近日，調研機構TrendForce發布了一份報告，報告顯示武漢新芯集成電路制造有限公司被中國政府選為存儲芯片產業的首要重點區域，未來將籌資240億美元來打造中國存儲芯片產業基地。
據知情人士透露，本次募資將由國家大基金領投，中芯國際、湖北省，以及一些社會資本也將參與投資。如此一來，中芯國際和武漢新芯將組建一支有競爭力的國家存儲芯片陣容。
實際上，在2014年6月國務院印發《國家集成電路產業發展推進綱要》后，國內CPU大軍都通過政府或外資的注入得到了跨越式的發展。但是在這期間，存儲芯片依舊沒有得到明顯改善。根據市場分析，中國存儲芯片幾乎全部來自進口。
該知情人士還表示，在聯合各地政府、新芯以及中芯國際后，未來有望與三星、美光、東芝、海力士等存儲巨頭抗衡。原本負責在北京籌建存儲基地的中心國際首席運營官趙海軍，將擔任領軍者。
目前，武漢新芯存儲芯片的最大單月產能為6萬-7萬片，但是其NOR Flash實際月產能僅為2萬片左右，還未達到贏利點。好在今年2月與存儲芯片公司Spansion達成合作，將聯手開發與生產3D NAND閃存技術，首款合作產品將在2017年問世。
此外，中芯國際與武漢新芯還有可能進一步實行收購計劃，以進一步提升中國存儲芯片實力。
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