NAND芯片
摘要：從NAND整體供需狀況來看，近幾年來一直呈現略微過剩的狀態(tài)。隨著各大廠商的大幅擴產，產能過剩將進一步加劇， NAND產業(yè)未來恐難樂觀。
同方國芯800億元的定增方案一經推出，便引發(fā)了市場的廣泛關注。從11月6日同方國芯定增方案推出至12日，其股價亦連續(xù)拉出5個漲停，股價飆升至52.66元/股。
值得注意的是，此次同方國芯定增方案中有600億元定增資金用于存儲芯片工廠建設，而NAND作為存儲芯片中的一個主導產品，有券商表示，該行業(yè)存在產能過剩的隱憂。同時，同方國芯何時能取得存儲芯片生產技術也是其實施存儲芯片戰(zhàn)略的關鍵步驟之一。
NAND大幅擴產
11月6日，同方國芯公布的《非公開發(fā)行股票預案》（以下簡稱“預案”）顯示，公司本次非公開發(fā)行A股股票募集資金總額不超過800億元，扣除發(fā)行費用后擬全部用于如下項目：600億元用于存儲芯片工廠；37.9億元用于收購臺灣力成25%股權；162億元用于對芯片產業(yè)鏈上下游公司的收購。
存儲芯片，又稱為存儲器，是指利用電能方式存儲信息的半導體介質設備，其存儲與讀取過程體現為電子的存儲或釋放，廣泛應用于內存、U 盤、消費電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領域，目前有取代磁盤的趨勢，存儲芯片是全球芯片市場比重最大的產品之一。
目前國內半導體存儲芯片需求大，但國產化比例小，主要依賴三星、英特爾、東芝等國外企業(yè)。據統(tǒng)計，國內消耗的80%的芯片都需要進口，尤其是高端芯片幾乎全部進口。
《預案》顯示，存儲芯片根據斷電后所儲存的數據是否會丟失，可以分為易失性存儲器（Volatile Memory）和非易失性存儲器（Non-Volatile Memory），其中DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)與NAND Flash（資料儲存型閃存）分別為這兩類存儲器的代表。盡管存儲芯片種類眾多，但從產值構成來看，DRAM與NAND Flash已經成為存儲芯片產業(yè)的主要構成部分。根據IDC的統(tǒng)計數據，2013年存儲芯片市場規(guī)模接近690億美元，而DRAM和NAND Flash 就占據了約600億美元，占比超過85%。
DRAM 是最常見的存儲元件之一，常用的PC 內存就是一種DRAM。 DRAM發(fā)展至今，已經成為PC、智能手機、平板電腦以及服務器等產品不可或缺的零組件。由于對大容量、高速度、小體積和便攜性存儲需求的增加，智能手機搭載NAND Flash 的容量快速增長， SSD（固態(tài)硬盤）也在PC 中獲得青睞。智能手機與SSD 已經成為NAND Flash 最主要的需求。
《預案》顯示，同方國芯將投資新建存儲類芯片工廠，工廠實施完成并完全達產后，預計可新增12萬片/月的存儲芯片生產產能。根據公司測算，該項目計劃投資總額約為938.27億元。其中建設投資為920.33億元，鋪底流動資金17.94億元，公司擬以本次募集資金投資600億元，其余部分由公司自籌解決。
根據同方國芯測算，預計項目投產一年后可完全達產，即至項目建設后第四年生產負荷可達100%。本項目運營期內年均不含稅營業(yè)收入為353.56億元，預計年均利潤總額為87.19億元，稅后財務內部收益率為17.65%，稅后投資回收期6.28年（含建設期2年）。
對于DRAM和NAND廠商擴張意愿，《預案》中表示，DRAM 目前主流的制程為20nm~30nm， NAND 也進入20nm 以下制程的時代，進一步縮小制程所需的研發(fā)與建廠投資大大增加，新建廠房往往需要花費數十億美元，所以，從整體上來看，存儲芯片廠商的擴產意愿和擴產能力都不強。
