根據(jù)業(yè)界領(lǐng)先的存儲供應(yīng)商的首席技術(shù)官預(yù)測，2017年及以后新的基于NVMe協(xié)議的企業(yè)閃存，以及即將推出的內(nèi)存技術(shù)的速度和延遲將會有所突破。

業(yè)界領(lǐng)先的存儲供應(yīng)商的首席技術(shù)官和其他技術(shù)負責人預(yù)測企業(yè)閃存存儲采用將會加快，隨著更多的驅(qū)動器進入市場，價格持續(xù)下滑。由于采用了新一輪延遲下降的非易失性存儲器快速（NVMe）固態(tài)驅(qū)動器（SSD）和NVMe over Fabric（NVMe-oF）技術(shù)，他們希望推出速度更快的閃存產(chǎn)品。

NVMe協(xié)議不再僅僅是通過PCI Express總線快速連接到PC的快速協(xié)議。人們需要了解NVMe使用的未來，包括有關(guān)M.2SSD外形尺寸接近服務(wù)器就緒容量和速度的獨家細節(jié)。

企業(yè)充分利用最新的NVMe和NVMe-oF技術(shù)，將需要傳統(tǒng)存儲陣列供應(yīng)商的架構(gòu)工作。這將于2017年開放，創(chuàng)業(yè)公司為了滿足用戶，需要超高速和低延遲固態(tài)存儲，以滿足苛刻的工作負載的需求。

另外，對于無法獲得足夠性能的企業(yè)，企業(yè)級閃存存儲領(lǐng)域也將是新的內(nèi)存媒質(zhì)，例如來自英特爾的3D XPoint，三星的美光和Z-NAND公司。

以下是存儲行業(yè)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者關(guān)于企業(yè)閃存存儲世界以及固態(tài)存儲在2017年及以后的預(yù)測。

（1）企業(yè)閃存存儲采用將會加速

　　Daniel Cobb

戴爾EMC公司全球技術(shù)戰(zhàn)略副總裁Daniel Cobb：我們將繼續(xù)加快采用閃存，甚至將超出人們的預(yù)期。更多的3D NAND晶圓廠正在上線，而且已經(jīng)達到了它們具有很高工藝成品率的地步。隨著我們從這個小型行業(yè)閃存短缺期間中脫穎而出，我們一直在經(jīng)歷轉(zhuǎn)型，我們將看到閃存采用將會繼續(xù)加快。

　　Hu Yoshida

日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)公司首席技術(shù)官Hu Yoshida：閃存將成為主要的存儲媒質(zhì)，這使我們能夠更少地關(guān)注調(diào)試和管理存儲。人們不必擔心這是一級還是二級存儲，哪些應(yīng)用程序應(yīng)該在閃存上運行。全閃存技術(shù)臨近點已經(jīng)到了。它不再是價格或性能問題。閃存的發(fā)展將會更好。隨著新技術(shù)（如3D和TLC）的采用，閃存容量將急劇增加。業(yè)界表示，到2020年，我們將獲得128TB閃存模塊，這意味著價格大幅下降。

更多存儲供應(yīng)商和自有存儲設(shè)備的公司（如Google和Facebook）將開始構(gòu)建自己的閃存模塊，因為他們意識到他們可以添加的好處，可以將更多的智能放入閃存模塊，并使閃存產(chǎn)品更加高效，因為它是可編程的。它們可以在上游的控制器中添加像壓縮這樣的功能，而不會對任何性能產(chǎn)生影響。閃存驅(qū)動器中編程的另一件事就是閃存驅(qū)動器。當我們得到一個擦除命令時，只是重新格式化所有的單元格，甚至控制器看不到的單元格。這對于隱私要求很重要。

IBM存儲公司研究員兼副總裁兼首席技術(shù)官Vincent Hsu表示：短期來看，廠商將會積極采用3DTLC技術(shù)。我們看到人們在QLC(quad-levelcell)上工作，即4bit/cell。但是我想人們會看到在2017年底發(fā)生的事情。由于密度的改善，我們看到閃存占用更多的工作負載。它不再僅僅是在線事務(wù)處理（OLTP）。我們已經(jīng)看到有人要求全閃存文件和對象存儲，我想我們將在2017年看到更多的這種請求。

