東芝SSD預(yù)計(jì)將采用512 Gb 3D NAND晶片以實(shí)現(xiàn)容量升級(jí)

東芝公司已經(jīng)正式公布，其首求借64層3D NAND設(shè)備將采用TLC（即三層單元）設(shè)計(jì)以將原本的256 Gb容量倍增至512 Gb。

這意味著單晶片的存儲(chǔ)容量為64 GB。樣品發(fā)貨從本月開(kāi)始，而正式批量生產(chǎn)則將于今年下半年進(jìn)行。預(yù)計(jì)其將同時(shí)面向企業(yè)與消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)推出SSD產(chǎn)品。東芝公司表示該512 Gb晶片的每單位芯片尺寸存儲(chǔ)容量較上一代48層256 Gb（32 GB）設(shè)備增長(zhǎng)了65%，且每芯片晶圓擁有更高存儲(chǔ)容量，意味著每bit成本有所下降。

作為東芝的閃存合作伙伴，西部數(shù)據(jù)公司亦公布了其512 Gb晶片方案。

東芝公司正期待著NAND發(fā)展路線圖中的另一個(gè)大事件，即1 TB產(chǎn)品，其將在單一封裝內(nèi)塞進(jìn)16塊堆疊架構(gòu)晶片。這代表著每晶片的容量為64 GB，很明顯其也將采用之前提到的512 Gb芯片產(chǎn)品。1 TB芯片的樣品發(fā)布將于今年4月開(kāi)始。

分析師Jim Handy整理出一份表格，比較了東芝/西部數(shù)據(jù)、三星以及美光這幾家廠商各自的64層3D NAND設(shè)備。

　　"不過(guò)這并不重要，因?yàn)槟壳叭覐S商還沒(méi)有對(duì)這些產(chǎn)品進(jìn)行批量生產(chǎn)。尚不清楚量產(chǎn)工作會(huì)于何時(shí)開(kāi)始。"他同時(shí)指出："這三家的設(shè)備全部采用64層與三層單元設(shè)計(jì)，但美光的Gb/mm?水平高于其它兩家，這要?dú)w功于美光在芯片制造當(dāng)中將CMOS邏輯電路排布在存儲(chǔ)器陣列下方，而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手則將邏輯電路排布在陣列側(cè)方。

現(xiàn)在已經(jīng)明確的是，東芝公司表示其將于2017年下半年量產(chǎn)512 Gb 64層產(chǎn)品，且同時(shí)包含企業(yè)級(jí)與消費(fèi)級(jí)SSD。

東芝當(dāng)前的產(chǎn)品線中已經(jīng)包含7.68 TB ZD6300 NVMe PCIe閃存驅(qū)動(dòng)器，其采用2D平面eMLC NAND配合128 Gbit組件。如果可能，那么直接將128 Gb晶片替換為512 Gb晶片即可帶來(lái)總體容量高達(dá)30.7 TB的SSD產(chǎn)品。很明顯，這樣的容量水平將極具市場(chǎng)吸引力。

考慮到此前一直困擾著東芝公司的財(cái)務(wù)危機(jī)，這樣積極的技術(shù)新聞無(wú)疑令人精神一振。