西部數據集團向分析師們公布五（或者說六）款產品。其中包括氦氣填充式驅動器、3D TLC NAND迷你SD卡以及一套承諾可提供高水平IOPS表現的高速閃存平臺。

我們首先來看Ultrastar He12，這款容量為12 TB的氦氣填充式驅動器在存儲空間方面較上代Gen 3七碟片He10氦氣填充式磁盤型號增加2 TB。

He12為HGST的第四代氦氣填充式驅動器，其中包含八塊存儲碟片，尺寸為3.5英寸，存儲碟片數量較六碟片8 TB高容量空氣填充式驅動器增加兩片。

其采用標準垂直磁記錄技術——并未采用疊瓦式設計——即實現了12 TB存儲容量水平，單一存儲碟片容量為1.5 TB。

此驅動器為7200轉，且配備有單一12 Gbit每秒SAS接口或6 Gbit每秒SATA接口。其中包含自加密功能以及Instant Secure Erase，即即時安全擦除機制。其MTBF（即平均故障前時間）為250萬小時，且提供五年質保服務。上述特性與He10產品完全一致。

通過將疊瓦設計方案引入此驅動器，HGST方面目前正在開發一款14 TB磁盤驅動器。該公司表示，這款產品將主要面向那些軟件架構內可實現SMR支持的云服務供應商。HGST公司的疊瓦設計為主機管理型，而非驅動器管理型。

希捷公司的氦氣填充式驅動器目前的容量在10 TB水平，其正嘗試利用HAMR技術將其提升至16 TB，據我們了解具體時間點應在2018年到2019年。東芝公司容量最高的驅動器為8 TB X300 Premium，但其目前尚未推出任何氦氣填充式解決方案。

西部數據方面指出，該公司截至目前已經發貨超過1200萬塊氦氣填充式驅動器，且毫無疑問其將很快把這一銷售數字翻倍。

西部數據Ultrastar SSD與磁盤驅動器產品

我們目前已經看到Ultrastar品牌下的SS200與SN200兩款產品。二者分別為容量優化型與使用壽命優化型產品，且在其五年質保期內分別可提供每天一次全盤寫入（簡稱DWPD）與每天三次全盤寫入壽命。

SN200為一款2.5英寸NVMe驅動器，且采取半高、半長（簡稱HH-HL）接入卡格式。其能夠有效取代現有SN100產品，并提供更高容量與速度水平。

此2.5英寸版本的使用壽命優化版本分別為800 GB、1.6 TB、3.2 TB以及6.4 TB，而容量優化型版本則提供960 GB、1.92 TB、3.84 TB以及7.68 TB。HGST方面并未告知其使用的具體閃存類型。不過根據我們的猜測，其中應該為MLC 15納米SanDisk NAND。

容量優化型與使用壽命優化型版本、2.5英寸與半高半長版本間的性能參數略有不同。基點2.5英寸版本的容量與使用壽命優化型產品最高隨機讀取IOPS皆為8萬3千，但在隨機寫入IOPS方面，容量優化型為7萬5千，使用壽命優化型則為20萬。這兩類型號在連續讀取與寫入速度方面則同樣分別為每秒3.3 GB與每秒2.1 GB。

在半高半長版本方面，容量優化型隨機讀取IOPS為120萬，隨機寫入IOPS則為7萬5千; 使用壽命優化型隨機讀取IOPS同樣為120萬，隨機寫入IOPS則為20萬。二者的連續讀取帶寬非?？捎^，達到每秒6.1 GB，但連續寫入僅為每秒2.2 GB。

的寫入延遲為20微秒，且在2.5英寸版本中提供雙端口NVMe 1.2（第三代PCIe），但半長半高版本只提供單端口。二者的平均故障前時間均為200萬小時，且皆具備閃存識別RAID與端到端路徑保護機制。

這是一款非常出色的驅動器產品，西部數據方面表示其是目前市面上同等格式下容量最高的NVMe PCIe SSD。另外，其相較于西部數據的上一代NVMe兼容型Ultrastar SN150 SSD（僅提供半高半長版本）實現100%連續讀取速度提升與61%隨機讀取性能提升。

