三星電子（Samsung Electronics）原本預定2016年要在大陸西安半導體工廠進行第二階段的投資，日前傳出這項計劃目前處于保留狀態。業界預估，2016年將會進入存儲器7年來最糟的供需不平衡情況，加上東芝（Toshiba）、新帝（SanDisk）與英特爾（Intel）等紛紛增設NAND Flash工廠，也使三星開始擔心供貨量劇增的惡性競爭情況。
目前三星電子西安工廠只使用整體腹地（約34萬坪）的5分之1，而且以目前 的設備來說，已經到達最大產能，所以南韓業界原本認為，三星將在2016年內對剩余腹地進行第二階段投資。Digital Times日前引述業界消息，指三星在西安半導體工廠的第二階段投資計劃恐將延期至2017年以后進行。
2014年首次啟動的西安工廠，是三星3D V-NAND的核心生產基地。相關人士表示，啟動不到2年的西安工廠，如以晶圓投入基準來看，已逼近每月10萬片水準，產量大大超過原本預估的6萬~7萬片水準。
三星之所以不執行第二階段投資的理由，很可能與東芝、新帝等大手筆增設NAND Flash產線有關。東芝之前和新帝共同投資5，000億日圓（約43億美元）設立3D NAND Flash生產工廠，預計2017年將開始正式啟動。
另外，英特爾和美光（Micron）也投入3D NAND Flash量產，如果連三星也進入西安廠第二階段投資，NAND Flash市場恐將陷入無法挽回的供給過剩競爭。
南韓半導體業界相關人士進一步解釋，以三星立場來說，擁有最安全量產結構的東芝進入并瓜分市場將是最大擔憂。雖然目前英特爾和美光尚不具有太大危脅，但也有可能蠶食大陸新一代資料中心的市場需求大餅。
2016年三星策略是對半導體設備投資減至最低程度，計劃從2017年開始以新一代DRAM決勝。三星預估目前處于最糟市況的DRAM，可能將在下半年達到最低點，2017年之后開始回升，所以在這時期預計只會啟動平澤工廠第一階段計劃生產最頂尖DRAM。
至于在NAND Flash方面，將以提高3D V-NAND的世代以強化高階市場支配力，另外也計劃強化產品的價格競爭力。三星內部相關人士表示，雖然無法公布半導體設備的相關投資計劃，但是三星將視 市場情勢變化，靈活運用各種對策因應。
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