創(chuàng)新的重要性在企業(yè)市值上表現(xiàn)得尤其明顯。從當初的起點和市值差不多，聯(lián)想實施了國際化并購，華為則埋頭自主研發(fā)；雖然聯(lián)想的并購讓其在短期內(nèi)快速超越了華為，但時至今日，華為的市值已經(jīng)超過聯(lián)想10倍，華為的自主研發(fā)優(yōu)勢充分顯現(xiàn)。
不論是在市場規(guī)模還是市場增速都已經(jīng)稱雄全球的中國集成電路產(chǎn)業(yè)，如何提升其產(chǎn)能的含金量？24日在北京舉辦的“2016中國半導(dǎo)體市場年會暨第五屆中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會”上，與會專家學(xué)者大體達成共識，認為中國發(fā)展集成電路還是要走自主創(chuàng)新之路，存儲器將是2016年的熱點和重點，超越摩爾領(lǐng)域開始進入國家戰(zhàn)略成為新熱點。
自主創(chuàng)新是當務(wù)之急
“中國集成電路應(yīng)該走自主創(chuàng)新的發(fā)展道路。”在昨日舉行的會議上，中國工程院院士倪光南、中科院微電子所所長葉甜春可謂英雄所見略同。
中國集成電路的發(fā)展之路一直廣受業(yè)界關(guān)注和討論。從引進仿制到以市場換技術(shù)，中國集成電路產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了多個發(fā)展階段和不同的發(fā)展策略，但產(chǎn)業(yè)競爭力還是相對薄弱。
“中國集成電路已經(jīng)有了一定的基礎(chǔ)，現(xiàn)在要提倡自主創(chuàng)新，尤其是原始創(chuàng)新和集中創(chuàng)新是當務(wù)之急。”葉甜春在會議上強調(diào)，隨著國家重大專項和集成電路產(chǎn)業(yè)推進綱要的協(xié)同實施，中國集成電路的技術(shù)進步加速；另一方面，通過大范圍的國際并購與整合后，中國的集成電路產(chǎn)業(yè)和技術(shù)都達到了一個新的高度，此時再跟隨就沒有那么多經(jīng)驗可資借鑒了，大家都需要摸索前進。
倪光南則通過對比聯(lián)想和華為的發(fā)展之路及結(jié)果，認為中國應(yīng)該走自主創(chuàng)新的道路。從當初的起點和市值差不多，聯(lián)想實施了國際化并購，華為則埋頭自主研發(fā)；雖然聯(lián)想的并購讓其在短期內(nèi)快速超越了華為，但時至今日，華為的市值已經(jīng)超過聯(lián)想10倍，華為的自主研發(fā)優(yōu)勢充分顯現(xiàn)。
“最新技術(shù)是買不來的，要繼續(xù)保持后勁，就必須對創(chuàng)新研發(fā)更加重視，投入的力度和持續(xù)性極為重要。”葉甜春同時強調(diào)，“中國歷次集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中犯的錯誤就是投入沒有連續(xù)性導(dǎo)致發(fā)展間歇性停滯，結(jié)果是與世界先進的差距越來越多。”
對于創(chuàng)新的重點，葉甜春建議瞄準市場趨勢，面向產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整、戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和社會服務(wù)智能化，在全球產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新鏈中形成自己的特色。
存儲器是兵家必爭之地
“大基金今年將更大力度地支持集成電路制造業(yè)和特色集成電路發(fā)展、重點推進存儲器項目。”國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司（下稱大基金）總經(jīng)理丁文武在本次會議上表示。
存儲器已經(jīng)是集成電路產(chǎn)業(yè)的兵家必爭之地。據(jù)悉，我國每年進口的芯片中有1/4是存儲芯片，產(chǎn)業(yè)需求存在巨大缺口，產(chǎn)業(yè)安全也存在巨大隱患。“大基金把存儲作為國家戰(zhàn)略推動，首先在武漢設(shè)立存儲器基地。”丁文武表示。
據(jù)悉，武漢存儲器基地落戶武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)，項目啟動儀式將于28日舉行。該基地由大基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、國開發(fā)展基金有限公司、湖北省科技投資集團有限公司共同出資建設(shè)，項目總投資將達240億美元；目前方案顯示，產(chǎn)品方向為3D NAND，項目的主要實施主體是武漢新芯。
值得關(guān)注的是，存儲已經(jīng)成為中國集成電路產(chǎn)業(yè)的投資新寵。武漢新芯存儲器基地項目、江蘇淮安德科瑪圖像傳感器IDM項目、重慶AOS（alpha&omega)的12寸MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）功率半導(dǎo)體項目均將于3月份啟動，而紫光集團在存儲上的“野心”更是有目共睹。
“超越摩爾”成下一個風口
隨著硅片上線路的增加和晶圓制造不斷攀升的成本，摩爾定律在指導(dǎo)更先進制程的發(fā)展上變得困難。基于此，業(yè)界提出“超越摩爾定律”，試圖通過電路兼容、封裝測試等技術(shù)，提高芯片功能和集成度并降低成本，從制程以外的更多途徑來詮釋和維護摩爾定律。“超越摩爾”領(lǐng)域成為集成電路的下一個風口。
中國有望在“超越摩爾”領(lǐng)域出奇制勝，趕上甚至超越世界先進水平，比如基于物聯(lián)網(wǎng)、人工智能的MCU（微控制器）、MEMS（傳感器）、磁存儲等領(lǐng)域。中國有豐富的成熟的8吋半導(dǎo)體生產(chǎn)線和技術(shù)，如中芯國際、華虹宏力、上海先進的半導(dǎo)體晶圓廠；此外，上海微技術(shù)工業(yè)研究院早已積極布局組建“超越摩爾”8吋研發(fā)中試線和世界級產(chǎn)品研發(fā)團隊。
值得關(guān)注的是，超越摩爾領(lǐng)域開始進入國家戰(zhàn)略。工信部副部長懷進鵬在開幕致辭中表示，面對超越摩爾新領(lǐng)域和新的市場和產(chǎn)品需求，要進一步提升消費、通信芯片的層次和性價比，加緊布局汽車電子、MEMS傳感器等超低功耗芯片開發(fā)。
“物聯(lián)網(wǎng)將帶來第三次信息化浪潮。”葉甜春表示，全球信息化發(fā)展開始從數(shù)字化走向智能化，中國則從“兩化融合”轉(zhuǎn)向“全面的信息化時代”，基于大數(shù)據(jù)、云計算等技術(shù)，可穿戴、工業(yè)4.0、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、能源互聯(lián)網(wǎng)、智慧城市等正在給集成電路帶來新的發(fā)展機遇，MEMS與集成電路的融合將是未來傳感器發(fā)展趨勢。
此外，懷進鵬強調(diào)，在集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，工信部今年將著重加強頂層設(shè)計，圍繞互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)，推動產(chǎn)業(yè)資本和金融融合；強化協(xié)同創(chuàng)新能力建設(shè)，加快推動產(chǎn)學(xué)研研究基地和示范性微電子教學(xué)基地建設(shè)，推動高端人才培養(yǎng)。
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