對于DRAM和NAND前景，廣發(fā)證券電子元器件分析師許興軍在其研究報告中指出，DRAM行業(yè)得益于過去頻繁發(fā)生的破產、并購與整合，目前寡頭壟斷的格局已然形成，行業(yè)供給相對可控，在PC 和智能手機需求的刺激下，預計未來DRAM 整體供需大概率將保持平衡或供給略微緊缺的狀態(tài)。
許興軍進一步指出，未來NAND 行業(yè)有可能重現產能過剩與價格下跌的狀況。從需求方面來看，智能手機對NAND Flash的需求保持較快增長，但SSD成為最大的不確定性因素。目前，SSD每GB的價格仍然高出普通磁盤(HDD)數倍，在消費級市場的吸引力有限；同時，在企業(yè)級市場以及數據中心應用方面，由于對SSD的穩(wěn)定性與壽命仍然存在疑慮，未來這類市場的存儲需求仍然以HDD為主，若SSD的發(fā)展不及預期，那么整個NAND市場的需求增長勢必將大打折扣。
其表示，從供給端來看，由于NAND市場相對分散，廠商之間難以形成有效的自律，近兩年來紛紛擴產。例如東芝與SanDisk合資建立的Fab 5工廠，以及美光新加坡的Fab 7工廠等，皆將各自的NAND Flash產能提升至1.5~2倍的水準。近兩年來，整個NAND產業(yè)的晶圓產量一直保持上升趨勢， 再加上由于制程技術進步導致的單片晶圓產出芯片數量增多， 整體NAND位元(Bit)產能實際增長更快。
許興軍表示，從NAND整體供需狀況來看，近幾年來一直呈現略微過剩的狀態(tài)。隨著各大廠商的大幅擴產，產能過剩將進一步加劇， NAND產業(yè)未來恐難樂觀。
不過，上海一位券商人士也對記者表示，對于未來NAND是否會出現產能過剩的局面目前還無法判斷，畢竟市場都在變化，供給和需求也在不斷變更中，現在說未來該行業(yè)會出現產能過剩的局面還為時尚早。
技術難題
除了NAND未來可能會出現產能過剩的局面之外，目前同方國芯生產存儲芯片的技術實力也是該項目的關鍵環(huán)節(jié)之一。
北京一位券商分析師對記者表示，目前存儲芯片核心技術被國際企業(yè)美光、三星電子等幾家企業(yè)所掌握，國內尚沒有企業(yè)能大規(guī)模生產存儲芯片。存儲芯片是國家重點發(fā)展項目，但生產技術也是核心，未來同方國芯能否獲得該領域生產技術也是該項目能否成功的重要因素，由于國內企業(yè)在這方面技術較為薄弱，要收購這些國際企業(yè)存在的難度不小。
而之前有消息表明，同方國芯的新控股股東紫光集團或將收購美國存儲巨頭美光科技。
有媒體在今年7月份報道稱，同為“清華系”控股的紫光集團擬斥巨資收購美光科技，價格可能達到230億美元。隨后美光發(fā)言人在接受媒體采訪時否認收到收購提議，并未對相關信息給予置評，清華紫光方面相關負責人在接受媒體采訪時表示，一些重大信息以公告為準。
9月份，接近紫光集團的一位人士對媒體透露說，紫光集團想收購美國芯片制造商美光集團，對方企業(yè)很積極，但是美國政府不積極，因為美光集團除了做芯片之外還涉及到一些高端技術。
華泰證券猜測，同方國芯如何通過外延獲得NAND Flash 相關專利技術、制造工藝等，成為整個計劃的關鍵，仍將值得期待。
值得注意的是，今年紫光集團孫公司紫光聯(lián)合擬投資37.75億美元收購西部數據新發(fā)行0.41億股股份。認購發(fā)行完成后，紫光集團將通過紫光聯(lián)合持有西部數據發(fā)行在外的約15%股份，成為其第一大股東。隨后，西部數據宣布以約190 億美元收購美國納斯達克上市公司閃迪公司（股票代碼：SNDK，以下簡稱“閃迪”）所有發(fā)行在外的股份。
紫光股份表示，此次收購將使西部數據的存儲產業(yè)鏈得到進一步的加強，使西部數據成為一個擁有更廣泛產品和技術，并在非易失性存儲領域尤為專業(yè)的全球規(guī)模的存儲解決方案提供商。
為此記者致電紫光股份，詢問西部數據和閃迪是否具有生產存儲芯片的技術，以及這些技術是否會歸于公司所有，公司一位證券部人士對記者表示，對于這些問題其并不清楚。
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