也許有人會說，3D NAND有什么好說的，三星早在前年就發布了3D V-NAND，就是基于3D TLC設計的，48層，單Die容量256Gb;此后，SK Hynix、東芝/閃迪、Intel/美光等豪門都開始涉足3D NAND產品。

但需要提醒的是，在這里談論的是企業級產品市場應用。考慮到頻繁讀寫，以及企業級應用場景對可靠性、穩定性的需求，專業人士指出，這是完全不同的市場。

順便說一句：企業級閃存產品應用，2D MLC是目前市場主流。

3D NAND很低調

不知道有多少人注意到了英特爾最新發布的兩款NVMe協議數據中心固態盤：P3320/P3520與D3700/D3600。

這是英特爾首款3D NAND以及雙端口NVMe固態盤。我一直沒有搞明白：如此重要的產品發布，為什么英特爾沒有單獨舉辦發布會，而是與英特爾新一代E5 V4至強處理器一起發布，注意力被分散應該是不可避免的。

在英特爾的新聞稿中，對于新產品的介紹也是比較簡單：DC P3320和P3520是首款基于3D NAND技術制造的固態盤，針對高密度存儲市場，比較對象是SATA固態盤;DC D3700和D3600是首款采用NVMe協議雙插槽PCIe 固態盤，可提供關鍵冗余和故障轉移功能，對比的對象是雙端口 SAS 解決方案。

英特爾企業級3D NAND固態盤就這樣在近乎悄無聲息的情況下來了，低調得很。

還有NVMe和雙端口

無論是3D NAND、NVMe，還是雙端口，其中任何一個技術，對于企業級閃存應用都有近乎里程碑的意義。

首先是3D NAND技術，一度被寄予厚望。我們知道，“成本/GB”是影響閃存推廣應用的致命問題。為此，廠家不得不避而不談：“成本/GB”，而是另辟蹊徑，大肆宣傳閃存在“IOPS/成本”上的突出意義。但無論如何，“成本/GB”是閃存替代磁盤的主要障礙。

為了縮短“成本/GB”的差距，一個是依靠制程工藝技術，例如2D MLC 16nm技術制造，但如今制程工藝技術已經接近了“天花板”，不僅要大量投資，技術問題也比較復雜。為此依靠3D技術，立體化發展就成為了新選擇，對磁盤來說，3D NAND無疑是雪上加霜，被終結的日子不遠了。

其次，NVMe也是備受關注的技術。計算和磁盤存儲之間，以往通過SAS/SATA接口，采用SCSI協議交換數據，盡管SCSI協議棧會帶來延遲，但在磁盤時代，磁盤屬于慢速設備，磁盤帶來延遲遠遠高于協議棧，協議棧延遲可以忽略不計。但在閃存時代，閃存不僅帶來了高速，同時帶來了低延遲能力。在閃存時代，SCSI協議棧低效、延遲變得不可以接受，所以，NVMe替代SAS/SATA、SCSI協議棧就成為了必然。但這是從技術角度，市場方面，SAS/SATA在什么時候會被終結，也成為了關注的焦點。

最后，關于雙端口，這一度也是困擾閃存盤的問題。要不要提供雙端口支持，一度也存在爭論。特別在分布式存儲備受推崇的時代，可以從應用的角度解決可靠性的問題。所以雙端口也值得關注。

但是幾乎在一夜之間，問題就有了答案。

3D TLC，還是3D MLC?

更讓人沒有想到，此次產品發布竟然是基于3D TLC，而不是3D MLC。我們知道，TLC在性價比方面，較之MLC更有競爭力，這就像MLC較之SLC一樣。但將TLC應用在企業級產品市場也存在一定的技術難度，除了壽命之外，TLC需要更加復雜的LDPC校驗算法。去年，美國閃存峰會期間，PMC發布新控制器技術，宣布支持LDPC，也讓人看到了企業級TLC應用的曙光。此前，戴爾雖然也在存儲陣列中使用TLC固態盤，但還沒有形成規模。應該說3D也是非常復雜的技術，似乎MLC更穩妥。所以，上來就選擇TLC，讓人真的領略到了什么是“技術兇猛”!

為什么是3D TLC?為此我也詢問了英特爾的技術專家，告之：3D技術往往會采用上一代的制程工藝技術，如：22nm～40nm制程技術(順便說一句，這也進入了國產半導體制造的火力范圍，所謂大存儲產業基于此而誕生)，在這個制程工藝范圍，TLC是更加合理的選擇，搭配新型閃存控制器技術，3D NAND TLC就這樣誕生了。

實際上，3D TLC也好，NVMe也好，這并不是用戶關心的，從用戶的角度其實很簡單：性能和成本。對此，新的產品會有怎樣的表現呢?

性能不用多說，已經說了很多。關鍵在于成本。考慮到商業的因素，價格并不是完全透明的。但對此，英特爾的專業人士給了一個概念：新產品的售價，與現有SAS 2D MLC的價格水平相當。當然，采取這樣的策略會有很多的考慮。

小結

如今，用戶的問題來了。對于3D NAND、NVMe用戶將如何選擇呢?僅僅從性能、成本、可靠性來考慮是不行的。用戶需要知道趨勢和潮流。在采購的時候，3D還是2D?TLC還是MLC?SAS/SATA還是NVMe?雙端口，這都是應該詢問的問題。對嗎?