在SSD產(chǎn)業(yè)中三星一直積極地推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步，并且已經(jīng)連續(xù)推出了兩代3D堆疊技術(shù)的V-NAND閃存，不過基本都是MLC芯片，并沒有研發(fā)出TLC 芯片相應(yīng)的技術(shù)。近期三星表示，已經(jīng)對3D TLC閃存芯片進(jìn)行了量產(chǎn)，相信不久之后也會(huì)有響應(yīng)的SSD出現(xiàn)。不過TLC閃存的SSD一般價(jià)格都是很便宜的，相信之后還會(huì)有價(jià)格更低的大容量SSD出現(xiàn)。

三星宣布，全球第一個(gè)3D堆疊的TLC V-NAND閃存已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，相應(yīng)的固態(tài)硬盤也會(huì)很快到來。

不過，三星似乎不太喜歡TLC這個(gè)名稱，官方一直說是“3-bit multi-level-cell (MLC)”。

新閃存基于第二代3D堆疊工藝、CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)，同樣垂直堆了多達(dá)32層，每顆芯片容量為128Gb(16GB)。

具體制造工藝沒說，但看起來應(yīng)該是1xnm級別的。三星稱，相比于平面型的TLC，它可將晶圓的產(chǎn)能輸出翻一番還多，成本自然大大降低。