英特爾周三聲稱，計劃升級其在中國的工廠，以實現全球多元化供應戰略。一筆額度最高或達55億美元的投資將用于其在大連工廠的升級，后者將轉向“非易失性存儲器”（NVM）制造。
英特爾官方網站顯示，大連芯片廠是英特爾在亞洲設立的第一座芯片廠。工廠于2010 年10月正式投產，采用300毫米硅晶圓和英特爾65納米制程工藝生產電腦芯片組產品。
關于此次升級，英特爾方面稱，大連工廠將“成為英特爾在NVM制造網絡中使用300毫米圓晶中目前最先進技術的生產中心之一”。
相關消息稱，大連工廠將從2016年下半年開始生產3D NAND閃存芯片。此前，該類芯片一直由英特爾與美光合資的IM Flash代工。英特爾負責該業務的副總裁羅伯·克魯克在博客中表示，英特爾希望擁有額外提供閃存芯片的渠道。
英特爾方面拒絕進一步披露投資的具體支出。不過，去年底英特爾曾對外宣布一項長期戰略投資計劃，期望幫助英特爾加強在所有計算和通信細分市場的業務戰略。隨后，其曾宣布在未來15年投資16億美元用于成都工廠的升級，引入“高端測試技術”。
這一系列轉變或與政策導向有關。第三方咨詢機構芯謀研究報告顯示，英特爾和國內相關部門以及多個重量級企業都有過接觸，最終做出轉產的決定是因為國家大力發展存儲器的大背景。
周二大連地方媒體報道稱，遼寧省和大連市的政府官員與英特爾副總裁兼中國總裁楊敘、英特爾副總裁凱文·艾斯弗加尼、大連公司總經理郝弘毅會面。與此同時，英特爾在相關新聞稿中也著重強調了其進入中國市場已30周年。
另有業內人士告訴騰訊科技，受制于1996年由美國主導的《瓦森納協定》的制約，此次產業升級并非英特爾所稱的最新技術。
《瓦森納協定》曾迫使美國芯片技術輸入中國保持兩代以上的優勢。也就是說，英特爾在中國投產的芯片制造工藝需要落后美國本土。此前有媒體報道稱，英特爾在大連工廠之所以可以用65納米工藝制程代替90納米，是因為摩爾定律的推動，使得英特爾核心的工藝制程技術已經可以達到32納米。
不過，英特爾方面對此予以否認。英特爾中國公關負責人告訴騰訊科技，其在中國一直以來都投入了最新的技術。
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