2014年S3S會議上，工程師共同分享了SOI材料的優(yōu)勢，亞閾值電壓的設(shè)計新方案，單片3D集成以及今年的企業(yè)并購案。今年芯片行業(yè)一共有23起收購案，比前兩年的總量還多。預(yù)計到年底，并購的總額將由174億美元上升到30億美元。
近幾年并購案分析
芯片制造成本越來越高，工藝也越來越復(fù)雜，這已經(jīng)潛在的促使了半導(dǎo)體廠商的合并。研發(fā)一顆28nm芯片需要3600萬美元，而20nm芯片需要耗資5300萬美元，16nm和14nm更是天價級別。
晶體管生產(chǎn)的費用正在不斷的上升，這是不爭的事實。但是，英特爾在9月宣稱其14nm FinFET制程可降低生產(chǎn)陳本。
盡管14/16 nm FinFET技術(shù)是行業(yè)的主流趨勢，超薄SOI制程依然存在相當(dāng)?shù)臋C(jī)會。
對于手機(jī)芯片來說，10nm和14nm FinFET技術(shù)價格太貴，近4-6年內(nèi)都不會選擇FinFET。而20nm SOI或許可滿足手機(jī)芯片的價格問題。
另一方面，聯(lián)發(fā)科高性能處理器技術(shù)總監(jiān)Alice Wang對亞閾值區(qū)做案例了研究，這一目的是為了使芯片達(dá)到低功耗特性。
隨著可穿戴設(shè)備的出現(xiàn)和其技術(shù)問題低功耗設(shè)計也是大勢所趨，然而這給市場打來了極大的挑戰(zhàn)。
目前，在兩次會議上共同商討的單片3D設(shè)計方案已經(jīng)在最新的閃存中使用。CEA-Leti和ST的研究人員利用單片3D集成技術(shù)代替節(jié)點縮放，這大大減少了研發(fā)的費用。EV Group和尼康的代表還分享了成鍵和定位系統(tǒng)技術(shù)，這一方面降低了目前3D芯片堆棧的成本另一面使其更簡潔。
EV Group展示了200nm甚至更精確的定位系統(tǒng)將成為可能，尼康代表還指出EGA精密芯片鍵合方法可應(yīng)用于未來的3D芯片制造，例如DRAM、MPU和圖像傳感器。
京公網(wǎng)安備 11010502049343號