北京，2014年8月5日–全球企業(yè)存儲(chǔ)領(lǐng)導(dǎo)者HGST（昱科環(huán)球存儲(chǔ)科技公司）今天預(yù)演了其全新的固態(tài)硬盤(SSD)架構(gòu)，該架構(gòu)能夠讓應(yīng)用更快應(yīng)對(duì)未來的數(shù)據(jù)密集型問題。此次演示結(jié)合使用了HGST全新的低時(shí)延接口協(xié)議和下一代非易失性存儲(chǔ)組件，展示了前所未有的SSD性能水平。 

此次SSD演示使用了一個(gè)PCIe接口，在一個(gè)隊(duì)列環(huán)境中實(shí)現(xiàn)了高達(dá)300萬次的隨機(jī)讀取IOPS（512B），并在非隊(duì)列環(huán)境中實(shí)現(xiàn)了1.5微秒的隨機(jī)讀取時(shí)延。上述性能是現(xiàn)有SSD架構(gòu)和NAND閃存無法實(shí)現(xiàn)的，比現(xiàn)有基于閃存的SSD快幾個(gè)數(shù)量級(jí)，從而催生出一個(gè)全新類別的塊存儲(chǔ)設(shè)備。

HGST首席技術(shù)官Steve Campbell表示：“此次PCM SSD演示是HGST引領(lǐng)快速發(fā)展的存儲(chǔ)行業(yè)的一個(gè)范例。該技術(shù)是我們多年研發(fā)的成果，旨在將企業(yè)級(jí)應(yīng)用的性能提升至一個(gè)新的高度。通過結(jié)合使用HGST的低時(shí)延接口協(xié)議和下一代非易失性存儲(chǔ)組件，我們實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能，并為我們的客戶和行業(yè)合作伙伴創(chuàng)造了與HGST共同探索新型軟件和系統(tǒng)架構(gòu)的絕佳機(jī)遇。” 

SSD中未來非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用領(lǐng)域

該SSD中使用的存儲(chǔ)器由多個(gè)相變存儲(chǔ)器（PCM）組件構(gòu)成，容量為1Gb。PCM是一個(gè)全新類別的高密度、非易失性存儲(chǔ)器，其讀取速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于NAND閃存。 

為了使服務(wù)器系統(tǒng)及其軟件應(yīng)用能夠充分利用這些全新存儲(chǔ)技術(shù)的全部能力，HGST還開發(fā)了一個(gè)低時(shí)延接口架構(gòu)，該架構(gòu)針對(duì)性能進(jìn)行了全面優(yōu)化，而且不依賴于具體的底層存儲(chǔ)技術(shù)。HGST利用其控制器專業(yè)技術(shù)集成了多個(gè)45納米1Gb PCM芯片，用以打造一個(gè)全高、全長型PCIe Gen 2x4 SSD卡。  

為了實(shí)現(xiàn)接近1微秒的時(shí)延，HGST與圣地亞哥加州大學(xué)的研究人員共同開發(fā)了一個(gè)全新的通信協(xié)議。這個(gè)新的接口協(xié)議已在今年早期舉辦的Usenix文件及存儲(chǔ)技術(shù)大會(huì)（FAST）上推出。  

一個(gè)全新類別的存儲(chǔ)設(shè)備

HGST研究院存儲(chǔ)架構(gòu)經(jīng)理Zvonimir Bandic博士表示：“300萬次IOPS的確出類拔萃，但這并不是此次演示的最大亮點(diǎn)。真正令人激動(dòng)的是，它能夠?qū)崿F(xiàn)接近1微秒的小塊隨機(jī)存取時(shí)延。這一點(diǎn)是NAND閃存和現(xiàn)有控制器及接口技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)的。”  

這些新興的NVM的最大優(yōu)勢是它們的讀取時(shí)延比NAND閃存縮短了超過兩個(gè)數(shù)量級(jí)。為了充分利用這一內(nèi)在優(yōu)勢，需要采用新的控制器和接口技術(shù)。當(dāng)前最先進(jìn)的NVMe協(xié)議在NAND閃存環(huán)境中并不存在任何問題，但卻不適用于這些新興的NVM技術(shù)，NVM技術(shù)將把一個(gè)全新類別的存儲(chǔ)設(shè)備引入到數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)中。 

HGST將于2014年8月6日（星期三）和8月7日（星期四），在加州圣塔克拉拉市圣塔克拉拉會(huì)議中心舉辦的2014閃存峰會(huì)的HGST 316號(hào)展位上演示其 PCM SSD。