西部數據方面還表示，其在隨機讀取/寫入比例為七比三的情況下，可提供業界最佳的56萬4 KiB IOPS，但這一成績僅適用于其中的6.4 TB半高半長版本。

西部數據將這款驅動器視為工作負載密集型云與超大規模環境下的理想解決方案，其中包括電子商務、搜索、社交網絡以及包括密集型分析在內的實時大規模數據處理等環境。

根據西部數據方面的說法，SS200是目前速度最快且容量最高的SAS SSD產品，這是一款雙端口12 Gbit每秒驅動器，同時提供容量優化與使用壽命優化型版本。西部數據方面指出，其采用SanDisk 15納米NAND，據我們猜測其應該為MLC（即二層單元）。

其中使用壽命優化版本的存儲容量分別為400 GB、800 GB、1.6 TB、3.2 TB以及6.4 TB，而容量優化版本則分別為480 GB、960 GB、1.92 TB、3.84 TB以及7.68 TB。二者皆提供25萬隨機讀取IOPS，其中容量優化型驅動器的隨機寫入IOPS為3萬7千，使用壽命優化型則為8萬6千。

容量與使用壽命型驅動器的連續讀取/寫入數字皆為每秒1.8 GB與每秒1 GB，且二者的平均讀取/寫入延遲皆為100微秒。

與SN200一樣，這兩種版本皆提供自我加密選項、即時安全擦除以及250萬小時平均故障前時間。西部數據方面指出，此驅動器主要面向存儲陣列、超融合型與軟件定義型架構，適合要求使用雙端口設計的SAS接口以及數據密集型關鍵性企業與云應用。

西部數據將公布了一套即將推出的高速閃存平臺。其將是一套采用NVMe驅動器的2U托架，通過PCIe接入服務器。該公司指出，目前該平臺的測試性能為1800萬IOPS，已經成為業界單機架單元中性能最高的解決方案。

該平臺的目標市場為各類分散型云規模數據中心基礎設施，西部數據方面同時指出，其還將把容量與性能進行分別配置; 這是為了向超整合型基礎設施方案予以反擊。不出所料，西部數據表示其將具備高可用性與可維護性。

該平臺的潛在適用領域包括實時與數據流分析應用，例如信用卡欺詐檢測、視頻流分析、基于位置型服務、廣告服務器、自動化系統以及立足于人工智能（簡稱AI）、機器學習（簡稱ML）或者深層學習（簡稱DL）的各類解決方案。

西部數據公司指出，其計劃將軟件交付至開源社區，用以更好地貢獻并支持此項技術。

SanDisk公司目前的Edge 356 GB迷你SD卡采用64層3D TLC9三層單元）閃存。此類閃存亦被稱為BiCS3，且明顯優于上一代48層BiCS2方案。我們期待著BiCS3 SSD能夠如其承諾那樣提供等同于甚至高于最新SS200與SN200 SSD的存儲容量水平。

這款Edge卡以OEM形式供監控、攝像頭以及無人機等使用。

在本次分析師日活動中，尼古拉斯公司總經理Aaron Rakers向Memory Technology公司執行副總裁Siva Sivaram博士發函稱，BiCS3 64層技術路線圖將貫穿整個2017年，其中包括二層單元（MLC）、三層單元（TLC）以及四層單元（QLC）。他預計BiCS3 64層3D NAND將進入大規模量產，而設備容量將在16 GB到32 TB區間。

根據Rakers的說法，Sivaram博士亦預計初代ReRAM（即電阻式RAM）存儲級內存產品將在2018年下半年出現，而第二代方案則將出現于2019年。西部數據方面認為，DRAM在擴展能力方面局限嚴重，因此需要出現Sivaram提到的所謂SDM-ReRAM作為擴展性解決方案。

這不禁讓我們想到了HPE公司將要使用的ReRAM存儲級內存。

Edge卡目前已經開始全面發售。高速閃存平臺將于2017年上半年正式投放市場。

為了取悅金融分析師，西部數據方面還宣布其已經與三星公司簽訂了一份為期八年的交叉授權協議。Rakers估計，這一協議將在2017財年第二季度帶來約3000萬美元營收。

新的Ultrastar SSD與Edge卡一樣目前已經開始銷售。He12與He14磁盤驅動器則正在向特定客戶提供測試樣品。