部數據公司已經開始在其位于日本四日市的東芝合作代工廠內試生產容量達512 Gbit的64層3D NAND芯片。這款芯片采用三層單元(簡稱TLC)閃存設計，即每個單元能夠存儲3 bit數據。

從此次試點生產到大規模制造至少需要六個月時間，因此預計正式產品最早也要到2017年下半年才能與用戶見面。與此同時，美光公司則在著力打造其64層3D NAND芯片：其表示能夠在59平方毫米面積內提供256 Gbit容量，這意味著其成為目前行業中尺寸最小的64層3D NAND芯片。美光公司宣稱其晶片的存儲密度可達“每平方毫米4.3 Gb(較其它競爭對手的64層3D NAND高出25%)”。

這一消息絕對似曾相識：早在2016年7月，西部數據公司就宣稱其將利用自家BiCS3技術進行64層3D NAND產品的實驗性制造，而如今時間已經推移至2017年——二者間到底有何區別?

2016年公布的芯片為256 Gbit容量，僅為此次公布方案的一半。去年，西部數據方面表示其將實現3D NAND芯片容量翻倍，如今其終于踐行了承諾。西部數據的早期BiCS2 3D NAND芯片為48層設計，且256 Gbit容量需要占用105平方毫米表面積; 由48層轉向64層看起來應該能夠有效提升存儲容量。但實際情況并非如此，奇怪的是我們猜測第一代64層芯片采用了較大的單元尺寸，因此存儲容量仍然保持在256 Gbit水平。

2016年7月，我們曾報道稱BiCS3產品很有可能于2017年上半年實現商用量產。現在看來這一進程似乎需要延遲半年，同時西部數據也對其BiCS 64層技術的容量進行了翻倍。

西部數據公司存儲器技術執行副總裁Siva Sivaram博士表示：“這對于我們快速擴展的3D NAND技術組合而言意義重大。其標志著我們能夠進一步滿足數據規模快速提升所帶來的容量需求，且具體用例涵蓋零售、移動與數據中心應用等客戶群體。”

由尼古拉斯公司總經理Aaron Rakers發布以下圖表顯示了各家供應商所提供的閃存晶片存儲密度：

從表面上看，美光公司目前尚處于劣勢——除非其體形較小的芯片意味著客戶能夠將更多單元接入閃存驅動器，從而同競爭對手尺寸更大的512 Gbit芯片實現容量對等。但這種可能性似乎很低。

另外，SK海力士正努力打造72層方案。另外，去年7月三星公司表示其將搶在西部數據與東芝之前生產64層3D NAND芯片。其48層芯片擁有256 Gbit容量，我們預計其64層方案應該能夠擁有512 Gbit容量，但Rakers的圖表并未體現出這一點。

在我們看來：如果西部數據與東芝雙方能夠生產512 Gbit TLC芯片，那么是否意味著其能夠利用QLC(即四層單元)技術打造682 Gbit芯片?西部數據的工作人員于今天早8：30在舊金山萬豪酒店召開的2017年IEEE國際固態電路大會上展示了一項“立足64字線層BiCS技術實現的512 Gb三層單元閃存存儲器”技術。