英特爾已經利用NVMe技術生產出三款速度極為驚人的PCIe閃存卡——此舉很可能在PCIe閃存卡市場中掀起又一輪波瀾。

英特爾DC P3700

NVMe是一種非易失性內存的標準訪問方式，它的出現意味著主機操作系統只需要配備單一標準驅動程序、而不再必須為每一種受支持的PCIe閃存卡提供特殊的驅動程序。SATA Express就是NVMe的具體實施方案之一。

目前英特爾的NVMe產品家族擁有三位成員，它們分別是DC P3700、P3600以及P3500。三者的存儲容量最高可達2TB，隨機讀取IOPS最高為46萬。大家可以通過下面這份圖表對其速度及其它基本參數有所了解：

英特爾DC P3n00 PCIeNVMe閃存速度與讀寫能力

這三款SSD都采用四個PCIe 3.0（相當于每秒4GB傳輸能力）接口，并由英特爾20納米MLC閃存芯片構成。它們借助18條通道由英特爾控制器進行操作，并具備五年的有限質保周期。在使用壽命方面：

DC P3700支持總計36.5 PB數據寫入量，每天可寫滿驅動器全盤十次（單位縮寫為DWPD）;DC P3600支持總計10.95 PB數據寫入量，每天可寫滿驅動器全盤三次;DC P3500支持總計1 PB數據寫入量，每天可寫滿驅動器全盤0.3次。

總而言之，三款閃存產品在速度與讀寫能力方面還是相當出色的。

那么它們與其它同類PCIe閃存卡相比結果如何呢？也就是來自Fusion-io、美光、三星、希捷/Avago/LSI以及東芝的產品。

三星XS17150與Mikey Micron P520 PCIe系列都擁有現役NVMe產品;我們曾在去年七月的一篇文章中將它們與一款HGST產品進行過兼容性測試。

NVMe性能圖表（柱狀圖形僅代表隨機讀取IOPS）

這份圖表的內容還不夠明確。我們選擇的是隨機讀取IOPS作為比較項目，但目前世界上只有兩家制造商實際生產NVMe卡，分別是英特爾與三星。因此我們還加入了美光、LSI以及Fusion-io的PCIe閃存卡產品、希望能在一定程度上作出比較。所有閃存卡的容量都在1.4TB以上。

其中美光P420M卡傳輸速度最快，達到75萬IOPS;三星的XS1715則緊隨其后，IOPS為74萬。接下來出場的就是英特爾的三款NVMe產品了，然后是LSI（即將歸入希捷）XP6210與Fusion-io的ioScale，二者的表現明顯與前面幾位差出了一大截。美光的P420M用實際表現證明，NVMe機制對于閃存卡的讀取響應速度而言根本不算是必要的提升手段。

根據我們掌握的情況，美光正在著力打造其P520M NVMe閃存卡。如果屬于非NVMe產品的P420M都能在現有比拼中勝出，相信新方案很可能一舉突破上代方案的性能極限。

我們期待著希捷/LSI與Fusion以及其它所有PCIe閃存卡制造商都能及時邁向NVMe新時代。

AnandTech網站發布了一份關于英特爾全新DC P3n00 NVMe閃存卡的評測報告，感興趣的朋友可以點擊此處進行查看。

三款產品的價格（制造商建議零售價）如下：400GB容量P3700為1207美元，400GB容量P3600為783美元，而400GB容量P3500為599美元。