（2）NVMe和NVMe over Fabrics

戴爾EMC公司的Daniel Cobb：我們將在2017年停止談?wù)揘VMe協(xié)議和NVMe over Fabrics技術(shù)，并于2017年開始出貨。我們終于看到，NVMe驅(qū)動器的豐富生態(tài)系統(tǒng)與SAS存儲的SAS協(xié)議一起存在。而NVMe over Fabrics將代表一種新的方式來存儲與。這個行業(yè)不會大規(guī)模地轉(zhuǎn)移到那些新技術(shù)上，但將開始進入甜蜜點。我們將開始看到盡可能低的延遲或盡可能高的吞吐量將找到愿意實施的客戶的用例。這可能是跨服務(wù)器的外部存儲，內(nèi)部或DAS（數(shù)字附加存儲）存儲，以及超融合基礎(chǔ)架構(gòu)。

Pure Storage公司產(chǎn)品副總裁Matt Kixmoeller：主流閃存技術(shù)將從SATA和SAS驅(qū)動器轉(zhuǎn)變?yōu)镹VMe驅(qū)動器，并開辟下一代產(chǎn)品的性能和效率。我們現(xiàn)在開始看到雙端口NVMe驅(qū)動器的可用性，使其可用于企業(yè)全閃存陣列。這將是全閃存陣列架構(gòu)一個相當大的轉(zhuǎn)變。這不是人們可以輕松改造的東西。這將需要硬件設(shè)計和軟件架構(gòu)的發(fā)展，以充分利用NVMe協(xié)議。第一波將是NVMe設(shè)備，并在全閃存陣列中使用NVMe。

下一波技術(shù)是NVMe over Fabric過渡。這是非常令人興奮的，因為它開始改變DAS和SAN(存儲域網(wǎng)絡(luò))存儲之間的關(guān)系。如果用戶查看許多應(yīng)用程序--Hadoop，Spark，Cassandra，所有的NoSQL數(shù)據(jù)庫，其中許多都圍繞著服務(wù)器DAS存儲的模型構(gòu)建了架構(gòu)。它們通常部署在帶有本地連接的閃存或磁盤的白盒服務(wù)器上。NVMe協(xié)議突破了網(wǎng)絡(luò)存儲可能與本地DAS具有相同性能配置文件的障礙。

　　J Metz

思科系統(tǒng)公司首席技術(shù)官辦公室存儲網(wǎng)絡(luò)與解決方案研究開發(fā)工程師J Metz：NVMe和NVMe over NVRAM（NVMe-oF）設(shè)備將開始出現(xiàn)，但并沒有真正改變存儲架構(gòu)。最初的部署將會復(fù)制現(xiàn)有的功能和特性，以獲得性能優(yōu)勢，但它們并不會真正改變游戲規(guī)則。而真正富有想象力的解決方案不會在2018年之前推出，但早期采用者將會在2017年找到一些有創(chuàng)意的專有解決方案。他指出，這是其個人的預(yù)測，不代表他所在的公司。

　　Martin Skagen

博科通信系統(tǒng)公司數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施部門首席技術(shù)官Martin Skagen：我們將看到全閃存陣列突破了1000萬IOPS的屏障，NVMe協(xié)議將成為這一進步的貢獻者。NVMe是真的閃存2.0。當人們開始研發(fā)閃存產(chǎn)品幾年后，不同類型閃存之間的表現(xiàn)并沒有很大的差異，而且還有很多事情要做，以使其運行良好。然后，它變得更加商品化，真正推動了全閃存陣列市場發(fā)展。

但是，NVMe將會面臨一場革命，如果企業(yè)擁有合適的架構(gòu)，可以從現(xiàn)有的閃存技術(shù)逐漸超越其性能。這不僅僅是使用NVMe閃存替換現(xiàn)有的SATA閃存。對于如何在控制器上處理閃存本身有很大的影響。也許一個或兩個傳統(tǒng)的供應(yīng)商可以在那里完成一些工作，但從軟件和硬件的角度來看，這是一個代價昂貴的事情。規(guī)模較小的新公司將會更好的機會，因為他們從頭開始。他們沒有任何現(xiàn)有的架構(gòu)。

NVMe協(xié)議可以使客戶降低閃存定價。如果客戶購買了大量閃存，那么從購買陣列的供應(yīng)商處購買閃存產(chǎn)品可能是有利的。NVMe支持即插即用設(shè)備，因為它是一個更加標準化的芯片組。

