2014年5月底，三星宣布了第二代3D垂直堆疊閃存“V-NAND”，并先后用于850 Pro、850 EVO固態硬盤，還在多個場合公開了不少技術細節。

正在舉行的國際固態電路會議ISSCC 2015上，三星再次公開了3D V-NAND閃存技術的一些細節資料，涉及更加底層的閃存結構，這里我們粗略地看一下。

最核心的是兩代3D閃存的結構、密度對比。第二代基于三位的TLC NAND，可以堆疊32層，單顆容量128Gb，所占面積68.9平方毫米，存儲密度為1.86Gb/mm2。

而第一代基于雙位的MLC NAND，可以堆疊24層，如果想達到128Gb容量，則需要兩組64Gb閃存單元并排，此時面積133平方毫米，存儲密度0.93Gb/mm2，差了多達1.25倍。

更新的技術，“肚量”更大的TLC規格，都是第二代存儲密度大增的關鍵因素，但不可否認的是，TLC在性能、壽命上都比MLC差不少，因此三星現在追求更多的還是容量。

從平面到立體，并不是個簡單的堆積過程。2D閃存達到一定密度后，電荷存儲能力會大大下降，相鄰閃存單元的干擾也會非常嚴重，無法進一步提升，為此傳統的閃存編程分為三個階段，以便更精確地控制電荷電量。

3D閃存則無需多階段編程，三星通過高速編程(HSP)整合為單獨一個階段，所需時間和復雜度大大減少。

　　三星宣稱，HSP編程時間只有傳統的一半，功耗也能降低40%。

另外通過數據路徑層的調整，以及其他各種相關改進，三星還達成了1Gbps的高速傳輸速度。