。如今來(lái)看，產(chǎn)業(yè)界越過(guò)10納米已無(wú)大的障礙，至多增至3次，甚至4次圖形曝光技術(shù)。
英特爾的YanBorodovsky提出報(bào)告認(rèn)為，采用圖形間距的分隔技術(shù)（多次圖形曝光技術(shù)）可能延伸摩爾定律至5納米，并認(rèn)為英特爾在圖形尺寸縮小方面已能彌補(bǔ)光刻成本的增加。另外，在2015年SPIE先進(jìn)光刻技術(shù)年會(huì)上，ASML稱(chēng)臺(tái)積電已在它的NXE 3300B EUV光刻設(shè)備上單天曝光超過(guò)1000個(gè)硅片。這預(yù)示著EUV光刻機(jī)有可能很快步入量產(chǎn)應(yīng)用，即光源功率超過(guò)90瓦在24小時(shí)內(nèi)曝光超過(guò)1022硅片。雖然EUV光刻技術(shù)在不斷進(jìn)步，但是仍有光源、光刻膠及掩膜等問(wèn)題。
三大巨頭工藝制程競(jìng)賽升級(jí)
英特爾、三星及臺(tái)積電在工藝制程競(jìng)賽中呈現(xiàn)勢(shì)均力敵狀態(tài)。
縱觀全球三大巨頭，英特爾、三星及臺(tái)積電在尺寸縮小競(jìng)賽中不干示弱。應(yīng)該承認(rèn)英特爾自22納米finFET開(kāi)始暫時(shí)領(lǐng)先，目前它已是14納米的第二代finFET技術(shù)。
臺(tái)積電則是走了一步獨(dú)特的險(xiǎn)棋，它由20納米制程先過(guò)渡到16納米制程，然后一步躍至10納米。目前關(guān)鍵在于它的16納米finFET制程成本能否具有優(yōu)勢(shì)。根據(jù)業(yè)界消息，臺(tái)積電的中科晶圓廠在2018年年底月產(chǎn)能將達(dá)到9萬(wàn)片，采用10納米節(jié)點(diǎn)或更先進(jìn)工藝技術(shù)。
三星讓業(yè)界刮目相看，出人意料地提前過(guò)了14納米finFET關(guān)。在今年ISSCC會(huì)上，三星已搶在英特爾之前，展示了全球首次的10納米finFET制程。三星今年還推出了14納米的Exynos7420處理器。蘋(píng)果計(jì)劃在它的Mac筆電上用自己設(shè)計(jì)的A10x處理器，A10x將采用10納米finFET制程，預(yù)期能在2016年量產(chǎn)，可能由三星100%接收訂單。
未來(lái)的10納米工藝也會(huì)運(yùn)用到DRAM和3D V-NAND芯片上，三星不會(huì)放棄任何在移動(dòng)領(lǐng)域做存儲(chǔ)霸主的機(jī)會(huì)。三星表示，在2016或2017年之前暫時(shí)可能不會(huì)量產(chǎn)10nm工藝。也就是說(shuō)，首款采用14nm芯片Exynos的智能手機(jī)Galaxy S6，在先進(jìn)工藝方面的優(yōu)勢(shì)可能會(huì)維持兩年。為此，三星投資136億美元的Line 17將于今年6月開(kāi)工。
另外三星在今年ISSCC會(huì)上還曝出驚人消息，它確認(rèn)開(kāi)始3.2nm FinFET工藝的研發(fā)，通過(guò)所謂的EUV遠(yuǎn)紫外光刻技術(shù)、四次圖形曝光技術(shù)和獨(dú)家途徑，實(shí)現(xiàn)工藝更細(xì)微化。三星高調(diào)指出，它將繼續(xù)推進(jìn)至5nm工藝制程，因?yàn)樗麄冋J(rèn)為“根本沒(méi)有困難”，而且進(jìn)一步微細(xì)化也有可能很快實(shí)現(xiàn)。
不管如何，英特爾、三星及臺(tái)積電在工藝制程競(jìng)賽中是一浪高過(guò)一浪，目前的態(tài)勢(shì)是勢(shì)均力敵，都聲稱(chēng)在2017年時(shí)能進(jìn)入10納米制程的量產(chǎn)。而對(duì)于7納米制程，目前具體的工藝技術(shù)路線每家企業(yè)尚不好回答。
未來(lái)增長(zhǎng)持續(xù)強(qiáng)勁
未來(lái)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的主要推手將轉(zhuǎn)向物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)裝置及無(wú)線連接。
