在前幾天發布的初期財報數據中，三星Q3季度雖然面臨營收下滑5%的困境，但盈利同比增長6%，這次移動部門是沒啥指望了，讓三星大賺特賺的是半導體，不斷漲價的內存、閃存就是大功臣。今年智能手機內存、閃存容量不斷增加，導致市場供應吃緊進而漲價，三星也瞅準了機會在年底量產第四代V-NAND閃存，64層堆棧，屆時韓國的華城、中國的西安工廠都將是主產地。
▲中國西安的三星工廠也將是未來64層堆棧3D閃存的主產地
在3D閃存方面，三星的V-NAND閃存量產時間最早，領先SK Hynix、東芝、美光、Intel至少兩年時間，現在已經發展到了第三代，堆棧層數48層，而美光、Intel、SK Hynix等公司的3D閃存不過24、36層堆棧，東芝閃迪系的BiCS閃存起點很高，直接上48層堆棧，但量產時間要等到明年。
今年8月份三星就曝光了64層堆棧的V-NAND閃存了，TLC類型，核心容量提高到512Gb，IO接口速度800Mbps。
根據三星最新的規劃，64層V-NAND閃存預計會在今年底量產，韓國京畿道聲的華城市工廠已經開始準備生產了。此外，三星在中國西安的晶圓廠也會量產64層V-NAND閃存，去年發布950 Pro時三星就提到西安工廠是最早量產48層堆棧3D閃存的工廠，這次64層堆棧閃存量產計劃中，西安工廠也會是主產地之一。
三星還在韓國平澤市建設新的工廠，今年12月份將完成主體建筑施工，最快明年4月份就能生產，這比預期的時間提前了三個月。
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