隨著芯片制造成本的不斷上升和復雜性的不斷增加，使得今年成為了半導體產業合并和尋找替代性技術創記錄的一年。工程師們在IEEE S3S會議上肯定聽說了許多的合并傳聞，包括絕緣硅、亞閾值電壓設計、單片3D集成以及行業重組等。
今年到目前為止芯片公司已經完成了23筆收購交易，這要比過去兩年的總和還多，摩根士丹利公司半導體投資銀行全球負責人Mark Edelstone透露。他同時預測今年的全球并購交易總值很可能從174億美元增加到近300億美元。
“情況真的是破記錄了。”他指出，并提到了至今較大的整合案例——英飛凌和國際整流器公司以及安華高和LSI公司。“這個趨勢將繼續，今后幾年將是非常繁忙的并購時期。”
較低的資本成本正在所有行業掀起并購浪潮，而制造芯片成本和復雜性的上升助推了半導體行業的并購。制造一個20nm芯片的成本需要5300萬美元，制造28nm芯片的成本是3600萬美元，到16/14nm節點時成本還將出現質的飛躍，Edelstone表示。
“在這樣的投資規模下要想賺錢需要非常大的市場，這對半導體行業的發展將帶來巨大的影響。到16/14 nm的FinFET時代，每個門的成本還將上升，這將顯著地改變半導體行業現狀——事實表明，規模決定成敗。”
多位發言人一致認為單個晶體管的成本在整個行業中還在不斷上升。不過Intel公司在今年9月份透露，其14nm FinFET工藝將支持更低的每晶體管成本。
14/16nm FinFET節點代表了今后發展的主流方向，但完全耗盡型和特薄絕緣硅工藝也有機會，GlobalFoundries公司產品經理Michael Medicino表示。
一 些對成本敏感的移動芯片因為成本原因會避免采用14nm和10nm FinFET節點，而且時間可能長達4至6年。絕緣硅(SOI)提供了另外一種替代方案，它可以達到20nm塊晶體管的性能，成本則接近28nm聚合物晶 體管，不過他認為在市場壓力下所有塊晶體管成本還會進一步下降。
Mendicino預計絕緣硅替代技術在今后三年中可能占據10%的代工業務份額，不過他強調這只是猜測。“三年后再問我吧。”他不無俏皮地說。
在一次單獨的交談中，聯發科公司高性能處理器技術總監Alice Wang介紹了亞閾值設計的例子。他們的雄心壯志是推動芯片達到漏電流和動態能量交匯的最小能量點，這是在她的博士論文和ISSCC 2004論文中提出的一個概念。
工程師們已經向這個艱巨的目標努力了近一年。他們接下來面臨的挑戰是提供仍然能夠完成有意義的工作、可靠并且具有最小開銷的芯片，Alice指出。
大規模并行架構可以幫助提供超低功耗芯片在媒體處理任務中有所作為所需的性能。時序收斂方面的新方法與新工具可以解決一些可靠性和開銷問題，她表示。
“我認為現在是超低電壓(ULV)成為我們日常生活一部分的時候了。”她在提到發展中市場出現的可佩戴和設計問題時指出。“世界上還有大約13億人還沒有電力供應……因此能量是新興市場面臨的真正關鍵的挑戰。”
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