以CPU、OS和數據庫為核心的技術是民族IT產業揮之不去的“痛”，但三十年河東，三十年河西，隨著產業形式變化，事情迎來了轉機。
不說操作系統開源和國產數據，在此應該重點關注一下CPU，核心技術是半導體制造。4月1日，英特爾最新發布了E5V4 處理器，其核心是采用14nm制程工藝技術。長久以來，光刻技術作為核心技術長期禁運。從材料、到工藝，國內長期處于落后狀況，差距至少一代半。
半導體是一個投資巨大的產業，在每一個技術節點，都需要花費大量的資金。以28nm為例，其研發經費大致9億～12億美元，14納米的研發經費估計在13億～15億美元。制造方面，建廠費用也更為高昂，對于28nm而言，一個基本的35000片的晶圓工廠，就需要花費35億美元。這種巨大的投入對每一個企業來說，都是一個極大的挑戰。
從歷史的進程來看，130nm至少有20多個企業能夠進入生產;但是到了65nm、55nm之后，擁有制造能力的廠商數量在快速減少。到了28nm，只有寥寥7～8家可以進入生產；到了14nm反而是代工企業為主進入研發生產。這就是實際情況。
但是隨著經濟實力的增強，我們有實力和能力彌補曾經的缺憾，甚至有實力實現彎道超車。從中芯國際代工廠的發展，到紫光國際、武漢新芯，動輒千億元的投入，中國追趕世界的腳步不斷加快。這些投入可以取得預想中的結果嗎？
據報道，武漢新芯以3D NAND和DRAM生產為主，預計產能30萬片/月，沒有資料提及相關制程工藝的技術，但有可能具有20nm制程工藝的技術。
從技術上來說，要實現大存儲器產業，針對NAND而言，從16nm提升到14nm，同樣的Wafer晶圓，產量可以增加17%。如16nm工藝，每片12英寸晶圓，大約可切割522顆128Gb NAND 閃存芯片，即便增加17%的產量，受售價的制約，還是難以有贏利的。
如今，價格仍然是制約閃存替代磁盤的主要障礙，因此在市場需求的現實下，提升閃存售價變得不可行，閃存推廣唯有不斷降低成本/GB。3D NAND技術因此被寄予厚望。如今，三星、海力士、東芝、美光都在14nm～16nm，32層～48層的技術。與之相比，國內肯定會存在一定的差距。
對于國產半導體而言，所謂“彎道超車”可以作為理想，但最好不要做為現實的追求。畢竟，我們還需要技術的消化和經驗的積累，從良品率，到技術的提升，這是一個循序漸進的過程。實際上，東芝、三星也是通過抓住DRAM、NAND的機會，逐步實現趕超的。
通過加大投入，通過人員的引入，技術的消化和吸收，中國會不斷縮小差距。這就是巨額投入的意義。在這樣的背景情況下，如果更多的強調投入產出，未免有些操之過急。所謂賺錢不一定是硬道理。沒有投入就沒有產出，但有了投入未必有產出，這就是中國半導體產業面臨的風險。這些是必須承受的風險。
大存儲產業，以3D NAND為核心的制造，存儲產業升級換代的新時代，為中國半導體制造帶來前所未有的機會。希望抓住這次難得的機會。
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