IBM存儲公司研究員兼副總裁兼首席技術(shù)官Vincent Hsu：廠商將會非常重視新協(xié)議來利用閃存的性能優(yōu)勢。業(yè)界將有多個協(xié)議和接口。而只采用一種技術(shù)將不能滿足所有的工作負載的需求。NVMe技術(shù)將在2017年更加普及，而且未來，我們將看到行業(yè)開始投資基于NVMe的架構(gòu)。Open CAPI允許更好地優(yōu)化以減少延遲。IBM Power Systems幾年前開發(fā)了CAPI[相干加速器處理器接口]，我們正在將其作為開放標準。它確保PCIe總線和處理器是一致的。它在存儲層中減少成千上萬個指令，并提供低得多的延遲。Open CAPI聲稱在PCIe接口上具有10倍的性能。

（3）用于企業(yè)閃存存儲的新內(nèi)存技術(shù)

戴爾EMC公司的Daniel Cobb：新的內(nèi)存媒質(zhì)將開始推廣應(yīng)用，我們終于要了解Micron和Intel的3D XPoint。它沒有DRAM速度那么快，但比NAND快。它可以在數(shù)百納秒的訪問時間內(nèi)運行。由于其低開銷和高性能，這是NVMe架構(gòu)的優(yōu)勢。這也將為一個成本低廉的內(nèi)存設(shè)備。大概20年以來，計算機工業(yè)將會出現(xiàn)更多的新的存儲介質(zhì)。

我們將在2017年停止談?wù)揘VMe和NVMe over Fabrics，并于2017年開始銷售產(chǎn)品。戴爾EMC公司全球技術(shù)戰(zhàn)略副總裁Daniel Cobb：我們還將看到來自三星的替代存儲媒質(zhì)，如Z-NAND，這是對3D XPoint的回應(yīng)，彌補了DRAM與閃存之間的差距。而不是發(fā)明一種新型的媒質(zhì)，三星公司表示實際上可以繼續(xù)使NAND速度更快。而該公司專注于使NAND成本較低，容量更大，但并沒有將其重點放在速度更快上。在技術(shù)上，三星公司的產(chǎn)品令人關(guān)注的，因為任何一家主要的內(nèi)存代工廠都可能主要致力某個方面，所以他們進行了大量的工作。

惠普企業(yè)公司數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施組織首席技術(shù)官Milan Shetti：持續(xù)記憶存儲技術(shù)將開始出現(xiàn)在計算和存儲產(chǎn)品中。我們將看到DRAM的形式因素和電池支持的持久性存儲器在以前的磁盤形式因素中的引入。人們將首先開始采用電池支持的DIMM[雙列直插式內(nèi)存模塊]，隨著不同的持續(xù)存儲器技術(shù)的發(fā)展，人們也將開始采用。類似于消費行業(yè)為閃存帶來經(jīng)濟效應(yīng)的事情，物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)正在為持久記憶存儲而努力。由于設(shè)備中越來越多的傳感器需要本地內(nèi)存，所以我們將看到持久的內(nèi)存的成本開始變得更加低廉。這將是一個長期的過程。

思科系統(tǒng)公司首席技術(shù)官辦公室存儲網(wǎng)絡(luò)與解決方案研究開發(fā)工程師J Metz：持久性內(nèi)存/存儲級內(nèi)存的進步將改變應(yīng)用程序和操作系統(tǒng)如何與存儲進行交互的本質(zhì)。分層解決方案將崩潰。如今的一級存儲將是零級，二級存儲將成為歸檔。延遲和計算瓶頸的變化將改變數(shù)據(jù)訪問的方式以及處理所需的時間。由于增加了延遲和基礎(chǔ)設(shè)施的擴張，一些系統(tǒng)（如一些緩存機制）將被完全刪除。

NetApp公司首席技術(shù)官Mark Bregman：從長遠來看，我們看到了下一代存儲級內(nèi)存技術(shù)的介紹。第一波將在存儲設(shè)備中使用新的高性能的持久存儲器。但是越來越少的理由把它包裝成類似于存儲的東西。我想我們將看到新的系統(tǒng)架構(gòu)出現(xiàn)，這可能看起來像一個非常大的持久內(nèi)存的系統(tǒng)，而不是附加在存儲器上的較小內(nèi)存。所以我們將開始看到具有大量持久性內(nèi)存的新系統(tǒng)技術(shù)的發(fā)展。然后，與今天談?wù)摰母咝阅芏壔蛞患壍拇鎯ο啾龋郊哟鎯Φ男枨髮⒉煌诖鏅n。但這并不會在2017年發(fā)生。在未來一年內(nèi)，我們可能會看到新公司推出新架構(gòu)。這將是這一波技術(shù)浪潮的前沿。