NAND正在走向墳場。隨著每次制程上的縮小和每次提高單元比特，NAND離墳墓就越來越近。任何代替的NV-RAM(非易失性-隨機存取記憶體)技術(shù)都將要求控制器軟件上的更替，這會導致一批小型閃存陣列初始公司的倒閉。

NAND閃存是非易失性的，但是制造它很昂貴。要想讓NAND變得經(jīng)濟上可以接受，技術(shù)上便要走向死胡同。第一個方法是縮小制程尺寸，從一片晶圓上割下更多的閃存晶片，降低每個晶片的成本。但是制程上的縮小會導致閃存工作壽命的損失，也就是編程/擦除(PE)次數(shù)以及閃存單元可寫入次數(shù)的降低。

通常認為59-50納米(50多納米)制程可以帶來1萬次2比特多層單元(MLC)PE次數(shù)。30多納米(39-30納米)制程可以帶來5000個PE次數(shù)，而20多納米的單元只有3000次。一個10多納米的單元在沒有給NAND產(chǎn)品過量配置其他單元的情況下它的耐用性是非常低的。

NAND控制器軟件可以用于抵消這股趨勢，實際上也已經(jīng)這么做了——使用技術(shù)手段來降低寫入次數(shù)，從那些已經(jīng)損耗的單元那里更好的獲得數(shù)據(jù)，以及過量配置。但是問題還在不斷增加。

第二個提高經(jīng)濟性的方式就是在基本的1比特閃存單元——單層單元(SLC)閃存——的基礎上增加額外的比特。MLC是每個單元2比特。TLC是每個單元3比特。

在30多納米制程下，SLC NAND可以進行1萬次PE;MLC可以進行5000次;TLC可以進行1250次。估計20多納米制程的TLC只能進行750次。你可以想象10多納米制程的NAND的耐用性有多差：難道我們能用只能寫入不到500次的閃存嗎？

我們可以肯定地說我們將不會看到4比特單元的NAND，而且我們應該也不會看到——實際上是很不可能——低于10納米制程的NAND，或甚至低于15納米制程的NAND。這已經(jīng)是死路。

大家知道并理解20多納米制程的TLC今年將進入企業(yè)存儲使用情境并將持續(xù)到2014年。此后，10多納米制程的TLC可能將可以實用，而低于10納米制程的TLC應該不會出現(xiàn)。那么到時候會發(fā)生什么呢？人們對更高容量、更長壽命和更有經(jīng)濟性的非易失性記憶體的需求將不會消失。

有幾個后NAND時代的技術(shù)躍入人們的視線，比如相變記憶體、電阻式RAM(隨機存取記憶體)、憶阻器以及IBM的賽道記憶體。這些技術(shù)都聲稱能帶來比閃存更高的容量、更快的速度和更長的工作壽命。現(xiàn)在還不清楚哪個技術(shù)能夠成為取代NAND的非易失性記憶體。無論是哪一個，原來為了抑制NAND缺點的控制器軟件是不需要了。

MLC NAND損耗均衡和寫入放大縮減技術(shù)將不再需要。NAND信號處理可能也無關(guān)緊要。垃圾搜集方式將完全不同。整個代碼堆棧將必須重寫。所有的閃存陣列和復合式閃存/磁盤初始公司將發(fā)現(xiàn)它們的軟件知識產(chǎn)權(quán)貶值，業(yè)務模式遭到來自后NAND技術(shù)初始公司的挑戰(zhàn)，因為后者的產(chǎn)品可以提供更長的工作壽命和更高的性能。

在最壞的情況下，NAND存儲初始公司將發(fā)現(xiàn)它們的競爭優(yōu)勢將不再可持續(xù)，它們將失敗。閃存SSD(固態(tài)驅(qū)動器)控制器公司和控制器軟件所有者的公司如果要進入后NAND NV-RAM產(chǎn)品領域，就必須編寫新的代碼堆棧。突然間，NAND控制器軟件業(yè)務的所有人都將發(fā)現(xiàn)自己得從頭開始。

看到這一點也同意這一點的風險投資家和長期投資者將會說閃存和復合式閃存/磁盤存儲初始公司將沒有長期的未來，它們的技術(shù)將很快走向死胡同。除非它 們的公司被收購，背后的投資者才有可能取得他們想要的回報，否則就會損失投資。閃存和復合式閃存/磁盤初始公司背后的聰明的投資者已經(jīng)意識到了這一點。并購才是唯一現(xiàn)實的退出策略。

潛在的并購者是否也知道這一點？他們是否知道這些閃存陣列和復合式閃存/磁盤陣列初始公司虛高的估值只能是短暫和不可持續(xù)的？為閃存陣列初始公司支付數(shù)十億美元的價格很可能不會帶來回報。對它們的預期必須要腳踏實地。我們目前可能正在經(jīng)歷閃存陣列的泡沫。這個泡沫將很快爆裂，因為NAND的限制已經(jīng)越來越清晰了。

從長期來看，企業(yè)級閃存也不過是過眼云煙。