盡管摩爾定律逼近極限，近年來(lái)產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的主要推手，如智能手機(jī)及平板電腦的市場(chǎng)需求也顯乏力，但全球半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)仍是持續(xù)強(qiáng)勁，未來(lái)市場(chǎng)的主要推手將轉(zhuǎn)向物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)裝置及無(wú)線連接。
從投資角度來(lái)看，據(jù)VLSI的最新預(yù)測(cè)，全球半導(dǎo)體固定資產(chǎn)投資2015年預(yù)計(jì)達(dá)737億美元，同比增長(zhǎng)3.7%。而且投資的集中度再次提高，排在前7位的占比達(dá)71%，相比2010年僅56%。研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，在2009年~2019年間，受益于物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)裝置及無(wú)線裝置分享數(shù)據(jù)，全球IC的年均復(fù)合增長(zhǎng)率可達(dá)4.1%，并預(yù)測(cè)2015年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將增長(zhǎng)3.4%。
“數(shù)字革命才剛剛開(kāi)始，未來(lái)5年要比過(guò)去的這40年還要多7~8倍。”未來(lái)5年到底會(huì)有什么巨大的革命發(fā)生？一是云和大數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存，跟它所帶來(lái)的數(shù)據(jù)挖掘和理解，將帶來(lái)一個(gè)巨大的革命。二是物聯(lián)網(wǎng)，萬(wàn)物互聯(lián)。未來(lái)5年，PC、手機(jī)、平板、可穿戴設(shè)備以及聯(lián)網(wǎng)的電視、汽車(chē)等，整個(gè)加起來(lái)將有400億臺(tái)設(shè)備。
半導(dǎo)體教父張忠謀認(rèn)為，半導(dǎo)體業(yè)如能掌握以下3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)，將可以抓住物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)。首先是先進(jìn)系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)。由于物聯(lián)網(wǎng)比手機(jī)更強(qiáng)調(diào)輕薄短小，因此需要將不同制程和功能的晶片，利用堆疊的方式全部封裝在一起，縮小體積。因此能提供完整系統(tǒng)封裝和系統(tǒng)模組整合能力的封測(cè)廠商，可望大大受惠。其次，穿戴式裝置等物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品需要更低的耗電量，功耗必須是智能手機(jī)的1/10，且最好一周只要充一次電，所以超低功耗技術(shù)要努力開(kāi)發(fā)。再次，搭配健康管理、居家照護(hù)、安全監(jiān)控、汽車(chē)聯(lián)網(wǎng)等情境，各式各樣感測(cè)器應(yīng)用普遍，用來(lái)測(cè)量人體溫度、血壓、脈搏，感測(cè)環(huán)境溫濕度或車(chē)輛間安全距離等，促進(jìn)感測(cè)器相關(guān)的技術(shù)以及制程開(kāi)發(fā)。
另外，在物聯(lián)網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈中，最賺錢(qián)的不一定是半導(dǎo)體公司，而可能是能管理整個(gè)生態(tài)系的公司，包括Google、Amazon、Apple、騰訊、阿里巴巴、華為、思科等，或者是創(chuàng)新商業(yè)模式的產(chǎn)業(yè)紅人。
京公網(wǎng)安備 11010502049343號(hào)