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數據中心用上3D TLC NAND 英特爾發布兩款企業級固態硬盤

責任編輯:editor007 |來源:企業網D1Net  2017-05-03 20:10:19 本文摘自:雷鋒網

今日,英特爾宣布了兩款應用于數據中心的固態硬盤:P4500和P4600,這是自推出首款NVMe SSD以來,其企業級PCIe SSD產品陣容最為重要的更新。率先推出的系列將包含容量為1TB、2TB、4TB的半高半長的插卡式及U.2接口2.5寸形態的產品。

根據英特爾官方的介紹,P4500和P4600是英特爾P3600和P3700系列的后繼產品。P4500和P4600通過全新的SSD控制器和3D NAND閃存帶來了一系列的性能提升,例如,比上一代快3.3倍的寫入速度。

目前大多數英特爾PCIe SSD仍然使用的是20nm MLC NAND閃存,盡管P3500使用英特爾3D MLC替代了P3520,但是P4x00系列產品將使用的是英特爾的32層3D TLC NAND閃存。與英特爾20nm MLC的128Gb(16GB)相比,每芯片容量為384Gb(48GB)。因此,兩款全新的產品在容量上有了大幅提升往哪給:P3x00產品的容量從400GB提高到2TB,新的P4500和P4600從 1TB,最初提供高達4TB,預計到年底將有8TB型號。

事實上,自從SLC被市場淘汰后,企業級SSD在過去幾年中大都使用的是MLC NAND,但是從目前的市場可以看出,MLC NAND已經在向3D TLC NAND轉型。3D NAND擁有很多優勢,例如增加耐用性和降低功耗,但最重要的是,它提供了更低的定價和更高的密度。DC P4600和P4500是首款采用英特爾384Gb芯片的32位TLC NAND。

據了解,這兩款新產品整合了英特爾的NAND、控制器、固件以及組件,而其控制器具有12個通道(每通道4個CE),用于連接閃存,雖然低于上一代控制器的18個通道,但仍遠遠高于客戶端/面向消費者的NVMe控制器的通道數;此外,在速度方面也有大幅的提升:讀取高達3280MB/s,寫入為2100MB/s,4K隨機讀取702.5K IOPS,寫入257K IOPS。

英特爾還表示,新的控制器比前幾代更具可擴展性,因此未來我們很有可能在同一個平臺上看到更高的容量。

當然,在雷鋒網看來,P4500和P4600最大的新功能還是完全支持NVMe管理接口標準,這一特性可以讓配備IPMI的服務器通過BMC完全訪問驅動器的SMART數據和固件更新,而無需考慮服務器上運行的操作系統如何。

值得注意的是,2015年10月,英特爾宣布投資建設大連Fab68工廠并轉產3D NAND,而現在英特爾已經計劃在中國大連擴建Fab68工廠以擴大3D NAND的供給,進而滿足最終用戶的存儲需求。

via:anandtech

關鍵字:NAND閃存TLCPCIE

本文摘自:雷鋒網

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數據中心用上3D TLC NAND 英特爾發布兩款企業級固態硬盤

責任編輯:editor007 |來源:企業網D1Net  2017-05-03 20:10:19 本文摘自:雷鋒網

今日,英特爾宣布了兩款應用于數據中心的固態硬盤:P4500和P4600,這是自推出首款NVMe SSD以來,其企業級PCIe SSD產品陣容最為重要的更新。率先推出的系列將包含容量為1TB、2TB、4TB的半高半長的插卡式及U.2接口2.5寸形態的產品。

根據英特爾官方的介紹,P4500和P4600是英特爾P3600和P3700系列的后繼產品。P4500和P4600通過全新的SSD控制器和3D NAND閃存帶來了一系列的性能提升,例如,比上一代快3.3倍的寫入速度。

目前大多數英特爾PCIe SSD仍然使用的是20nm MLC NAND閃存,盡管P3500使用英特爾3D MLC替代了P3520,但是P4x00系列產品將使用的是英特爾的32層3D TLC NAND閃存。與英特爾20nm MLC的128Gb(16GB)相比,每芯片容量為384Gb(48GB)。因此,兩款全新的產品在容量上有了大幅提升往哪給:P3x00產品的容量從400GB提高到2TB,新的P4500和P4600從 1TB,最初提供高達4TB,預計到年底將有8TB型號。

事實上,自從SLC被市場淘汰后,企業級SSD在過去幾年中大都使用的是MLC NAND,但是從目前的市場可以看出,MLC NAND已經在向3D TLC NAND轉型。3D NAND擁有很多優勢,例如增加耐用性和降低功耗,但最重要的是,它提供了更低的定價和更高的密度。DC P4600和P4500是首款采用英特爾384Gb芯片的32位TLC NAND。

據了解,這兩款新產品整合了英特爾的NAND、控制器、固件以及組件,而其控制器具有12個通道(每通道4個CE),用于連接閃存,雖然低于上一代控制器的18個通道,但仍遠遠高于客戶端/面向消費者的NVMe控制器的通道數;此外,在速度方面也有大幅的提升:讀取高達3280MB/s,寫入為2100MB/s,4K隨機讀取702.5K IOPS,寫入257K IOPS。

英特爾還表示,新的控制器比前幾代更具可擴展性,因此未來我們很有可能在同一個平臺上看到更高的容量。

當然,在雷鋒網看來,P4500和P4600最大的新功能還是完全支持NVMe管理接口標準,這一特性可以讓配備IPMI的服務器通過BMC完全訪問驅動器的SMART數據和固件更新,而無需考慮服務器上運行的操作系統如何。

值得注意的是,2015年10月,英特爾宣布投資建設大連Fab68工廠并轉產3D NAND,而現在英特爾已經計劃在中國大連擴建Fab68工廠以擴大3D NAND的供給,進而滿足最終用戶的存儲需求。

via:anandtech

關鍵字:NAND閃存TLCPCIE

本文摘自:雷鋒網

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