韓國閃存代工巨頭三星已經在本屆閃存記憶體峰會上宣布，將把3-bit（即TLC）閃存引入其V-NAND產品線。

該產品采用TLC NAND 32層設計，作為三層存儲單元、TLC與當前企業級NAND產品中所使用的MLC或者稱為每單元2 bit的二層單元設計完全不同。

TLC NAND在數據訪問速度上無法與MLC相媲美、使用壽命也有所妥協，其全盤寫入次數只能達到幾百次。也就是說，它需要與復雜的控制器技術相匹配才能獲得理想的使用壽命。

我們并沒有參加三星的展示活動，但根據一篇相關報道，三星宣稱與普通平面TLC芯片相比，其TLC V-NAND能夠將編程時間降低達50%、運轉功耗也將縮減約四成。

三星方面指出，TLC 32層V-NAND SSD產品將很快投放市場，其技術成果將一舉突破10納米制程工藝這一制造瓶頸。我們對于新推出的V-NAND將采用10納米單元設計表示懷疑，也許30納米級別還更為可信。

據推測，新產品將被命名為850 EVO。結合我們掌握的情況，“很快”面世意味著其上市時間將在今年年底之前，甚至很可能搶在十一月份之前。這款設備能夠提供1TB甚至更高——也許是4TB——存儲容量，而且適合處理長效存儲內容，除非三星公司能夠真正通過管理控制機制在每天寫滿全盤的條件下使其具備三到五年的使用壽命。

三星也在努力降低其SSD新品的寫入延遲，前提是訪問主機能夠與該SSD的控制器配合起來實現寫入優化目標。根據該公司的說法，要想讓這套方案進入主流市場、他們還需要為其打造標準化接口。