責任編輯：editor004 | 2017-07-25 11:22:28 本文摘自：快科技
西部數(shù)據(jù)今天宣布成功開發(fā)了四比特單元的閃存顆粒（Four-Bits-Per-Cell，BiCS3 X4），也就是所謂的QLC，用于旗下的64層3D閃存產品。此前，X4已經用于2D閃存的產品，在SSD小型化的當下，通過3D也就是向上發(fā)展，可以在有限的空間內集成更大的存儲量。由此，單晶片的存儲密度為768Gb(96GB)，此前64層TLC是512Gb。
當然，QLC的理論壽命（可擦寫150次，TLC是1500次、MLC是1萬次）和讀寫性能不及TLC，遑論MLC/SLC。只是成本更低，容量更大，在存儲顆粒“洛陽紙貴”的當下，更具有現(xiàn)實意義。
同時西數(shù)表示，他們已經將TLC和QLC的性能差異縮小到可忽略的程度。
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責任編輯：editor004 | 2017-07-25 11:22:28 本文摘自：快科技
西部數(shù)據(jù)今天宣布成功開發(fā)了四比特單元的閃存顆粒（Four-Bits-Per-Cell，BiCS3 X4），也就是所謂的QLC，用于旗下的64層3D閃存產品。此前，X4已經用于2D閃存的產品，在SSD小型化的當下，通過3D也就是向上發(fā)展，可以在有限的空間內集成更大的存儲量。由此，單晶片的存儲密度為768Gb(96GB)，此前64層TLC是512Gb。
當然，QLC的理論壽命（可擦寫150次，TLC是1500次、MLC是1萬次）和讀寫性能不及TLC，遑論MLC/SLC。只是成本更低，容量更大，在存儲顆粒“洛陽紙貴”的當下，更具有現(xiàn)實意義。
同時西數(shù)表示，他們已經將TLC和QLC的性能差異縮小到可忽略的程度。
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